Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
501 | C122F | 8A silício retificador controlado. Vrrom 50V. | General Electric Solid State |
502 | C122M | 8A silício retificador controlado. Vrrom 600V. | General Electric Solid State |
503 | CA3018 | DISPOSIÇÕES DO TRANSISTOR DA FINALIDADE GERAL | General Electric Solid State |
504 | CA3018 | DISPOSIÇÕES DO TRANSISTOR DA FINALIDADE GERAL | General Electric Solid State |
505 | CA3018A | DISPOSIÇÕES DO TRANSISTOR DA FINALIDADE GERAL | General Electric Solid State |
506 | CA3018A | DISPOSIÇÕES DO TRANSISTOR DA FINALIDADE GERAL | General Electric Solid State |
507 | CA3019 | Ultra-fast baixa capacitância diodos combinados. | General Electric Solid State |
508 | CA3039 | Arranjo de diodos. Seis diodos combinados em um substrato comum. | General Electric Solid State |
509 | CA3045D | Uso geral NPN matriz de transistores. | General Electric Solid State |
510 | CA3045F | Uso geral NPN matriz de transistores. | General Electric Solid State |
511 | CA3045H | Uso geral NPN matriz de transistores. | General Electric Solid State |
512 | CA3046E | Uso geral NPN matriz de transistores. | General Electric Solid State |
513 | CA3083 | De uso geral de alta corrente matriz de transistores NPN. | General Electric Solid State |
514 | CA3086 | De uso geral NPN matriz de transistores. | General Electric Solid State |
515 | CA3086F | De uso geral NPN matriz de transistores. | General Electric Solid State |
516 | CA3096AE | NPN / PNP matriz de transistores. | General Electric Solid State |
517 | CA3096CE | NPN / PNP matriz de transistores. | General Electric Solid State |
518 | CA3096E | NPN / PNP matriz de transistores. | General Electric Solid State |
519 | CA3096H | NPN / PNP matriz de transistores. | General Electric Solid State |
520 | CA3097E | Tiristor / transistor array. | General Electric Solid State |
521 | CA3097H | Tiristor / transistor array. | General Electric Solid State |
522 | CA3118AT | De alta tensão matriz de transistores. | General Electric Solid State |
523 | CA3118T | De alta tensão matriz de transistores. | General Electric Solid State |
524 | CA3127E | Alto freguency NPN matriz de transistores. Para aplicações de baixa potência em freqüências de até 500 MHz. | General Electric Solid State |
525 | CA3127F | Alto freguency NPN matriz de transistores. Para aplicações de baixa potência em freqüências de até 500 MHz. | General Electric Solid State |
526 | CA3127H | Alto freguency NPN matriz de transistores. Para aplicações de baixa potência em freqüências de até 500 MHz. | General Electric Solid State |
527 | CA3130 | Amplificadores Operacionais De BiMOS | General Electric Solid State |
528 | CA3138 | De alta corrente, alta beta NPN matriz de transistores. | General Electric Solid State |
529 | CA3138A | De alta corrente, alta beta NPN matriz de transistores. | General Electric Solid State |
530 | CA3146AE | De alta tensão matriz de transistores. | General Electric Solid State |
531 | CA3146E | De alta tensão matriz de transistores. | General Electric Solid State |
532 | CA3183AE | De alta tensão matriz de transistores. | General Electric Solid State |
533 | CA3183E | De alta tensão matriz de transistores. | General Electric Solid State |
534 | CA3227E | De alta freqüência NPN matriz de transistores. Para aplicações de baixa potência em freqüências de até 1.5 GHz. | General Electric Solid State |
535 | CA3246E | De alta freqüência NPN matriz de transistores. Para aplicações de baixa potência em freqüências de até 1.5 GHz. | General Electric Solid State |
536 | CA3250 | DISPOSIÇÕES ELEVADAS DO TRANSISTOR DA CORRENTE NPN DA FINALIDADEGERAL | General Electric Solid State |
537 | CA3250 | DISPOSIÇÕES ELEVADAS DO TRANSISTOR DA CORRENTE NPN DA FINALIDADEGERAL | General Electric Solid State |
538 | CA3250E | De uso geral de alta corrente matriz de transistores NPN. Conjunto comum de coletor. | General Electric Solid State |
539 | CA3250F | De uso geral de alta corrente matriz de transistores NPN. Conjunto comum de coletor. | General Electric Solid State |
540 | CA3250H | De uso geral de alta corrente matriz de transistores NPN. Conjunto comum de coletor. | General Electric Solid State |
541 | CA3251 | DISPOSIÇÕES ELEVADAS DO TRANSISTOR DA CORRENTE NPN DA FINALIDADEGERAL | General Electric Solid State |
542 | CA3251 | DISPOSIÇÕES ELEVADAS DO TRANSISTOR DA CORRENTE NPN DA FINALIDADEGERAL | General Electric Solid State |
543 | CA3251E | De uso geral de alta corrente matriz de transistores NPN. Conjunto emissor-comum. | General Electric Solid State |
544 | CA3251F | De uso geral de alta corrente matriz de transistores NPN. Conjunto emissor-comum. | General Electric Solid State |
545 | CA3251H | De uso geral de alta corrente matriz de transistores NPN. Conjunto emissor-comum. | General Electric Solid State |
546 | CNY51 | O PHOTON ACOPLOU LSOLATOR | General Electric Solid State |
547 | GE3009 | Photon juntamente isolador. GaAs diodo emissor de infravermelho e luz ativado motorista triac. | General Electric Solid State |
548 | GE3010 | Photon juntamente isolador. GaAs diodo emissor de infravermelho e luz ativado motorista triac. | General Electric Solid State |
549 | GE3011 | Photon juntamente isolador. GaAs diodo emissor de infravermelho e luz ativado motorista triac. | General Electric Solid State |
550 | GE3012 | Photon juntamente isolador. GaAs diodo emissor de infravermelho e luz ativado motorista triac. | General Electric Solid State |
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