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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
501C122F8A silício retificador controlado. Vrrom 50V.General Electric Solid State
502C122M8A silício retificador controlado. Vrrom 600V.General Electric Solid State
503CA3018DISPOSIÇÕES DO TRANSISTOR DA FINALIDADE GERALGeneral Electric Solid State
504CA3018DISPOSIÇÕES DO TRANSISTOR DA FINALIDADE GERALGeneral Electric Solid State
505CA3018ADISPOSIÇÕES DO TRANSISTOR DA FINALIDADE GERALGeneral Electric Solid State
506CA3018ADISPOSIÇÕES DO TRANSISTOR DA FINALIDADE GERALGeneral Electric Solid State
507CA3019Ultra-fast baixa capacitância diodos combinados.General Electric Solid State
508CA3039Arranjo de diodos. Seis diodos combinados em um substrato comum.General Electric Solid State
509CA3045DUso geral NPN matriz de transistores.General Electric Solid State
510CA3045FUso geral NPN matriz de transistores.General Electric Solid State
511CA3045HUso geral NPN matriz de transistores.General Electric Solid State
512CA3046EUso geral NPN matriz de transistores.General Electric Solid State
513CA3083De uso geral de alta corrente matriz de transistores NPN.General Electric Solid State
514CA3086De uso geral NPN matriz de transistores.General Electric Solid State
515CA3086FDe uso geral NPN matriz de transistores.General Electric Solid State
516CA3096AENPN / PNP matriz de transistores.General Electric Solid State
517CA3096CENPN / PNP matriz de transistores.General Electric Solid State
518CA3096ENPN / PNP matriz de transistores.General Electric Solid State
519CA3096HNPN / PNP matriz de transistores.General Electric Solid State
520CA3097ETiristor / transistor array.General Electric Solid State
521CA3097HTiristor / transistor array.General Electric Solid State
522CA3118ATDe alta tensão matriz de transistores.General Electric Solid State
523CA3118TDe alta tensão matriz de transistores.General Electric Solid State
524CA3127EAlto freguency NPN matriz de transistores. Para aplicações de baixa potência em freqüências de até 500 MHz.General Electric Solid State
525CA3127FAlto freguency NPN matriz de transistores. Para aplicações de baixa potência em freqüências de até 500 MHz.General Electric Solid State
526CA3127HAlto freguency NPN matriz de transistores. Para aplicações de baixa potência em freqüências de até 500 MHz.General Electric Solid State
527CA3130Amplificadores Operacionais De BiMOSGeneral Electric Solid State



528CA3138De alta corrente, alta beta NPN matriz de transistores.General Electric Solid State
529CA3138ADe alta corrente, alta beta NPN matriz de transistores.General Electric Solid State
530CA3146AEDe alta tensão matriz de transistores.General Electric Solid State
531CA3146EDe alta tensão matriz de transistores.General Electric Solid State
532CA3183AEDe alta tensão matriz de transistores.General Electric Solid State
533CA3183EDe alta tensão matriz de transistores.General Electric Solid State
534CA3227EDe alta freqüência NPN matriz de transistores. Para aplicações de baixa potência em freqüências de até 1.5 GHz.General Electric Solid State
535CA3246EDe alta freqüência NPN matriz de transistores. Para aplicações de baixa potência em freqüências de até 1.5 GHz.General Electric Solid State
536CA3250DISPOSIÇÕES ELEVADAS DO TRANSISTOR DA CORRENTE NPN DA FINALIDADEGERALGeneral Electric Solid State
537CA3250DISPOSIÇÕES ELEVADAS DO TRANSISTOR DA CORRENTE NPN DA FINALIDADEGERALGeneral Electric Solid State
538CA3250EDe uso geral de alta corrente matriz de transistores NPN. Conjunto comum de coletor.General Electric Solid State
539CA3250FDe uso geral de alta corrente matriz de transistores NPN. Conjunto comum de coletor.General Electric Solid State
540CA3250HDe uso geral de alta corrente matriz de transistores NPN. Conjunto comum de coletor.General Electric Solid State
541CA3251DISPOSIÇÕES ELEVADAS DO TRANSISTOR DA CORRENTE NPN DA FINALIDADEGERALGeneral Electric Solid State
542CA3251DISPOSIÇÕES ELEVADAS DO TRANSISTOR DA CORRENTE NPN DA FINALIDADEGERALGeneral Electric Solid State
543CA3251EDe uso geral de alta corrente matriz de transistores NPN. Conjunto emissor-comum.General Electric Solid State
544CA3251FDe uso geral de alta corrente matriz de transistores NPN. Conjunto emissor-comum.General Electric Solid State
545CA3251HDe uso geral de alta corrente matriz de transistores NPN. Conjunto emissor-comum.General Electric Solid State
546CNY51O PHOTON ACOPLOU LSOLATORGeneral Electric Solid State
547GE3009Photon juntamente isolador. GaAs diodo emissor de infravermelho e luz ativado motorista triac.General Electric Solid State
548GE3010Photon juntamente isolador. GaAs diodo emissor de infravermelho e luz ativado motorista triac.General Electric Solid State
549GE3011Photon juntamente isolador. GaAs diodo emissor de infravermelho e luz ativado motorista triac.General Electric Solid State
550GE3012Photon juntamente isolador. GaAs diodo emissor de infravermelho e luz ativado motorista triac.General Electric Solid State

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