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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
3512N68725A silício retificador controlado. Vrsom 400V.General Electric Solid State
3522N68825A silício retificador controlado. Vrsom 500V.General Electric Solid State
3532N68925A silício retificador controlado. Vrsom 600V.General Electric Solid State
3542N69025A silício retificador controlado. Vrsom 720V.General Electric Solid State
3552N69125A silício retificador controlado. Vrsom 840V.General Electric Solid State
3562N69225A silício retificador controlado. Vrsom 960V.General Electric Solid State
3572N697Silicon NPN planar transistor.General Electric Solid State
3583N128Transistor do MOS Do SiliconeGeneral Electric Solid State
3593N142TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO ISOLADO SILICONE DA PORTAGeneral Electric Solid State
3603N142TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO ISOLADO SILICONE DA PORTAGeneral Electric Solid State
3613N143Transistor do MOS Do SiliconeGeneral Electric Solid State
3623N143Transistor do MOS Do SiliconeGeneral Electric Solid State
3633N152Silicon transistor MOS.General Electric Solid State
3643N153TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO ISOLADO SILICONE DA PORTAGeneral Electric Solid State
3653N153TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO ISOLADO SILICONE DA PORTAGeneral Electric Solid State
3663N154TRANSISTOR DO MOS DO SILICONEGeneral Electric Solid State
3673N154TRANSISTOR DO MOS DO SILICONEGeneral Electric Solid State
3683N187Silicon dupla com isolamento portão de efeito de campo transistor.General Electric Solid State
3693N200Silicon dupla com isolamento portão de efeito de campo transistor.General Electric Solid State
3703N204Silicon dupla com isolamento portão de efeito de campo transistor.General Electric Solid State
3713N205Silicon dupla com isolamento portão de efeito de campo transistor.General Electric Solid State
3723N206Silicon dupla com isolamento portão de efeito de campo transistor.General Electric Solid State
37340346Medium-poder silício NPN planar transistor.General Electric Solid State
37440347Silicon NPN transistor. 60V, 8.75W.General Electric Solid State
37540348Silicon NPN transistor. 90V, 8.75W.General Electric Solid State
37640406Silicon PNP transistor de potência. -50V.General Electric Solid State
37740407Silicon NPN transistor de potência. 50V.General Electric Solid State



37840408Silicon NPN transistor de potência. 90V.General Electric Solid State
37940411Silicon NPN transistor de potência. 90V (Rbe 100 ohms).General Electric Solid State
38040412Medium-poder silício NPN planar transistor.General Electric Solid State
381BD142Silicon NPN transistor de alta potência. 50V, 117W.General Electric Solid State
382BD181Silicon NPN transistor de alta potência. 55V, 117W.General Electric Solid State
383BD182Silicon NPN transistor de alta potência. 70V, 117W.General Electric Solid State
384BD183Silicon NPN transistor de alta potência. 85V, 117W.General Electric Solid State
385BD201Silício epitaxial base NPN VERSAWATT transistor. 60V, 60W.General Electric Solid State
386BD202Silício epitaxial base PNP VERSAWATT transistor. -60V, 60W.General Electric Solid State
387BD203Silício epitaxial base NPN VERSAWATT transistor. 80V, 60W.General Electric Solid State
388BD204Silício epitaxial base PNP VERSAWATT transistor. -80V, 60W.General Electric Solid State
389BD239Elétron Pro poder transistorGeneral Electric Solid State
390BD239AElétron Pro poder transistorGeneral Electric Solid State
391BD239BElétron Pro poder transistorGeneral Electric Solid State
392BD239CElétron Pro poder transistorGeneral Electric Solid State
393BD240Silício epitaxial base PNP VERSAWATT transistor. Vcer -55V, 30W.General Electric Solid State
394BD240ASilício epitaxial base PNP VERSAWATT transistor. Vcer -70V, 30W.General Electric Solid State
395BD240BSilício epitaxial base PNP VERSAWATT transistor. Vcer -90V, 30W.General Electric Solid State
396BD240CSilício epitaxial base PNP VERSAWATT transistor. Vcer -115V, 30W.General Electric Solid State
397BD241Silício epitaxial base NPN VERSAWATT transistor. Vcer 55V, 40W.General Electric Solid State
398BD241ASilício epitaxial base NPN VERSAWATT transistor. Vcer 70V, 40W.General Electric Solid State
399BD241BSilício epitaxial base NPN VERSAWATT transistor. Vcer 90V, 40W.General Electric Solid State
400BD241CSilício epitaxial base NPN VERSAWATT transistor. Vcer 115V, 40W.General Electric Solid State

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