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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
2512N6345A12-A triac silicio. 800 V.General Electric Solid State
2522N6346A12-A triac silicio. 200 V.General Electric Solid State
2532N6347A12-A triac silicio. 400 V.General Electric Solid State
2542N6348A12-A triac silicio. 600 V.General Electric Solid State
2552N6349A12-A triac silicio. 800 V.General Electric Solid State
2562N6354120V, 10A, 140W silicio NPN del transistor planar.General Electric Solid State
2572N6371De silicio de alta potencia transistor NPN. 50V, 117W.General Electric Solid State
2582N638310 A NPN Darlington transistor de potencia. 40 V. 100 W. Ganancia de 1000 a las 5 A.General Electric Solid State
2592N638410 A NPN Darlington transistor de potencia. 60 V. 100 W. Ganancia de 1000 a las 5 A.General Electric Solid State
2602N638510 A NPN Darlington transistor de potencia. 80 V. 100 W. Ganancia de 1000 a las 5 A.General Electric Solid State
2612N638610 A NPN Darlington transistor de potencia. 40 V. 65 W. Ganancia de 1000 a las 3 A.General Electric Solid State
2622N638710 A NPN Darlington transistor de potencia. 60 V. 65 W. Ganancia de 1000 a las 5 A.General Electric Solid State
2632N638810 A NPN Darlington transistor de potencia. 80 V. 65 W. Ganancia de 1000 a las 5 A.General Electric Solid State
2642N639412A rectificador controlado de silicio. Vrsom 75V.General Electric Solid State
2652N639512A rectificador controlado de silicio. Vrsom 125V.General Electric Solid State
2662N639612A rectificador controlado de silicio. Vrsom 250V.General Electric Solid State
2672N639712A rectificador controlado de silicio. Vrsom 450V.General Electric Solid State
2682N639812A rectificador controlado de silicio. Vrsom 650V.General Electric Solid State
2692N640016A rectificador controlado de silicio. Vrsom 75V.General Electric Solid State
2702N640116A rectificador controlado de silicio. Vrsom 125V.General Electric Solid State
2712N640216A rectificador controlado de silicio. Vrsom 250V.General Electric Solid State
2722N640316A rectificador controlado de silicio. Vrsom 450V.General Electric Solid State
2732N640416A rectificador controlado de silicio. Vrsom 650V.General Electric Solid State
2742N6420De alta tensión, de potencia media PNP transistor de silicio.General Electric Solid State
2752N6421De alta tensión, de potencia media PNP transistor de silicio.General Electric Solid State
2762N6422De alta tensión, de potencia media PNP transistor de silicio.General Electric Solid State
2772N6423De alta tensión, de potencia media PNP transistor de silicio.General Electric Solid State



2782N6467Silicio PNP transistor de potencia media. -110V, 40W.General Electric Solid State
2792N6468Silicio PNP transistor de potencia media. -130V, 40W.General Electric Solid State
2802N6469Epitaxial-base, PNP transistor de silicio de alta potencia. -50V, 125W.General Electric Solid State
2812N6473Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 110V.General Electric Solid State
2822N6474Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 130V.General Electric Solid State
2832N6475Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -110V.General Electric Solid State
2842N6476Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -130V.General Electric Solid State
2852N6477TRANSISTORES MEDIOS DEL SILICIO NPN DE LA ENERGÍAGeneral Electric Solid State
2862N6477TRANSISTORES MEDIOS DEL SILICIO NPN DE LA ENERGÍAGeneral Electric Solid State
2872N6478TRANSISTORES MEDIOS DEL SILICIO NPN DE LA ENERGÍAGeneral Electric Solid State
2882N6478TRANSISTORES MEDIOS DEL SILICIO NPN DE LA ENERGÍAGeneral Electric Solid State
2892N648615A, 75W, silicio NPN epitaxial base VERSAWATT transistor. 50V.General Electric Solid State
2902N648715A, 75W, silicio NPN epitaxial base VERSAWATT transistor. 70V.General Electric Solid State
2912N648815A, 75W, silicio NPN epitaxial base VERSAWATT transistor. 90V.General Electric Solid State
2922N648915A, 75W, silicio PNP epitaxial base VERSAWATT transistor. -50V.General Electric Solid State
2932N649015A, 75W, silicio PNP epitaxial base VERSAWATT transistor. -70V.General Electric Solid State
2942N649115A, 75W, silicio PNP epitaxial base VERSAWATT transistor. -90V.General Electric Solid State
2952N6496Alta intensidad, alta potencia, alta velocidad de silicio NPN del transistor planar.General Electric Solid State
2962N6500TRANSISTORES PLANAR EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDAD DEL SILICIO NPN DEL COLECTORGeneral Electric Solid State
2972N6500TRANSISTORES PLANAR EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDAD DEL SILICIO NPN DEL COLECTORGeneral Electric Solid State
2982N65308 Un transistor de potencia NPN Darlington. 80 V. 60 W. Ganancia de 1000 a las 5 A.General Electric Solid State
2992N65318 Un transistor de potencia NPN Darlington. 100 V. 60 W. Ganancia de 500 a 3 A.General Electric Solid State
3002N65328 Un transistor de potencia NPN Darlington. 100 V. 60 W. Ganancia de 1000 a las 5 A.General Electric Solid State

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