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Hojas de datos encontradas :: 1013

Nr.	Nombre de la parte	Descripción	Fabricante
701	IRFD112	MOSFET de potencia del transistor de efecto de campo de energía.	General Electric Solid State
702	IRFD113	MOSFET de potencia del transistor de efecto de campo de energía.	General Electric Solid State
703	IRFF110	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 3.5A actual.	General Electric Solid State
704	IRFF111	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 3.5A actual.	General Electric Solid State
705	IRFF112	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 3.0A actual.	General Electric Solid State
706	IRFF113	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 3.0A actual.	General Electric Solid State
707	IRFF120	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Drenaje continuo 6.0a actual.	General Electric Solid State
708	IRFF121	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 50V de tensión. Drenaje continuo 6.0a actual.	General Electric Solid State
709	IRFF122	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Drenaje continuo 5,0 A de corriente.	General Electric Solid State
710	IRFF123	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Drenaje continuo 5,0 A de corriente.	General Electric Solid State
711	IRFF130	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 8.0A actual.	General Electric Solid State
712	IRFF131	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 8.0A actual.	General Electric Solid State
713	IRFF132	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Drenaje continuo 7.0a actual.	General Electric Solid State
714	IRFF133	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Drenaje continuo 7.0a actual.	General Electric Solid State
715	IRFF310	MOSFET de potencia del transistor de efecto de campo de energía. Tensión drenaje-fuente 400 V.	General Electric Solid State
716	IRFF311	MOSFET de potencia del transistor de efecto de campo de energía. Tensión drenaje-fuente 350 V.	General Electric Solid State
717	IRFF312	MOSFET de potencia del transistor de efecto de campo de energía. Tensión drenaje-fuente 400 V.	General Electric Solid State
718	IRFF313	MOSFET de potencia del transistor de efecto de campo de energía. Tensión drenaje-fuente 350 V.	General Electric Solid State
719	MCA230	Fotón acopla aislador. GaAs diodo emisor de infrarrojos y NPN darlington silicio conectados fototransistor.	General Electric Solid State
720	MCA231	Fotón acopla aislador. GaAs diodo emisor de infrarrojos y NPN darlington silicio conectados fototransistor.	General Electric Solid State
721	MCA235	Fotón acopla aislador. GaAs diodo emisor de infrarrojos y NPN darlington silicio conectados fototransistor.	General Electric Solid State
722	MCS21	EL FOTÓN JUNTÓ EL AISLADOR	General Electric Solid State
723	MCS21	EL FOTÓN JUNTÓ EL AISLADOR	General Electric Solid State
724	MCS2400	Fotón acopla aislador. GaAs infrarrojos diodos emisores de luz y activan SCR.	General Electric Solid State
725	MCS2401	EL FOTÓN JUNTÓ EL AISLADOR	General Electric Solid State
726	MCS2401	EL FOTÓN JUNTÓ EL AISLADOR	General Electric Solid State

727	MCT210	Fotón acopla aislador. GaAs diodo emisor de infrarrojos y NPN de silicio foto-transistor.	General Electric Solid State
728	MJ15001	Silicio NPN transistor de potencia. 140V, 200W.	General Electric Solid State
729	MJ15002	Silicio PNP transistor de potencia. -140V, 200W.	General Electric Solid State
730	MJ15003	Epitaxial del silicio NPN-base del transistor de alta potencia. 140V, 250W.	General Electric Solid State
731	MJ15004	Silicio PNP epitaxial-base del transistor de alta potencia. -140V, 250W.	General Electric Solid State
732	MJ15022	Epitaxial del silicio NPN-base del transistor de alta potencia.	General Electric Solid State
733	MJ15024	Epitaxial del silicio NPN-base del transistor de alta potencia.	General Electric Solid State
734	MJ16010	5 Un transistor de potencia SwitchMax II. Alto voltaje tipo NPN.	General Electric Solid State
735	MJ16012	5 Un transistor de potencia SwitchMax II. Alto voltaje tipo NPN.	General Electric Solid State
736	MJ2955	Silicio PNP epitaxial-base del transistor de alta potencia. -100V, 150W.	General Electric Solid State
737	MJE16002	5 Un transistor de potencia SwitchMax II. Alto voltaje tipo NPN.	General Electric Solid State
738	MJE16004	5 Un transistor de potencia SwitchMax II. Alto voltaje tipo NPN.	General Electric Solid State
739	MJH6010	5 Un transistor de potencia SwitchMax II. Alto voltaje tipo NPN.	General Electric Solid State
740	MJH6012	5 Un transistor de potencia SwitchMax II. Alto voltaje tipo NPN.	General Electric Solid State
741	MM551H	Interruptor Análogo De alto voltaje De la Alta Confiabilidad	General Electric Solid State
742	MOC3009	Fotón acopla aislador. Ga Como diodo emisor de infrarrojos y luz activado controlador triac.	General Electric Solid State
743	MOC3010	Fotón acopla aislador. Ga Como diodo emisor de infrarrojos y luz activado controlador triac.	General Electric Solid State
744	MOC3011	Fotón acopla aislador. Ga Como diodo emisor de infrarrojos y luz activado controlador triac.	General Electric Solid State
745	MOC3012	Fotón acopla aislador. Ga Como diodo emisor de infrarrojos y luz activado controlador triac.	General Electric Solid State
746	MOC3020	Fotón acopla aislador. Ga Como diodo emisor de infrarrojos y luz activado controlador triac.	General Electric Solid State
747	MOC3021	Fotón acopla aislador. Ga Como diodo emisor de infrarrojos y luz activado controlador triac.	General Electric Solid State
748	MOC3022	Fotón acopla aislador. Ga Como diodo emisor de infrarrojos y luz activado controlador triac.	General Electric Solid State
749	MOC3023	Fotón acopla aislador. Ga Como diodo emisor de infrarrojos y luz activado controlador triac.	General Electric Solid State
750	MPS-A12	TRANSISTORES DEL SILICIO DARLINGTON	General Electric Solid State

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