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Datenblaetter Gefunden :: 1013

Nr.	Teilname	Beschreibung	Hersteller
701	IRFD112	Leistungs-MOSFET-Feldeffektleistungstransistor.	General Electric Solid State
702	IRFD113	Leistungs-MOSFET-Feldeffektleistungstransistor.	General Electric Solid State
703	IRFF110	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom 3,5A.	General Electric Solid State
704	IRFF111	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom 3,5A.	General Electric Solid State
705	IRFF112	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom 3.0A.	General Electric Solid State
706	IRFF113	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom 3.0A.	General Electric Solid State
707	IRFF120	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom 6.0A.	General Electric Solid State
708	IRFF121	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 50V. Drain-Gleichstrom 6.0A.	General Electric Solid State
709	IRFF122	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom 5.0A.	General Electric Solid State
710	IRFF123	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom 5.0A.	General Electric Solid State

711	IRFF130	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom 8.0A.	General Electric Solid State
712	IRFF131	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom 8.0A.	General Electric Solid State
713	IRFF132	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom 7.0A.	General Electric Solid State
714	IRFF133	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom 7.0A.	General Electric Solid State
715	IRFF310	Leistungs-MOSFET-Feldeffektleistungstransistor. Drain-Source-Spannung 400 V.	General Electric Solid State
716	IRFF311	Leistungs-MOSFET-Feldeffektleistungstransistor. Drain-Source-Spannung 350 V.	General Electric Solid State
717	IRFF312	Leistungs-MOSFET-Feldeffektleistungstransistor. Drain-Source-Spannung 400 V.	General Electric Solid State
718	IRFF313	Leistungs-MOSFET-Feldeffektleistungstransistor. Drain-Source-Spannung 350 V.	General Electric Solid State
719	MCA230	Photon gekoppelt Isolator. GaAs Infrarot emittierenden Diode & NPN Silizium Darlington-Phototransistor.	General Electric Solid State
720	MCA231	Photon gekoppelt Isolator. GaAs Infrarot emittierenden Diode & NPN Silizium Darlington-Phototransistor.	General Electric Solid State
721	MCA235	Photon gekoppelt Isolator. GaAs Infrarot emittierenden Diode & NPN Silizium Darlington-Phototransistor.	General Electric Solid State
722	MCS21	PHOTON VERBAND ISOLATOR	General Electric Solid State
723	MCS21	PHOTON VERBAND ISOLATOR	General Electric Solid State
724	MCS2400	Photon gekoppelt Isolator. GaAs Infrarotdiode & Licht aktiviert SCR.	General Electric Solid State
725	MCS2401	PHOTON VERBAND ISOLATOR	General Electric Solid State
726	MCS2401	PHOTON VERBAND ISOLATOR	General Electric Solid State
727	MCT210	Photon gekoppelt Isolator. GaAs Infrarot emittierenden Diode & NPN Silizium-Fototransistor.	General Electric Solid State
728	MJ15001	Silikon-NPN-Leistungstransistor. 140V, 200W.	General Electric Solid State
729	MJ15002	Silicon PNP-Leistungstransistor. -140V, 200W.	General Electric Solid State
730	MJ15003	Silikon-NPN Epitaxial-Basishochleistungstransistor. 140V, 250W.	General Electric Solid State
731	MJ15004	Silikon PNP epitaktischen-Basishochleistungstransistor. -140V, 250W.	General Electric Solid State
732	MJ15022	Silikon-NPN Epitaxial-Basishochleistungstransistor.	General Electric Solid State
733	MJ15024	Silikon-NPN Epitaxial-Basishochleistungstransistor.	General Electric Solid State
734	MJ16010	5 A SwitchMax II-Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ.	General Electric Solid State
735	MJ16012	5 A SwitchMax II-Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ.	General Electric Solid State
736	MJ2955	Silikon PNP epitaktischen-Basishochleistungstransistor. -100 V, 150W.	General Electric Solid State
737	MJE16002	5 A SwitchMax II-Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ.	General Electric Solid State
738	MJE16004	5 A SwitchMax II-Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ.	General Electric Solid State
739	MJH6010	5 A SwitchMax II-Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ.	General Electric Solid State
740	MJH6012	5 A SwitchMax II-Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ.	General Electric Solid State
741	MM551H	Hohe Zuverlässigkeit Analoger Hochspannungsschalter	General Electric Solid State
742	MOC3009	Photon gekoppelt Isolator. Ga etwa Infrarotdiode & Licht aktiviert Triac-Treiber.	General Electric Solid State
743	MOC3010	Photon gekoppelt Isolator. Ga etwa Infrarotdiode & Licht aktiviert Triac-Treiber.	General Electric Solid State
744	MOC3011	Photon gekoppelt Isolator. Ga etwa Infrarotdiode & Licht aktiviert Triac-Treiber.	General Electric Solid State
745	MOC3012	Photon gekoppelt Isolator. Ga etwa Infrarotdiode & Licht aktiviert Triac-Treiber.	General Electric Solid State
746	MOC3020	Photon gekoppelt Isolator. Ga etwa Infrarotdiode & Licht aktiviert Triac-Treiber.	General Electric Solid State
747	MOC3021	Photon gekoppelt Isolator. Ga etwa Infrarotdiode & Licht aktiviert Triac-Treiber.	General Electric Solid State
748	MOC3022	Photon gekoppelt Isolator. Ga etwa Infrarotdiode & Licht aktiviert Triac-Treiber.	General Electric Solid State
749	MOC3023	Photon gekoppelt Isolator. Ga etwa Infrarotdiode & Licht aktiviert Triac-Treiber.	General Electric Solid State
750	MPS-A12	TRANSISTOREN DES SILIKON-DARLINGTON	General Electric Solid State

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