|   Erste Seite   |   Alle Hersteller   |   Durch Funktion   |   Inhaltsverzeichnis   |

Teilnummer, Bezeichnung oder Hersteller enthalten:

Schneller Sprung zu:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA

Datenblaetter Gefunden :: 1013

Nr.	Teilname	Beschreibung	Hersteller
301	2N6533	8 A NPN Darlington-Leistungstransistor. 120 V. 60 W. Gewinn von 1000 bei 3 A.	General Electric Solid State
302	2N6542	3A Leistungsschalt NPN-Transistor.	General Electric Solid State
303	2N6544	5A Leistungsschalt NPN-Transistor.	General Electric Solid State
304	2N6545	5A Leistungsschalt NPN-Transistor.	General Electric Solid State
305	2N6546	10A Leistungsschalt NPN-Transistor.	General Electric Solid State
306	2N6576	15 A NPN Darlington-Leistungstransistor. 60 V. 120 W. Gewinn 2000 bei 4 A.	General Electric Solid State
307	2N6577	15 A NPN Darlington-Leistungstransistor. 90 V. 120 W. Gewinn 2000 bei 4 A.	General Electric Solid State
308	2N6578	15 A NPN Darlington-Leistungstransistor. 120 V. 120 W. Gewinn 2000 bei 4 A.	General Electric Solid State
309	2N6609	Silikon PNP epitaktischen-Basishochleistungstransistor. -160V, 150W.	General Electric Solid State
310	2N6648	10 A PNP Darlington-Leistungstransistor. -40 V. 70 W. Gewinn von 1000 bei 5 A.	General Electric Solid State

311	2N6649	10 A PNP Darlington-Leistungstransistor. -60 V. 70 W. Gewinn von 1000 bei 5 A.	General Electric Solid State
312	2N6650	10 A PNP Darlington-Leistungstransistor. -80 V. 70 W. Gewinn von 1000 bei 5 A.	General Electric Solid State
313	2N6666	10 A PNP Darlington-Leistungstransistor. -40 V. 65 W. Gewinn von 1000 bei 3 A.	General Electric Solid State
314	2N6667	10 A PNP Darlington-Leistungstransistor. -60 V. 65 W. Gewinn von 1000 bei 5 A.	General Electric Solid State
315	2N6668	10 A PNP Darlington-Leistungstransistor. -80 V. 65 W. Gewinn von 1000 bei 5 A.	General Electric Solid State
316	2N6671	5 A SwitchMax Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ.	General Electric Solid State
317	2N6672	5 A SwitchMax Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ.	General Electric Solid State
318	2N6673	5 A SwitchMax Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ.	General Electric Solid State
319	2N6676	15 A SwitchMax Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ.	General Electric Solid State
320	2N6677	15 A SwitchMax Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ.	General Electric Solid State
321	2N6678	15 A SwitchMax Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ.	General Electric Solid State
322	2N6686	25 A SwitchMax Leistungstransistor. NPN-Typ.	General Electric Solid State
323	2N6687	25 A SwitchMax Leistungstransistor. NPN-Typ.	General Electric Solid State
324	2N6688	25 A SwitchMax Leistungstransistor. NPN-Typ.	General Electric Solid State
325	2N6702	Hochstrom-Silikon-NPN VERSAWATT Transistor.	General Electric Solid State
326	2N6703	Hochstrom-Silikon-NPN VERSAWATT Transistor.	General Electric Solid State
327	2N6704	Hochstrom-Silikon-NPN VERSAWATT Transistor.	General Electric Solid State
328	2N6751	5 A SwitchMax Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ.	General Electric Solid State
329	2N6752	5 A SwitchMax Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ.	General Electric Solid State
330	2N6753	5 A SwitchMax Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ.	General Electric Solid State
331	2N6754	5 A SwitchMax Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ.	General Electric Solid State
332	2N6755	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 12A.	General Electric Solid State
333	2N6756	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 14A.	General Electric Solid State
334	2N6757	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 8.0A.	General Electric Solid State
335	2N6758	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 9.0A.	General Electric Solid State
336	2N6759	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.5A.	General Electric Solid State
337	2N6760	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 5.5A.	General Electric Solid State
338	2N6761	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 450V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.0A.	General Electric Solid State
339	2N6762	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.5A.	General Electric Solid State
340	2N6764	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 38A.	General Electric Solid State
341	2N6766	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 30A.	General Electric Solid State
342	2N6782	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. 3,5 A, 100 V.	General Electric Solid State
343	2N6788	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. 6,0 A, 100 V.	General Electric Solid State
344	2N6796	N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. 8,0 A, 100 V.	General Electric Solid State
345	2N681	25A gesteuerte Siliziumgleichrichter. Vrsom 35V.	General Electric Solid State
346	2N682	25A gesteuerte Siliziumgleichrichter. Vrsom 75V.	General Electric Solid State
347	2N683	25A gesteuerte Siliziumgleichrichter. Vrsom 150V.	General Electric Solid State
348	2N684	25A gesteuerte Siliziumgleichrichter. Vrsom 225V.	General Electric Solid State
349	2N685	25A gesteuerte Siliziumgleichrichter. Vrsom 300V.	General Electric Solid State
350	2N686	25A gesteuerte Siliziumgleichrichter. Vrsom 350V.	General Electric Solid State

Seite: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 |

© 2023    www.datasheetcatalog.net/de/generalelectricsolidstate/1/