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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
751MPS-L01Transistores Del SilicioGeneral Electric Solid State
752MPS2222Planar epitaxial transistor de silicio pasivado NPN. 30V, 400mA.General Electric Solid State
753MPS2222APlanar epitaxial transistor de silicio pasivado NPN. 40V, 400mA.General Electric Solid State
754MPS2906Planar epitaxial transistor de silicio pasivado PNP. -40V, -350mA.General Electric Solid State
755MPS2906APlanar epitaxial transistor de silicio pasivado PNP. -40V, -350mA.General Electric Solid State
756MPS2907Planar epitaxial transistor de silicio pasivado PNP. -40V, -350mA.General Electric Solid State
757MPS2907APlanar epitaxial transistor de silicio pasivado PNP. -40V, -350mA.General Electric Solid State
758MPS3638Planar epitaxial transistor de silicio pasivado PNP. -25V, -350mA.General Electric Solid State
759MPS3638APlanar epitaxial transistor de silicio pasivado PNP. -25V, -350mA.General Electric Solid State
760MPS5172NPN transistor de silicio. 25V, 100mA.General Electric Solid State
761MPS6531Planar epitaxial transistor de silicio pasivado NPN. 40V, 600mA.General Electric Solid State
762MPS6532Planar epitaxial transistor de silicio pasivado NPN. 30V, 600mA.General Electric Solid State
763MPS6534Planar epitaxial transistor de silicio pasivado PNP. -40V, -600mA.General Electric Solid State
764OP-07Amplificador Operacional Ultra Bajo Compensado Del VoltajeGeneral Electric Solid State
765PCF35N08Viruta De Transister Del Efecto Del Campo De la Energía Del Modo Del Realce Del Canal De NGeneral Electric Solid State
766PN2222Planar epitaxial transistor de silicio pasivado NPN. 30V, 400mA.General Electric Solid State
767PN2222APlanar epitaxial transistor de silicio pasivado NPN. 40V, 400mA.General Electric Solid State
768PN5172NPN transistor de silicio. 25V, 100mA.General Electric Solid State
769RCA10008A silicio NPN Darlington transistor de potencia.General Electric Solid State
770RCA10018A silicio NPN Darlington transistor de potencia.General Electric Solid State
771RCA1804Transistor de silicio para aplicaciones de audio-amplificador. 225V, 150W.General Electric Solid State
772RCA1805Transistor de silicio para aplicaciones de audio-amplificador. 275V, 150W.General Electric Solid State
773RCA3054Transistor de silicio NPN VERSAWATT. 90V, 36W.General Electric Solid State
774RCA3055Transistor de silicio NPN VERSAWATT. 100V, 75W.General Electric Solid State
775RCA3773Epitaxial del silicio NPN-base del transistor de alta potencia. 160V, 150W.General Electric Solid State
776RCA634025A silicio NPN transistor de potencia.General Electric Solid State
777RCA634125A silicio NPN transistor de potencia.General Electric Solid State



778RCA8638CEpitaxial del silicio NPN-base del transistor de alta potencia. 140V, 200W.General Electric Solid State
779RCA8638DEpitaxial del silicio NPN-base del transistor de alta potencia. 120V, 200W.General Electric Solid State
780RCA8638EEpitaxial del silicio NPN-base del transistor de alta potencia. 100V, 200W.General Electric Solid State
781RCA876610A NPN darlington transistor de potencia monolítico. 350V, 150W.General Electric Solid State
782RCA8766A10A NPN darlington transistor de potencia monolítico. 350V, 150W.General Electric Solid State
783RCA8766B10A NPN darlington transistor de potencia monolítico. 400V, 150W.General Electric Solid State
784RCA8766C10A NPN darlington transistor de potencia monolítico. 400V, 150W.General Electric Solid State
785RCA8766D10A NPN darlington transistor de potencia monolítico. 450V, 150W.General Electric Solid State
786RCA8766E10A NPN darlington transistor de potencia monolítico. 450V, 150W.General Electric Solid State
787RCA9116CSilicio PNP epitaxial-base del transistor de alta potencia. -140V, 200W.General Electric Solid State
788RCA9116DSilicio PNP epitaxial-base del transistor de alta potencia. -120V, 200W.General Electric Solid State
789RCA9116ESilicio PNP epitaxial-base del transistor de alta potencia. -100V, 200W.General Electric Solid State
790RCA9166AEpitaxial del silicio NPN-base del transistor de alta potencia.General Electric Solid State
791RCA9166BEpitaxial del silicio NPN-base del transistor de alta potencia.General Electric Solid State
792RCA9202A4A NPN Darlington transistor de potencia. 300V, 65W.General Electric Solid State
793RCA9202B4A NPN Darlington transistor de potencia. 350V, 65W.General Electric Solid State
794RCA9202C4A NPN Darlington transistor de potencia. 400V, 65W.General Electric Solid State
795RCA9203A4A NPN Darlington transistor de potencia. 250V, 50W.General Electric Solid State
796RCA9203B4A NPN Darlington transistor de potencia. 300V, 50W.General Electric Solid State
797RCA9228A50A alta transistor actual potencia de media tensión Darlington NPN de silicio. 60V, 300W.General Electric Solid State
798RCA9228B50A alta transistor actual potencia de media tensión Darlington NPN de silicio. 80V, 300W.General Electric Solid State
799RCA9228C50A alta transistor actual potencia de media tensión Darlington NPN de silicio. 100V, 300W.General Electric Solid State
800RCA9228D50A alta transistor actual potencia de media tensión Darlington NPN de silicio. 120V, 300W.General Electric Solid State

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