Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
151 | 2SC5620 | Для низкой частотности усильте тип Sillcon
Npn применения эпитаксиальный (миниый тип) | Isahaya Electronics Corporation |
152 | 2SC5621 | ДЛЯ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN
ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
153 | 2SC5621 | ДЛЯ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN
ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
154 | 2SC5625 | ДИОДА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ КРЕМНИЯ НАПРЯЖЕНИЕ ТОКА
ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ПЛОСКОСТНОГО ОБРАТНОЕ: 20V ПРЕПРОВОЖДАЮТ
ТЕЧЕНИЕ: 100mA | Isahaya Electronics Corporation |
155 | 2SC5625 | ДИОДА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ КРЕМНИЯ НАПРЯЖЕНИЕ ТОКА
ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ПЛОСКОСТНОГО ОБРАТНОЕ: 20V ПРЕПРОВОЖДАЮТ
ТЕЧЕНИЕ: 100mA | Isahaya Electronics Corporation |
156 | 2SC5626 | 2SC5626 | Isahaya Electronics Corporation |
157 | 2SC5626 | 2SC5626 | Isahaya Electronics Corporation |
158 | 2SC5636 | ДЛЯ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN
ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
159 | 2SC5636 | ДЛЯ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN
ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
160 | 2SC5804 | ТРАНЗИСТОР SMALL-SIGNAL | Isahaya Electronics Corporation |
161 | 2SC5804 | ТРАНЗИСТОР SMALL-SIGNAL | Isahaya Electronics Corporation |
162 | 2SC5807 | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
TYPE(PCT) | Isahaya Electronics Corporation |
163 | 2SC5807 | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
TYPE(PCT) | Isahaya Electronics Corporation |
164 | 2SC5814 | Для Низкой частотности Усильте Тип Кремния NPN
Применения Эпитаксиальный | Isahaya Electronics Corporation |
165 | 2SC5814 | Для Низкой частотности Усильте Тип Кремния NPN
Применения Эпитаксиальный | Isahaya Electronics Corporation |
166 | 2SC5815 | Для Низкой частотности Усильте Тип Кремния NPN
Применения Эпитаксиальный | Isahaya Electronics Corporation |
167 | 2SC5815 | Для Низкой частотности Усильте Тип Кремния NPN
Применения Эпитаксиальный | Isahaya Electronics Corporation |
168 | 2SC5816 | Для Низкой частотности Усильте Тип Кремния NPN
Применения Эпитаксиальный | Isahaya Electronics Corporation |
169 | 2SC5816 | Для Низкой частотности Усильте Тип Кремния NPN
Применения Эпитаксиальный | Isahaya Electronics Corporation |
170 | 2SC5817 | Для Низкой частотности Усильте Тип Кремния NPN
Применения Эпитаксиальный | Isahaya Electronics Corporation |
171 | 2SC5817 | Для Низкой частотности Усильте Тип Кремния NPN
Применения Эпитаксиальный | Isahaya Electronics Corporation |
172 | 2SC5882 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | Isahaya Electronics Corporation |
173 | 2SC5882 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | Isahaya Electronics Corporation |
174 | 2SC5938 | ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN
ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
175 | 2SC5938 | ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN
ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
176 | 2SC5938A | ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN
ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
177 | 2SC5938A | ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN
ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
178 | 2SC5938A | ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN
ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
179 | 2SC5938A | ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN
ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
180 | 2SC5938B | ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN
ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
181 | 2SC5938B | ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN
ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
182 | 2SC5938B | ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN
ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
183 | 2SC5938B | ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN
ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
184 | 2SC6046 | 200mW SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 40В VCEO, 600мА Ic, от 100 до 300 HFE. | Isahaya Electronics Corporation |
185 | 2SD1447 | 900 МВт Ведущий кадров NPN-транзистор, максимальная оценка: 25В VCEO, 1А Ic, от 55 до 300 HFE. Дополнительные 2SB1035 | Isahaya Electronics Corporation |
186 | 2SD1972 | 2W Ведущий кадров NPN-транзистор, максимальная оценка: 60В VCEO, 3А Ic, от 250 до 800 HFE. | Isahaya Electronics Corporation |
187 | 2SJ125 | 150mW SMD J-FET (полевой транзистор), максимальная оценка: 50В Vgdo, -10mA Ig, от -1 до -12 мА Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
188 | 2SJ145 | ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП СОЕДИНЕНИЯ
КАНАЛА П ПРИМЕНЕНИЯ | Isahaya Electronics Corporation |
189 | 2SJ145 | ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП СОЕДИНЕНИЯ
КАНАЛА П ПРИМЕНЕНИЯ | Isahaya Electronics Corporation |
190 | 2SJ498 | 450 МВт Ведущий Рамка J-FET (полевой транзистор), максимальная оценка: 50В Vgdo, -10mA Ig, -0,6 до -12 мА Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
191 | 2SK2880 | 450 МВт Ведущий Рамка J-FET (полевой транзистор), максимальная оценка: -50 В Vgdo, 10 мА Ig, от 0,3 до 12 мА Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
192 | 2SK2881 | Для низкой частотности усильте тип Micro(Frame
типа соединения канала н применения) | Isahaya Electronics Corporation |
193 | 2SK2881 | Для низкой частотности усильте тип Micro(Frame
типа соединения канала н применения) | Isahaya Electronics Corporation |
194 | 2SK433 | 150mW SMD J-FET (полевой транзистор), максимальная оценка: -50 В Vgdo, 10 мА Ig, 0.6to 12 мА Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
195 | 2SK492 | 150mW SMD J-FET (полевой транзистор), максимальная оценка: -50 В Vgdo, 10 мА Ig, с 1 по 12 мА Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
196 | 2SK930 | ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП СОЕДИНЕНИЯ
КАНАЛА Н ПРИМЕНЕНИЯ | Isahaya Electronics Corporation |
197 | 2SK930 | ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП СОЕДИНЕНИЯ
КАНАЛА Н ПРИМЕНЕНИЯ | Isahaya Electronics Corporation |
198 | M57140-01 | IPM питания гибридного IC. Изолированные DC-на-DC преобразователь. | Isahaya Electronics Corporation |
199 | M57147AU-01 | IPM питания гибридного IC. Изолированные DC-DC преобразователь. | Isahaya Electronics Corporation |
200 | M57159L-01 | Серия IGBT MODULE(L) | Isahaya Electronics Corporation |
| | | |