|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 284 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1512SC5620Для низкой частотности усильте тип Sillcon Npn применения эпитаксиальный (миниый тип)Isahaya Electronics Corporation
1522SC5621ДЛЯ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1532SC5621ДЛЯ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1542SC5625ДИОДА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ КРЕМНИЯ НАПРЯЖЕНИЕ ТОКА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ПЛОСКОСТНОГО ОБРАТНОЕ: 20V ПРЕПРОВОЖДАЮТ ТЕЧЕНИЕ: 100mAIsahaya Electronics Corporation
1552SC5625ДИОДА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ КРЕМНИЯ НАПРЯЖЕНИЕ ТОКА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ПЛОСКОСТНОГО ОБРАТНОЕ: 20V ПРЕПРОВОЖДАЮТ ТЕЧЕНИЕ: 100mAIsahaya Electronics Corporation
1562SC56262SC5626Isahaya Electronics Corporation
1572SC56262SC5626Isahaya Electronics Corporation
1582SC5636ДЛЯ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1592SC5636ДЛЯ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1602SC5804ТРАНЗИСТОР SMALL-SIGNALIsahaya Electronics Corporation
1612SC5804ТРАНЗИСТОР SMALL-SIGNALIsahaya Electronics Corporation
1622SC5807ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ TYPE(PCT)Isahaya Electronics Corporation
1632SC5807ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ TYPE(PCT)Isahaya Electronics Corporation
1642SC5814Для Низкой частотности Усильте Тип Кремния NPN Применения ЭпитаксиальныйIsahaya Electronics Corporation
1652SC5814Для Низкой частотности Усильте Тип Кремния NPN Применения ЭпитаксиальныйIsahaya Electronics Corporation
1662SC5815Для Низкой частотности Усильте Тип Кремния NPN Применения ЭпитаксиальныйIsahaya Electronics Corporation
1672SC5815Для Низкой частотности Усильте Тип Кремния NPN Применения ЭпитаксиальныйIsahaya Electronics Corporation
1682SC5816Для Низкой частотности Усильте Тип Кремния NPN Применения ЭпитаксиальныйIsahaya Electronics Corporation
1692SC5816Для Низкой частотности Усильте Тип Кремния NPN Применения ЭпитаксиальныйIsahaya Electronics Corporation
1702SC5817Для Низкой частотности Усильте Тип Кремния NPN Применения ЭпитаксиальныйIsahaya Electronics Corporation
1712SC5817Для Низкой частотности Усильте Тип Кремния NPN Применения ЭпитаксиальныйIsahaya Electronics Corporation
1722SC5882ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС PCT)Isahaya Electronics Corporation
1732SC5882ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС PCT)Isahaya Electronics Corporation
1742SC5938ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1752SC5938ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1762SC5938AДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation



1772SC5938AДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1782SC5938AДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1792SC5938AДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1802SC5938BДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1812SC5938BДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1822SC5938BДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1832SC5938BДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1842SC6046200mW SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 40В VCEO, 600мА Ic, от 100 до 300 HFE.Isahaya Electronics Corporation
1852SD1447900 МВт Ведущий кадров NPN-транзистор, максимальная оценка: 25В VCEO, 1А Ic, от 55 до 300 HFE. Дополнительные 2SB1035Isahaya Electronics Corporation
1862SD19722W Ведущий кадров NPN-транзистор, максимальная оценка: 60В VCEO, 3А Ic, от 250 до 800 HFE.Isahaya Electronics Corporation
1872SJ125150mW SMD J-FET (полевой транзистор), максимальная оценка: 50В Vgdo, -10mA Ig, от -1 до -12 мА Idss.Isahaya Electronics Corporation
1882SJ145ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП СОЕДИНЕНИЯ КАНАЛА П ПРИМЕНЕНИЯIsahaya Electronics Corporation
1892SJ145ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП СОЕДИНЕНИЯ КАНАЛА П ПРИМЕНЕНИЯIsahaya Electronics Corporation
1902SJ498450 МВт Ведущий Рамка J-FET (полевой транзистор), максимальная оценка: 50В Vgdo, -10mA Ig, -0,6 до -12 мА Idss.Isahaya Electronics Corporation
1912SK2880450 МВт Ведущий Рамка J-FET (полевой транзистор), максимальная оценка: -50 В Vgdo, 10 мА Ig, от 0,3 до 12 мА Idss.Isahaya Electronics Corporation
1922SK2881Для низкой частотности усильте тип Micro(Frame типа соединения канала н применения)Isahaya Electronics Corporation
1932SK2881Для низкой частотности усильте тип Micro(Frame типа соединения канала н применения)Isahaya Electronics Corporation
1942SK433150mW SMD J-FET (полевой транзистор), максимальная оценка: -50 В Vgdo, 10 мА Ig, 0.6to 12 мА Idss.Isahaya Electronics Corporation
1952SK492150mW SMD J-FET (полевой транзистор), максимальная оценка: -50 В Vgdo, 10 мА Ig, с 1 по 12 мА Idss.Isahaya Electronics Corporation
1962SK930ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП СОЕДИНЕНИЯ КАНАЛА Н ПРИМЕНЕНИЯIsahaya Electronics Corporation
1972SK930ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП СОЕДИНЕНИЯ КАНАЛА Н ПРИМЕНЕНИЯIsahaya Electronics Corporation
198M57140-01IPM питания гибридного IC. Изолированные DC-на-DC преобразователь.Isahaya Electronics Corporation
199M57147AU-01IPM питания гибридного IC. Изолированные DC-DC преобразователь.Isahaya Electronics Corporation
200M57159L-01Серия IGBT MODULE(L)Isahaya Electronics Corporation

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/isahayaelectronicscorporation/1/