|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 284 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1012SC3928Для низкой частотности усильте тип Sillcon Npn применения эпитаксиальный (миниый тип)Isahaya Electronics Corporation
1022SC3928Для низкой частотности усильте тип Sillcon Npn применения эпитаксиальный (миниый тип)Isahaya Electronics Corporation
1032SC3928A200mW SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 50В VCEO, 200 мА Ic, от 120 до 820 HFE. Улучшение на 2SC3928Isahaya Electronics Corporation
1042SC4154150mW SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 50В VCEO, 200 мА Ic, от 150 до 800 HFE.Isahaya Electronics Corporation
1052SC4155ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1062SC4155ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1072SC4155ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1082SC4155ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1092SC4155A150mW SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 50В VCEO, 200 мА Ic, от 120 до 820 HFE. Улучшение на 2SC4155Isahaya Electronics Corporation
1102SC4258ДЛЯ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ, СРЕДСТВ ЧАСТОТА УСИЛИВАЕТ ПРИМЕНЕНИЕIsahaya Electronics Corporation
1112SC4258ДЛЯ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ, СРЕДСТВ ЧАСТОТА УСИЛИВАЕТ ПРИМЕНЕНИЕIsahaya Electronics Corporation
1122SC4356ДЛЯ ВЫСОКО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
1132SC4356ДЛЯ ВЫСОКО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
1142SC4357500 мВт SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 60В VCEO, 2А Ic, от 55 до 300 HFE.Isahaya Electronics Corporation
1152SC5168КРЕМНИЙ NPN УДВАИВАЕТ ТРАНЗИСТОРIsahaya Electronics Corporation
1162SC5168КРЕМНИЙ NPN УДВАИВАЕТ ТРАНЗИСТОРIsahaya Electronics Corporation
1172SC5169ДВОЙНОЙ ТРАНЗИСТОРIsahaya Electronics Corporation
1182SC5169ДВОЙНОЙ ТРАНЗИСТОРIsahaya Electronics Corporation
1192SC5209ДЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ ПРИВОДА РЕЛЕЕГО ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
1202SC5209ДЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ ПРИВОДА РЕЛЕЕГО ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
1212SC5210500 мВт SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 250 VCEO, 100мА Ic, от 55 до 230 HFE.Isahaya Electronics Corporation
1222SC5211КРЕМНИЙ NPN TRANSISORIsahaya Electronics Corporation
1232SC5211КРЕМНИЙ NPN TRANSISORIsahaya Electronics Corporation
1242SC5212ДЛЯ ВЫСОКО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТИПА КРЕМНИЯ NP ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
1252SC5212ДЛЯ ВЫСОКО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТИПА КРЕМНИЯ NP ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ЭПИТАКСИАЛЬНОГОIsahaya Electronics Corporation
1262SC52132SC5213Isahaya Electronics Corporation



1272SC52132SC5213Isahaya Electronics Corporation
1282SC5214Для Низкой частотности Усильте Тип Npn Кремния Применения ЭпитаксиальныйIsahaya Electronics Corporation
1292SC5214Для Низкой частотности Усильте Тип Npn Кремния Применения ЭпитаксиальныйIsahaya Electronics Corporation
1302SC5383125 МВт SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 50В VCEO, 200 мА Ic, от 150 до 800 HFE.Isahaya Electronics Corporation
1312SC5384125 МВт SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 25В VCEO, 30мА Ic, от 35 до 180 HFE.Isahaya Electronics Corporation
1322SC5395ТРАНЗИСТОР ТИПА КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1332SC5395ТРАНЗИСТОР ТИПА КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1342SC5396ТРАНЗИСТОР ТИПА КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1352SC5396ТРАНЗИСТОР ТИПА КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙIsahaya Electronics Corporation
1362SC5397Ое type(Video кремния NPN эпитаксиальное плоскостное)Isahaya Electronics Corporation
1372SC5397Ое type(Video кремния NPN эпитаксиальное плоскостное)Isahaya Electronics Corporation
1382SC5398Для типа Micro(Frame типа Silicom NPN применения Amplifty частоты Llow эпитаксиального)Isahaya Electronics Corporation
1392SC5398Для типа Micro(Frame типа Silicom NPN применения Amplifty частоты Llow эпитаксиального)Isahaya Electronics Corporation
1402SC5477150mW SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 20V VCEO, 50мА Ic, от 50 до (тип) 148 HFE. Высокая частота усиленияIsahaya Electronics Corporation
1412SC5482ДЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN APPRICATION ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ МИКРО-Isahaya Electronics Corporation
1422SC5482ДЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN APPRICATION ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ МИКРО-Isahaya Electronics Corporation
1432SC5484ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPNIsahaya Electronics Corporation
1442SC5484ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPNIsahaya Electronics Corporation
1452SC5485ДЛЯ ВЫСОКОГО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО МИКРО-Isahaya Electronics Corporation
1462SC5485ДЛЯ ВЫСОКОГО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО МИКРО-Isahaya Electronics Corporation
1472SC5486600 мВт Ведущий кадров NPN-транзистор, максимальная оценка: 10В VCEO, 5А Ic, от 230 до 600 HFE.Isahaya Electronics Corporation
1482SC56192SC5619Isahaya Electronics Corporation
1492SC56192SC5619Isahaya Electronics Corporation
1502SC5620Для низкой частотности усильте тип Sillcon Npn применения эпитаксиальный (миниый тип)Isahaya Electronics Corporation

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/isahayaelectronicscorporation/1/