Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
101 | 2SC3928 | Для низкой частотности усильте тип Sillcon
Npn применения эпитаксиальный (миниый тип) | Isahaya Electronics Corporation |
102 | 2SC3928 | Для низкой частотности усильте тип Sillcon
Npn применения эпитаксиальный (миниый тип) | Isahaya Electronics Corporation |
103 | 2SC3928A | 200mW SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 50В VCEO, 200 мА Ic, от 120 до 820 HFE. Улучшение на 2SC3928 | Isahaya Electronics Corporation |
104 | 2SC4154 | 150mW SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 50В VCEO, 200 мА Ic, от 150 до 800 HFE. | Isahaya Electronics Corporation |
105 | 2SC4155 | ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN
ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
106 | 2SC4155 | ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN
ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
107 | 2SC4155 | ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN
ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
108 | 2SC4155 | ДЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ NPN
ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
109 | 2SC4155A | 150mW SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 50В VCEO, 200 мА Ic, от 120 до 820 HFE. Улучшение на 2SC4155 | Isahaya Electronics Corporation |
110 | 2SC4258 | ДЛЯ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ, СРЕДСТВ ЧАСТОТА УСИЛИВАЕТ
ПРИМЕНЕНИЕ | Isahaya Electronics Corporation |
111 | 2SC4258 | ДЛЯ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ, СРЕДСТВ ЧАСТОТА УСИЛИВАЕТ
ПРИМЕНЕНИЕ | Isahaya Electronics Corporation |
112 | 2SC4356 | ДЛЯ ВЫСОКО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN
ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО | Isahaya Electronics Corporation |
113 | 2SC4356 | ДЛЯ ВЫСОКО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN
ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО | Isahaya Electronics Corporation |
114 | 2SC4357 | 500 мВт SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 60В VCEO, 2А Ic, от 55 до 300 HFE. | Isahaya Electronics Corporation |
115 | 2SC5168 | КРЕМНИЙ NPN УДВАИВАЕТ ТРАНЗИСТОР | Isahaya Electronics Corporation |
116 | 2SC5168 | КРЕМНИЙ NPN УДВАИВАЕТ ТРАНЗИСТОР | Isahaya Electronics Corporation |
117 | 2SC5169 | ДВОЙНОЙ ТРАНЗИСТОР | Isahaya Electronics Corporation |
118 | 2SC5169 | ДВОЙНОЙ ТРАНЗИСТОР | Isahaya Electronics Corporation |
119 | 2SC5209 | ДЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ИСТОЧНИКА
ПИТАНИЯ ПРИВОДА РЕЛЕЕГО ЭПИТАКСИАЛЬНОГО | Isahaya Electronics Corporation |
120 | 2SC5209 | ДЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ПРИМЕНЕНИЯ ИСТОЧНИКА
ПИТАНИЯ ПРИВОДА РЕЛЕЕГО ЭПИТАКСИАЛЬНОГО | Isahaya Electronics Corporation |
121 | 2SC5210 | 500 мВт SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 250 VCEO, 100мА Ic, от 55 до 230 HFE. | Isahaya Electronics Corporation |
122 | 2SC5211 | КРЕМНИЙ NPN TRANSISOR | Isahaya Electronics Corporation |
123 | 2SC5211 | КРЕМНИЙ NPN TRANSISOR | Isahaya Electronics Corporation |
124 | 2SC5212 | ДЛЯ ВЫСОКО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТИПА КРЕМНИЯ NP
ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО | Isahaya Electronics Corporation |
125 | 2SC5212 | ДЛЯ ВЫСОКО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТИПА КРЕМНИЯ NP
ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО | Isahaya Electronics Corporation |
126 | 2SC5213 | 2SC5213 | Isahaya Electronics Corporation |
127 | 2SC5213 | 2SC5213 | Isahaya Electronics Corporation |
128 | 2SC5214 | Для Низкой частотности Усильте Тип Npn Кремния
Применения Эпитаксиальный | Isahaya Electronics Corporation |
129 | 2SC5214 | Для Низкой частотности Усильте Тип Npn Кремния
Применения Эпитаксиальный | Isahaya Electronics Corporation |
130 | 2SC5383 | 125 МВт SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 50В VCEO, 200 мА Ic, от 150 до 800 HFE. | Isahaya Electronics Corporation |
131 | 2SC5384 | 125 МВт SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 25В VCEO, 30мА Ic, от 35 до 180 HFE. | Isahaya Electronics Corporation |
132 | 2SC5395 | ТРАНЗИСТОР ТИПА КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
133 | 2SC5395 | ТРАНЗИСТОР ТИПА КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
134 | 2SC5396 | ТРАНЗИСТОР ТИПА КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
135 | 2SC5396 | ТРАНЗИСТОР ТИПА КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
136 | 2SC5397 | Ое type(Video кремния NPN эпитаксиальное
плоскостное) | Isahaya Electronics Corporation |
137 | 2SC5397 | Ое type(Video кремния NPN эпитаксиальное
плоскостное) | Isahaya Electronics Corporation |
138 | 2SC5398 | Для типа Micro(Frame типа Silicom NPN
применения Amplifty частоты Llow эпитаксиального) | Isahaya Electronics Corporation |
139 | 2SC5398 | Для типа Micro(Frame типа Silicom NPN
применения Amplifty частоты Llow эпитаксиального) | Isahaya Electronics Corporation |
140 | 2SC5477 | 150mW SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 20V VCEO, 50мА Ic, от 50 до (тип) 148 HFE. Высокая частота усиления | Isahaya Electronics Corporation |
141 | 2SC5482 | ДЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ
NPN APPRICATION ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ МИКРО- | Isahaya Electronics Corporation |
142 | 2SC5482 | ДЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ УСИЛЬТЕ ТИП КРЕМНИЯ
NPN APPRICATION ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ МИКРО- | Isahaya Electronics Corporation |
143 | 2SC5484 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN | Isahaya Electronics Corporation |
144 | 2SC5484 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN | Isahaya Electronics Corporation |
145 | 2SC5485 | ДЛЯ ВЫСОКОГО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТИПА КРЕМНИЯ
NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО МИКРО- | Isahaya Electronics Corporation |
146 | 2SC5485 | ДЛЯ ВЫСОКОГО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТИПА КРЕМНИЯ
NPN ПРИМЕНЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО МИКРО- | Isahaya Electronics Corporation |
147 | 2SC5486 | 600 мВт Ведущий кадров NPN-транзистор, максимальная оценка: 10В VCEO, 5А Ic, от 230 до 600 HFE. | Isahaya Electronics Corporation |
148 | 2SC5619 | 2SC5619 | Isahaya Electronics Corporation |
149 | 2SC5619 | 2SC5619 | Isahaya Electronics Corporation |
150 | 2SC5620 | Для низкой частотности усильте тип Sillcon
Npn применения эпитаксиальный (миниый тип) | Isahaya Electronics Corporation |
| | | |