Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
101 | 2SC3928 | Para a freqüência baixa amplifique o tipo epitaxial de Sillcon Npn da aplicação (tipo mini) | Isahaya Electronics Corporation |
102 | 2SC3928 | Para a freqüência baixa amplifique o tipo epitaxial de Sillcon Npn da aplicação (tipo mini) | Isahaya Electronics Corporation |
103 | 2SC3928A | 200mW SMD NPN transistor, classificação máxima: 50V VCEO, 200mA Ic, 120-820 hFE. Melhorar 2SC3928 | Isahaya Electronics Corporation |
104 | 2SC4154 | 150mW SMD NPN transistor, classificação máxima: 50V VCEO, 200mA Ic, 150-800 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
105 | 2SC4155 | PARA A FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃO | Isahaya Electronics Corporation |
106 | 2SC4155 | PARA A FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃO | Isahaya Electronics Corporation |
107 | 2SC4155 | PARA A FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃO | Isahaya Electronics Corporation |
108 | 2SC4155 | PARA A FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃO | Isahaya Electronics Corporation |
109 | 2SC4155A | 150mW SMD NPN transistor, classificação máxima: 50V VCEO, 200mA Ic, 120-820 hFE. Melhorar 2SC4155 | Isahaya Electronics Corporation |
110 | 2SC4258 | PARA A ALTA FREQÜÊNCIA, A FREQÜÊNCIA MÉDIA AMPLIFICA A APLICAÇÃO | Isahaya Electronics Corporation |
111 | 2SC4258 | PARA A ALTA FREQÜÊNCIA, A FREQÜÊNCIA MÉDIA AMPLIFICA A APLICAÇÃO | Isahaya Electronics Corporation |
112 | 2SC4356 | PARA O TIPO EPITAXIAL ALTAMENTE ATUAL DO SILICONE NPN DAAPLICAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO | Isahaya Electronics Corporation |
113 | 2SC4356 | PARA O TIPO EPITAXIAL ALTAMENTE ATUAL DO SILICONE NPN DAAPLICAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO | Isahaya Electronics Corporation |
114 | 2SC4357 | 500mW SMD NPN transistor, classificação máxima: 60V VCEO, 2A Ic, 55-300 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
115 | 2SC5168 | O SILICONE NPN DUAL TRANSISTOR | Isahaya Electronics Corporation |
116 | 2SC5168 | O SILICONE NPN DUAL TRANSISTOR | Isahaya Electronics Corporation |
117 | 2SC5169 | TRANSISTOR DUPLO | Isahaya Electronics Corporation |
118 | 2SC5169 | TRANSISTOR DUPLO | Isahaya Electronics Corporation |
119 | 2SC5209 | PARA O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃO DAFONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO DO RELÉ | Isahaya Electronics Corporation |
120 | 2SC5209 | PARA O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃO DAFONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO DO RELÉ | Isahaya Electronics Corporation |
121 | 2SC5210 | 500mW SMD NPN transistor, classificação máxima: 250V VCEO, 100mA Ic, 55-230 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
122 | 2SC5211 | SILICONE NPN TRANSISOR | Isahaya Electronics Corporation |
123 | 2SC5211 | SILICONE NPN TRANSISOR | Isahaya Electronics Corporation |
124 | 2SC5212 | PARA O TIPO EPITAXIAL ALTAMENTE ATUAL DO SILICONE NP DAAPLICAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO | Isahaya Electronics Corporation |
125 | 2SC5212 | PARA O TIPO EPITAXIAL ALTAMENTE ATUAL DO SILICONE NP DAAPLICAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO | Isahaya Electronics Corporation |
126 | 2SC5213 | 2SC5213 | Isahaya Electronics Corporation |
127 | 2SC5213 | 2SC5213 | Isahaya Electronics Corporation |
128 | 2SC5214 | Para A Freqüência Baixa Amplifique O Tipo Epitaxial De Npn Do Silicone Da Aplicação | Isahaya Electronics Corporation |
129 | 2SC5214 | Para A Freqüência Baixa Amplifique O Tipo Epitaxial De Npn Do Silicone Da Aplicação | Isahaya Electronics Corporation |
130 | 2SC5383 | 125mW SMD NPN transistor, classificação máxima: 50V VCEO, 200mA Ic, 150-800 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
131 | 2SC5384 | 125mW SMD NPN transistor, classificação máxima: 25V VCEO, 30mA Ic, 35-180 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
132 | 2SC5395 | TIPO EPITAXIAL TRANSISTOR DO SILICONE NPN | Isahaya Electronics Corporation |
133 | 2SC5395 | TIPO EPITAXIAL TRANSISTOR DO SILICONE NPN | Isahaya Electronics Corporation |
134 | 2SC5396 | TIPO EPITAXIAL TRANSISTOR DO SILICONE NPN | Isahaya Electronics Corporation |
135 | 2SC5396 | TIPO EPITAXIAL TRANSISTOR DO SILICONE NPN | Isahaya Electronics Corporation |
136 | 2SC5397 | Tipo planar epitaxial do silicone NPN | Isahaya Electronics Corporation |
137 | 2SC5397 | Tipo planar epitaxial do silicone NPN | Isahaya Electronics Corporation |
138 | 2SC5398 | Para o tipo epitaxial tipo de Silicom NPN da aplicação de Amplifty da freqüência de Llow de Micro(Frame) | Isahaya Electronics Corporation |
139 | 2SC5398 | Para o tipo epitaxial tipo de Silicom NPN da aplicação de Amplifty da freqüência de Llow de Micro(Frame) | Isahaya Electronics Corporation |
140 | 2SC5477 | 150mW SMD NPN transistor, classificação máxima: 20V VCEO, 50mA Ic, 50 a (típico) 148 hFE. A amplificação de alta freqüência | Isahaya Electronics Corporation |
141 | 2SC5482 | PARA O PODER DA FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DE APPRICATION MICRO | Isahaya Electronics Corporation |
142 | 2SC5482 | PARA O PODER DA FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DE APPRICATION MICRO | Isahaya Electronics Corporation |
143 | 2SC5484 | TRANSISTOR DO SILICONE NPN | Isahaya Electronics Corporation |
144 | 2SC5484 | TRANSISTOR DO SILICONE NPN | Isahaya Electronics Corporation |
145 | 2SC5485 | PARA O TIPO EPITAXIAL ATUAL ELEVADO DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃO MICRO | Isahaya Electronics Corporation |
146 | 2SC5485 | PARA O TIPO EPITAXIAL ATUAL ELEVADO DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃO MICRO | Isahaya Electronics Corporation |
147 | 2SC5486 | 600mW Chumbo transistor NPN quadro, classificação máxima: 10V VCEO, 5A Ic, 230-600 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
148 | 2SC5619 | 2SC5619 | Isahaya Electronics Corporation |
149 | 2SC5619 | 2SC5619 | Isahaya Electronics Corporation |
150 | 2SC5620 | Para A Freqüência Baixa Amplifique O Tipo Epitaxial De Sillcon Npn Da Aplicação | Isahaya Electronics Corporation |
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