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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
1012SC3928Para a freqüência baixa amplifique o tipo epitaxial de Sillcon Npn da aplicação (tipo mini)Isahaya Electronics Corporation
1022SC3928Para a freqüência baixa amplifique o tipo epitaxial de Sillcon Npn da aplicação (tipo mini)Isahaya Electronics Corporation
1032SC3928A200mW SMD NPN transistor, classificação máxima: 50V VCEO, 200mA Ic, 120-820 hFE. Melhorar 2SC3928Isahaya Electronics Corporation
1042SC4154150mW SMD NPN transistor, classificação máxima: 50V VCEO, 200mA Ic, 150-800 hFE.Isahaya Electronics Corporation
1052SC4155PARA A FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃOIsahaya Electronics Corporation
1062SC4155PARA A FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃOIsahaya Electronics Corporation
1072SC4155PARA A FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃOIsahaya Electronics Corporation
1082SC4155PARA A FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃOIsahaya Electronics Corporation
1092SC4155A150mW SMD NPN transistor, classificação máxima: 50V VCEO, 200mA Ic, 120-820 hFE. Melhorar 2SC4155Isahaya Electronics Corporation
1102SC4258PARA A ALTA FREQÜÊNCIA, A FREQÜÊNCIA MÉDIA AMPLIFICA A APLICAÇÃOIsahaya Electronics Corporation
1112SC4258PARA A ALTA FREQÜÊNCIA, A FREQÜÊNCIA MÉDIA AMPLIFICA A APLICAÇÃOIsahaya Electronics Corporation
1122SC4356PARA O TIPO EPITAXIAL ALTAMENTE ATUAL DO SILICONE NPN DAAPLICAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃOIsahaya Electronics Corporation
1132SC4356PARA O TIPO EPITAXIAL ALTAMENTE ATUAL DO SILICONE NPN DAAPLICAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃOIsahaya Electronics Corporation
1142SC4357500mW SMD NPN transistor, classificação máxima: 60V VCEO, 2A Ic, 55-300 hFE.Isahaya Electronics Corporation
1152SC5168O SILICONE NPN DUAL TRANSISTORIsahaya Electronics Corporation
1162SC5168O SILICONE NPN DUAL TRANSISTORIsahaya Electronics Corporation
1172SC5169TRANSISTOR DUPLOIsahaya Electronics Corporation
1182SC5169TRANSISTOR DUPLOIsahaya Electronics Corporation
1192SC5209PARA O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃO DAFONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO DO RELÉIsahaya Electronics Corporation
1202SC5209PARA O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃO DAFONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO DO RELÉIsahaya Electronics Corporation
1212SC5210500mW SMD NPN transistor, classificação máxima: 250V VCEO, 100mA Ic, 55-230 hFE.Isahaya Electronics Corporation
1222SC5211SILICONE NPN TRANSISORIsahaya Electronics Corporation
1232SC5211SILICONE NPN TRANSISORIsahaya Electronics Corporation
1242SC5212PARA O TIPO EPITAXIAL ALTAMENTE ATUAL DO SILICONE NP DAAPLICAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃOIsahaya Electronics Corporation
1252SC5212PARA O TIPO EPITAXIAL ALTAMENTE ATUAL DO SILICONE NP DAAPLICAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃOIsahaya Electronics Corporation



1262SC52132SC5213Isahaya Electronics Corporation
1272SC52132SC5213Isahaya Electronics Corporation
1282SC5214Para A Freqüência Baixa Amplifique O Tipo Epitaxial De Npn Do Silicone Da AplicaçãoIsahaya Electronics Corporation
1292SC5214Para A Freqüência Baixa Amplifique O Tipo Epitaxial De Npn Do Silicone Da AplicaçãoIsahaya Electronics Corporation
1302SC5383125mW SMD NPN transistor, classificação máxima: 50V VCEO, 200mA Ic, 150-800 hFE.Isahaya Electronics Corporation
1312SC5384125mW SMD NPN transistor, classificação máxima: 25V VCEO, 30mA Ic, 35-180 hFE.Isahaya Electronics Corporation
1322SC5395TIPO EPITAXIAL TRANSISTOR DO SILICONE NPNIsahaya Electronics Corporation
1332SC5395TIPO EPITAXIAL TRANSISTOR DO SILICONE NPNIsahaya Electronics Corporation
1342SC5396TIPO EPITAXIAL TRANSISTOR DO SILICONE NPNIsahaya Electronics Corporation
1352SC5396TIPO EPITAXIAL TRANSISTOR DO SILICONE NPNIsahaya Electronics Corporation
1362SC5397Tipo planar epitaxial do silicone NPNIsahaya Electronics Corporation
1372SC5397Tipo planar epitaxial do silicone NPNIsahaya Electronics Corporation
1382SC5398Para o tipo epitaxial tipo de Silicom NPN da aplicação de Amplifty da freqüência de Llow de Micro(Frame)Isahaya Electronics Corporation
1392SC5398Para o tipo epitaxial tipo de Silicom NPN da aplicação de Amplifty da freqüência de Llow de Micro(Frame)Isahaya Electronics Corporation
1402SC5477150mW SMD NPN transistor, classificação máxima: 20V VCEO, 50mA Ic, 50 a (típico) 148 hFE. A amplificação de alta freqüênciaIsahaya Electronics Corporation
1412SC5482PARA O PODER DA FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DE APPRICATION MICROIsahaya Electronics Corporation
1422SC5482PARA O PODER DA FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DE APPRICATION MICROIsahaya Electronics Corporation
1432SC5484TRANSISTOR DO SILICONE NPNIsahaya Electronics Corporation
1442SC5484TRANSISTOR DO SILICONE NPNIsahaya Electronics Corporation
1452SC5485PARA O TIPO EPITAXIAL ATUAL ELEVADO DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃO MICROIsahaya Electronics Corporation
1462SC5485PARA O TIPO EPITAXIAL ATUAL ELEVADO DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃO MICROIsahaya Electronics Corporation
1472SC5486600mW Chumbo transistor NPN quadro, classificação máxima: 10V VCEO, 5A Ic, 230-600 hFE.Isahaya Electronics Corporation
1482SC56192SC5619Isahaya Electronics Corporation
1492SC56192SC5619Isahaya Electronics Corporation
1502SC5620Para A Freqüência Baixa Amplifique O Tipo Epitaxial De Sillcon Npn Da AplicaçãoIsahaya Electronics Corporation

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