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Hojas de datos encontradas :: 284

Nr.	Nombre de la parte	Descripción	Fabricante
101	2SC3928	Para la frecuencia baja amplifique el tipo epitaxial deSillcon Npn del uso (mini tipo)	Isahaya Electronics Corporation
102	2SC3928	Para la frecuencia baja amplifique el tipo epitaxial deSillcon Npn del uso (mini tipo)	Isahaya Electronics Corporation
103	2SC3928A	Transistor NPN 200mW SMD, calificación máxima: 50V VCEO, 200mA Ic, 120-820 hFE. Mejorar en 2SC3928	Isahaya Electronics Corporation
104	2SC4154	Transistor NPN 150mW SMD, calificación máxima: 50V VCEO, 200mA Ic, 150 a 800 hFE.	Isahaya Electronics Corporation
105	2SC4155	PARA LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO	Isahaya Electronics Corporation
106	2SC4155	PARA LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO	Isahaya Electronics Corporation
107	2SC4155	PARA LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO	Isahaya Electronics Corporation
108	2SC4155	PARA LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO	Isahaya Electronics Corporation
109	2SC4155A	Transistor NPN 150mW SMD, calificación máxima: 50V VCEO, 200mA Ic, 120-820 hFE. Mejorar en 2SC4155	Isahaya Electronics Corporation
110	2SC4258	PARA EL DE ALTA FRECUENCIA, LA FRECUENCIA MEDIA AMPLIFICA EL USO	Isahaya Electronics Corporation
111	2SC4258	PARA EL DE ALTA FRECUENCIA, LA FRECUENCIA MEDIA AMPLIFICA EL USO	Isahaya Electronics Corporation
112	2SC4356	PARA EL TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO NPN DEL USO DE LA IMPULSIÓN	Isahaya Electronics Corporation
113	2SC4356	PARA EL TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO NPN DEL USO DE LA IMPULSIÓN	Isahaya Electronics Corporation
114	2SC4357	Transistor NPN 500mW SMD, calificación máxima: 60V VCEO, 2A Ic, 55-300 hFE.	Isahaya Electronics Corporation
115	2SC5168	EL SILICIO NPN SE DOBLA TRANSISTOR	Isahaya Electronics Corporation
116	2SC5168	EL SILICIO NPN SE DOBLA TRANSISTOR	Isahaya Electronics Corporation
117	2SC5169	TRANSISTOR DUAL	Isahaya Electronics Corporation
118	2SC5169	TRANSISTOR DUAL	Isahaya Electronics Corporation
119	2SC5209	PARA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DE LA IMPULSIÓN DEL RELAIS	Isahaya Electronics Corporation
120	2SC5209	PARA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DE LA IMPULSIÓN DEL RELAIS	Isahaya Electronics Corporation
121	2SC5210	Transistor NPN 500mW SMD, calificación máxima: 250V VCEO, 100mA Ic, 55-230 hFE.	Isahaya Electronics Corporation
122	2SC5211	SILICIO NPN TRANSISOR	Isahaya Electronics Corporation
123	2SC5211	SILICIO NPN TRANSISOR	Isahaya Electronics Corporation
124	2SC5212	PARA EL TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO NP DELUSO DE LA IMPULSIÓN	Isahaya Electronics Corporation
125	2SC5212	PARA EL TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO NP DELUSO DE LA IMPULSIÓN	Isahaya Electronics Corporation

126	2SC5213	2SC5213	Isahaya Electronics Corporation
127	2SC5213	2SC5213	Isahaya Electronics Corporation
128	2SC5214	Para La Frecuencia Baja Amplifique El Tipo Epitaxial DeNpn Del Silicio Del Uso	Isahaya Electronics Corporation
129	2SC5214	Para La Frecuencia Baja Amplifique El Tipo Epitaxial DeNpn Del Silicio Del Uso	Isahaya Electronics Corporation
130	2SC5383	Transistor NPN 125mW SMD, calificación máxima: 50V VCEO, 200mA Ic, 150 a 800 hFE.	Isahaya Electronics Corporation
131	2SC5384	Transistor NPN 125mW SMD, calificación máxima: 25V VCEO, 30mA Ic, 35-180 hFE.	Isahaya Electronics Corporation
132	2SC5395	TRANSISTOR EPITAXIAL DEL TIPO DEL SILICIO NPN	Isahaya Electronics Corporation
133	2SC5395	TRANSISTOR EPITAXIAL DEL TIPO DEL SILICIO NPN	Isahaya Electronics Corporation
134	2SC5396	TRANSISTOR EPITAXIAL DEL TIPO DEL SILICIO NPN	Isahaya Electronics Corporation
135	2SC5396	TRANSISTOR EPITAXIAL DEL TIPO DEL SILICIO NPN	Isahaya Electronics Corporation
136	2SC5397	Tipo planar epitaxial del silicio NPN	Isahaya Electronics Corporation
137	2SC5397	Tipo planar epitaxial del silicio NPN	Isahaya Electronics Corporation
138	2SC5398	Para el tipo epitaxial tipo de Silicom NPN del uso de Amplifty de la frecuencia de Llow de Micro(Frame)	Isahaya Electronics Corporation
139	2SC5398	Para el tipo epitaxial tipo de Silicom NPN del uso de Amplifty de la frecuencia de Llow de Micro(Frame)	Isahaya Electronics Corporation
140	2SC5477	150mW SMD transistor NPN, calificación máxima: 20V VCEO, 50mA Ic, 50 a (típico) 148 hFE. La amplificación de alta frecuencia	Isahaya Electronics Corporation
141	2SC5482	PARA LA ENERGÍA DE LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DE APPRICATION MICRO	Isahaya Electronics Corporation
142	2SC5482	PARA LA ENERGÍA DE LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DE APPRICATION MICRO	Isahaya Electronics Corporation
143	2SC5484	TRANSISTOR DEL SILICIO NPN	Isahaya Electronics Corporation
144	2SC5484	TRANSISTOR DEL SILICIO NPN	Isahaya Electronics Corporation
145	2SC5485	PARA EL ALTO TIPO EPITAXIAL ACTUAL DEL SILICIO NPN DEL USO MICRO	Isahaya Electronics Corporation
146	2SC5485	PARA EL ALTO TIPO EPITAXIAL ACTUAL DEL SILICIO NPN DEL USO MICRO	Isahaya Electronics Corporation
147	2SC5486	600mW plomo transistor NPN marco, calificación máxima: 10V VCEO, 5A Ic, 230-600 hFE.	Isahaya Electronics Corporation
148	2SC5619	2SC5619	Isahaya Electronics Corporation
149	2SC5619	2SC5619	Isahaya Electronics Corporation
150	2SC5620	Para La Frecuencia Baja Amplifique El Tipo Epitaxial DeSillcon Npn Del Uso	Isahaya Electronics Corporation

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