Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
151 | 2SC5620 | Para La Frecuencia Baja Amplifique El Tipo Epitaxial DeSillcon Npn Del Uso | Isahaya Electronics Corporation |
152 | 2SC5621 | PARA EL DE ALTA FRECUENCIA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIALDEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
153 | 2SC5621 | PARA EL DE ALTA FRECUENCIA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIALDEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
154 | 2SC5625 | SILICIO EPITAXIAL | Isahaya Electronics Corporation |
155 | 2SC5625 | SILICIO EPITAXIAL | Isahaya Electronics Corporation |
156 | 2SC5626 | 2SC5626 | Isahaya Electronics Corporation |
157 | 2SC5626 | 2SC5626 | Isahaya Electronics Corporation |
158 | 2SC5636 | PARA EL DE ALTA FRECUENCIA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIALDEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
159 | 2SC5636 | PARA EL DE ALTA FRECUENCIA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIALDEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
160 | 2SC5804 | TRANSISTOR DE SMALL-SIGNAL | Isahaya Electronics Corporation |
161 | 2SC5804 | TRANSISTOR DE SMALL-SIGNAL | Isahaya Electronics Corporation |
162 | 2SC5807 | TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN | Isahaya Electronics Corporation |
163 | 2SC5807 | TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN | Isahaya Electronics Corporation |
164 | 2SC5814 | Para La Frecuencia Baja Amplifique El Tipo Epitaxial Del Silicio NPN Del Uso | Isahaya Electronics Corporation |
165 | 2SC5814 | Para La Frecuencia Baja Amplifique El Tipo Epitaxial Del Silicio NPN Del Uso | Isahaya Electronics Corporation |
166 | 2SC5815 | Para La Frecuencia Baja Amplifique El Tipo Epitaxial Del Silicio NPN Del Uso | Isahaya Electronics Corporation |
167 | 2SC5815 | Para La Frecuencia Baja Amplifique El Tipo Epitaxial Del Silicio NPN Del Uso | Isahaya Electronics Corporation |
168 | 2SC5816 | Para La Frecuencia Baja Amplifique El Tipo Epitaxial Del Silicio NPN Del Uso | Isahaya Electronics Corporation |
169 | 2SC5816 | Para La Frecuencia Baja Amplifique El Tipo Epitaxial Del Silicio NPN Del Uso | Isahaya Electronics Corporation |
170 | 2SC5817 | Para La Frecuencia Baja Amplifique El Tipo Epitaxial Del Silicio NPN Del Uso | Isahaya Electronics Corporation |
171 | 2SC5817 | Para La Frecuencia Baja Amplifique El Tipo Epitaxial Del Silicio NPN Del Uso | Isahaya Electronics Corporation |
172 | 2SC5882 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO NPN | Isahaya Electronics Corporation |
173 | 2SC5882 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO NPN | Isahaya Electronics Corporation |
174 | 2SC5938 | PARA LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
175 | 2SC5938 | PARA LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
176 | 2SC5938A | PARA LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
177 | 2SC5938A | PARA LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
178 | 2SC5938A | PARA LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
179 | 2SC5938A | PARA LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
180 | 2SC5938B | PARA LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
181 | 2SC5938B | PARA LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
182 | 2SC5938B | PARA LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
183 | 2SC5938B | PARA LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
184 | 2SC6046 | Transistor NPN 200mW SMD, calificación máxima: 40V VCEO, 600mA Ic, de 100 a 300 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
185 | 2SD1447 | 900MW de plomo transistor NPN marco, calificación máxima: 25V VCEO, 1A Ic, 55-300 hFE. 2SB1035 Complementaria | Isahaya Electronics Corporation |
186 | 2SD1972 | 2W bastidor de conductores transistor NPN, calificación máxima: 60V VCEO, 3A Ic, 250-800 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
187 | 2SJ125 | 150mW SMD J-FET (transistor de efecto de campo), la calificación máxima: 50V Vgdo, -10mA Ig, -1 a -12 mA Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
188 | 2SJ145 | PARA La FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE El TIPO De la ENSAMBLADURA Del CANAL Del USO P | Isahaya Electronics Corporation |
189 | 2SJ145 | PARA La FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE El TIPO De la ENSAMBLADURA Del CANAL Del USO P | Isahaya Electronics Corporation |
190 | 2SJ498 | 450 mW Marco Plomo J-FET (Field-Effect Transistor), calificación máxima: 50V Vgdo, -10mA Ig, -0,6--12 mA Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
191 | 2SK2880 | 450 mW Marco Plomo J-FET (Field-Effect Transistor), máxima calificación: -50V Vgdo, 10mA Ig, 0,3 a 12 mA Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
192 | 2SK2881 | Para la frecuencia baja amplifique el tipo tipo de la ensambladura del canal del uso N de Micro(Frame) | Isahaya Electronics Corporation |
193 | 2SK2881 | Para la frecuencia baja amplifique el tipo tipo de la ensambladura del canal del uso N de Micro(Frame) | Isahaya Electronics Corporation |
194 | 2SK433 | 150mW SMD J-FET (transistor de efecto de campo), máxima calificación: -50V Vgdo, 10mA Ig, 0.6to 12 mA Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
195 | 2SK492 | 150mW SMD J-FET (transistor de efecto de campo), máxima calificación: -50V Vgdo, 10mA Ig, de 1 a 12 mA Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
196 | 2SK930 | PARA La FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE El TIPO De la ENSAMBLADURA Del CANAL Del USO N | Isahaya Electronics Corporation |
197 | 2SK930 | PARA La FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE El TIPO De la ENSAMBLADURA Del CANAL Del USO N | Isahaya Electronics Corporation |
198 | M57140-01 | Fuente de alimentación IPM IC híbrido. Convertidor aislado DC-a-DC. | Isahaya Electronics Corporation |
199 | M57147AU-01 | Fuente de alimentación IPM IC híbrido. Aislado convertidor de DC-DC. | Isahaya Electronics Corporation |
200 | M57159L-01 | MÓDULO DE IGBT | Isahaya Electronics Corporation |
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