| Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
| 201 | M57160AL | IC DEL HÍBRIDO DEL MÓDULO DE IGBT | Isahaya Electronics Corporation |
| 202 | M57182N-315 | CONVERTIDOR SIN AISLAR DE DC-DC | Isahaya Electronics Corporation |
| 203 | M57182N-416 | IC híbrido. Sin aislamiento convertidor DC-DC. Rango de voltaje de entrada de CC 180V-450V. Especificaciones de salida 16V, 300mA. | Isahaya Electronics Corporation |
| 204 | M57183N-316 | IC híbrido. Sin aislamiento convertidor DC-DC. Rango de voltaje de entrada de CC de 110V-180V. Especificaciones de salida 15V, 100mA; 5V, 350mA. | Isahaya Electronics Corporation |
| 205 | M57184N-715A | IC híbrido. Sin aislamiento convertidor DC-DC. Rango de voltaje de entrada de CC de 220V-360V. Especificaciones de salida 15V, 350mA; 5V, 200mA. | Isahaya Electronics Corporation |
| 206 | M57959AL-01 | IC DEL HÍBRIDO DE LA PUERTA DEL MÓDULO DE IGBT | Isahaya Electronics Corporation |
| 207 | M57962AL | IC DE LGBT | Isahaya Electronics Corporation |
| 208 | M57962AL-01 | IC DE LGBT | Isahaya Electronics Corporation |
| 209 | MC2831 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 210 | MC2832 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 211 | MC2833 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 212 | MC2834 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 213 | MC2835 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación general de la conmutación. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 35 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 214 | MC2836 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación general de la conmutación. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 215 | MC2837 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 85 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 216 | MC2838 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 217 | MC2839 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 85 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 218 | MC2840 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación general de la conmutación. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 35 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 219 | MC2841 | PARA EL TIPO EPITAXIAL DE LA CONMUTACIÓN DEL SILICIO DE ALTA VELOCIDAD DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
| 220 | MC2841 | PARA EL TIPO EPITAXIAL DE LA CONMUTACIÓN DEL SILICIO DE ALTA VELOCIDAD DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
| 221 | MC2842 | MC2842 | Isahaya Electronics Corporation |
| 222 | MC2842 | MC2842 | Isahaya Electronics Corporation |
| 223 | MC2843 | MC2843 | Isahaya Electronics Corporation |
| 224 | MC2843 | MC2843 | Isahaya Electronics Corporation |
| 225 | MC2844 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 226 | MC2845 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 35 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 227 | MC2846 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 228 | MC2848 | PARA EL TIPO EPITAXIAL DE LA CONMUTACIÓN DEL SILICIO DE ALTA VELOCIDAD DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
| 229 | MC2848 | PARA EL TIPO EPITAXIAL DE LA CONMUTACIÓN DEL SILICIO DE ALTA VELOCIDAD DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
| 230 | MC2850 | Diodo de señal pequeña. Para la aplicación general de la conmutación. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 35 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 231 | MC2852 | Diodo. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 232 | MC2854 | Diodo. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 233 | MC961 | Diodo. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 234 | MC971 | Para El Cátodo Epitaxial De Type(Common De Swiching DelSilicio De alta velocidad Del Uso) | Isahaya Electronics Corporation |
| 235 | MC971 | Para El Cátodo Epitaxial De Type(Common De Swiching DelSilicio De alta velocidad Del Uso) | Isahaya Electronics Corporation |
| 236 | MC981 | Diodo. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 75 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 237 | MC982 | Diodo. Para la aplicación de conmutación de alta velocidad. Tipo epitaxial de silicio. Tensión inversa máxima 35 V. | Isahaya Electronics Corporation |
| 238 | RT1N137L | Transistor con resistencia para la aplicación de conmutación. Silicio NPN tipo epitaxial. | Isahaya Electronics Corporation |
| 239 | RT1N137P | Transistor con resistencia para la aplicación de conmutación. Silicio NPN tipo epitaxial. | Isahaya Electronics Corporation |
| 240 | RT1N141C | Transistor con resistencia para la aplicación de conmutación. Silicio NPN tipo epitaxial. | Isahaya Electronics Corporation |
| 241 | RT1N141M | Transistor con resistencia para la aplicación de conmutación. Silicio NPN tipo epitaxial. | Isahaya Electronics Corporation |
| 242 | RT1N141S | Transistor con resistencia para la aplicación de conmutación. Silicio NPN tipo epitaxial. | Isahaya Electronics Corporation |
| 243 | RT1N141T | Transistor con resistencia para la aplicación de conmutación. Silicio NPN tipo epitaxial. | Isahaya Electronics Corporation |
| 244 | RT1N141U | Transistor con resistencia para la aplicación de conmutación. Silicio NPN tipo epitaxial. | Isahaya Electronics Corporation |
| 245 | RT1N431C | Transistor con resistencia para la aplicación de conmutación. Silicio NPN tipo epitaxial. | Isahaya Electronics Corporation |
| 246 | RT1N431M | Transistor con resistencia para la aplicación de conmutación. Silicio NPN tipo epitaxial. | Isahaya Electronics Corporation |
| 247 | RT1N431S | Transistor con resistencia para la aplicación de conmutación. Silicio NPN tipo epitaxial. | Isahaya Electronics Corporation |
| 248 | RT1N431T | Transistor con resistencia para la aplicación de conmutación. Silicio NPN tipo epitaxial. | Isahaya Electronics Corporation |
| 249 | RT1N431U | Transistor con resistencia para la aplicación de conmutación. Silicio NPN tipo epitaxial. | Isahaya Electronics Corporation |
| 250 | RT1P137L | Transistor con resistencia para la aplicación de conmutación. Silicio PNP tipo epitaxial. | Isahaya Electronics Corporation |
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