| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 201 | M57160AL | IC ГИБРИДА МОДУЛЯ IGBT | Isahaya Electronics Corporation |
| 202 | M57182N-315 | НЕИЗОЛИРОВАННЫЙ КОНВЕРТЕР DC-DC | Isahaya Electronics Corporation |
| 203 | M57182N-416 | Гибридная IC. Неизолированный DC-DC преобразователь. Диапазон входного напряжения DC 180V-450V. Выходные характеристики 16V, 300mA. | Isahaya Electronics Corporation |
| 204 | M57183N-316 | Гибридная IC. Неизолированный DC-DC преобразователь. Диапазон входного напряжения DC 110V-180V. Выходные характеристики 15V, 100mA; 5V, 350mA. | Isahaya Electronics Corporation |
| 205 | M57184N-715A | Гибридная IC. Неизолированный DC-DC преобразователь. Диапазон входного напряжения DC 220V-360V. Выходные характеристики 15V, 350mA; 5V, 200mA. | Isahaya Electronics Corporation |
| 206 | M57959AL-01 | IC ГИБРИДА СТРОБА МОДУЛЯ IGBT | Isahaya Electronics Corporation |
| 207 | M57962AL | IC LGBT | Isahaya Electronics Corporation |
| 208 | M57962AL-01 | IC LGBT | Isahaya Electronics Corporation |
| 209 | MC2831 | Малый сигнал диод. Для применения коммутации высокой скорости. Кремний тип эпитаксиальных. Пиковое обратное напряжение 75 В. | Isahaya Electronics Corporation |
| 210 | MC2832 | Малый сигнал диод. Для применения коммутации высокой скорости. Кремний тип эпитаксиальных. Пиковое обратное напряжение 75 В. | Isahaya Electronics Corporation |
| 211 | MC2833 | Малый сигнал диод. Для применения коммутации высокой скорости. Кремний тип эпитаксиальных. Пиковое обратное напряжение 75 В. | Isahaya Electronics Corporation |
| 212 | MC2834 | Малый сигнал диод. Для применения коммутации высокой скорости. Кремний тип эпитаксиальных. Пиковое обратное напряжение 75 В. | Isahaya Electronics Corporation |
| 213 | MC2835 | Малый сигнал диод. Для общего применения коммутации. Кремний тип эпитаксиальных. Пиковое обратное напряжение 35 В. | Isahaya Electronics Corporation |
| 214 | MC2836 | Малый сигнал диод. Для общего применения коммутации. Кремний тип эпитаксиальных. Пиковое обратное напряжение 75 В. | Isahaya Electronics Corporation |
| 215 | MC2837 | Малый сигнал диод. Для применения коммутации высокой скорости. Кремний тип эпитаксиальных. Пиковое обратное напряжение 85 В. | Isahaya Electronics Corporation |
| 216 | MC2838 | Малый сигнал диод. Для применения коммутации высокой скорости. Кремний тип эпитаксиальных. Пиковое обратное напряжение 75 В. | Isahaya Electronics Corporation |
| 217 | MC2839 | Малый сигнал диод. Для применения коммутации высокой скорости. Кремний тип эпитаксиальных. Пиковое обратное напряжение 85 В. | Isahaya Electronics Corporation |
| 218 | MC2840 | Малый сигнал диод. Для общего применения коммутации. Кремний тип эпитаксиальных. Пиковое обратное напряжение 35 В. | Isahaya Electronics Corporation |
| 219 | MC2841 | ДЛЯ ТИПА ВЫСОКОСКОРОСТНОГО КРЕМНИЯ ПРИМЕНЕНИЯ
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО | Isahaya Electronics Corporation |
| 220 | MC2841 | ДЛЯ ТИПА ВЫСОКОСКОРОСТНОГО КРЕМНИЯ ПРИМЕНЕНИЯ
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО | Isahaya Electronics Corporation |
| 221 | MC2842 | MC2842 | Isahaya Electronics Corporation |
| 222 | MC2842 | MC2842 | Isahaya Electronics Corporation |
| 223 | MC2843 | MC2843 | Isahaya Electronics Corporation |
| 224 | MC2843 | MC2843 | Isahaya Electronics Corporation |
| 225 | MC2844 | Малый сигнал диод. Для применения коммутации высокой скорости. Кремний тип эпитаксиальных. Пиковое обратное напряжение 75 В. | Isahaya Electronics Corporation |
| 226 | MC2845 | Малый сигнал диод. Для применения коммутации высокой скорости. Кремний тип эпитаксиальных. Пиковое обратное напряжение 35 В. | Isahaya Electronics Corporation |
| 227 | MC2846 | Малый сигнал диод. Для применения коммутации высокой скорости. Кремний тип эпитаксиальных. Пиковое обратное напряжение 75 В. | Isahaya Electronics Corporation |
| 228 | MC2848 | ДЛЯ ТИПА ВЫСОКОСКОРОСТНОГО КРЕМНИЯ ПРИМЕНЕНИЯ
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО | Isahaya Electronics Corporation |
| 229 | MC2848 | ДЛЯ ТИПА ВЫСОКОСКОРОСТНОГО КРЕМНИЯ ПРИМЕНЕНИЯ
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО | Isahaya Electronics Corporation |
| 230 | MC2850 | Малый сигнал диод. Для общего применения коммутации. Кремний тип эпитаксиальных. Пиковое обратное напряжение 35 В. | Isahaya Electronics Corporation |
| 231 | MC2852 | Диод. Для применения коммутации высокой скорости. Кремний тип эпитаксиальных. Пиковое обратное напряжение 75 В. | Isahaya Electronics Corporation |
| 232 | MC2854 | Диод. Для применения коммутации высокой скорости. Кремний тип эпитаксиальных. Пиковое обратное напряжение 75 В. | Isahaya Electronics Corporation |
| 233 | MC961 | Диод. Для применения коммутации высокой скорости. Кремний тип эпитаксиальных. Пиковое обратное напряжение 75 В. | Isahaya Electronics Corporation |
| 234 | MC971 | Для Катода Type(Common Высокоскоростного Кремния
Применения Swiching Эпитаксиального) | Isahaya Electronics Corporation |
| 235 | MC971 | Для Катода Type(Common Высокоскоростного Кремния
Применения Swiching Эпитаксиального) | Isahaya Electronics Corporation |
| 236 | MC981 | Диод. Для применения коммутации высокой скорости. Кремний тип эпитаксиальных. Пиковое обратное напряжение 75 В. | Isahaya Electronics Corporation |
| 237 | MC982 | Диод. Для применения коммутации высокой скорости. Кремний тип эпитаксиальных. Пиковое обратное напряжение 35 В. | Isahaya Electronics Corporation |
| 238 | RT1N137L | Транзистор с резистором для переключения приложения. Кремния NPN типа эпитаксиальных. | Isahaya Electronics Corporation |
| 239 | RT1N137P | Транзистор с резистором для переключения приложения. Кремния NPN типа эпитаксиальных. | Isahaya Electronics Corporation |
| 240 | RT1N141C | Транзистор с резистором для переключения приложения. Кремния NPN типа эпитаксиальных. | Isahaya Electronics Corporation |
| 241 | RT1N141M | Транзистор с резистором для переключения приложения. Кремния NPN типа эпитаксиальных. | Isahaya Electronics Corporation |
| 242 | RT1N141S | Транзистор с резистором для переключения приложения. Кремния NPN типа эпитаксиальных. | Isahaya Electronics Corporation |
| 243 | RT1N141T | Транзистор с резистором для переключения приложения. Кремния NPN типа эпитаксиальных. | Isahaya Electronics Corporation |
| 244 | RT1N141U | Транзистор с резистором для переключения приложения. Кремния NPN типа эпитаксиальных. | Isahaya Electronics Corporation |
| 245 | RT1N431C | Транзистор с резистором для переключения приложения. Кремния NPN типа эпитаксиальных. | Isahaya Electronics Corporation |
| 246 | RT1N431M | Транзистор с резистором для переключения приложения. Кремния NPN типа эпитаксиальных. | Isahaya Electronics Corporation |
| 247 | RT1N431S | Транзистор с резистором для переключения приложения. Кремния NPN типа эпитаксиальных. | Isahaya Electronics Corporation |
| 248 | RT1N431T | Транзистор с резистором для переключения приложения. Кремния NPN типа эпитаксиальных. | Isahaya Electronics Corporation |
| 249 | RT1N431U | Транзистор с резистором для переключения приложения. Кремния NPN типа эпитаксиальных. | Isahaya Electronics Corporation |
| 250 | RT1P137L | Транзистор с резистором для переключения приложения. Кремния PNP типа эпитаксиальных. | Isahaya Electronics Corporation |
| | | |
