| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1162641 | STB36NF02L | N-CHANNEL 20V - 0.016 Ш - Mosfet
СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 36ЈA Д 2 PAK
НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162642 | STB36NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.015 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 36ЈA D2PAK НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1162643 | STB36NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.015 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 36ЈA D2PAK НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162644 | STB36NF03L | Н - КАНАЛ 30V - 0.015 Ома - Mosfet
СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 36ЈA Д 2 PAK
НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162645 | STB36NF03LT4 | N-CHANNEL 30V - 0.015 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 36ЈA D2PAK НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1162646 | STB36NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.032 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 30A D2PAK/TO-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162647 | STB36NF06LT4 | N-CHANNEL 60V - 0.032 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 30A D2PAK/TO-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162648 | STB36NM60N | Автомобильная класса N-канальный 600 В, 0,092 Ом тип., 29 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
| 1162649 | STB36NM60ND | Автомобильная класса N-канальный 600 В, 0,097 Ом тип., 29 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
| 1162650 | STB38N65M5 | N-канальный 650 В, 0,073 Ом тип., 30 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в D2PAK пакета | ST Microelectronics |
| 1162651 | STB3N60-1 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1162652 | STB3N60-1 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162653 | STB3NA60-1 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА БЫСТРЫЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162654 | STB3NA80 | ТРАНЗИСТОР MOS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL БЫСТРЫЙ | ST Microelectronics |
| 1162655 | STB3NA80 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА БЫСТРЫЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162656 | STB3NB60 | N-CHANNEL 600V - 3.3 ОМА - 3.3 А -
Mosfet D2PAK/I2PAK POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1162657 | STB3NB60 | Н - КАНАЛ 600V - 3.3 Ома - 3.3ЈA -
Mosfet Д 2 PAK/I 2 PAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162658 | STB3NB60T4 | N-CHANNEL 600V - 3.3 ОМА - 3.3 А -
Mosfet D2PAK/I2PAK POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1162659 | STB3NC60 | N-CHANNEL 600V - 3.3 ОМА - 3ЈA -
MOSFET D2PAK/I2PAK POWERMESH II | ST Microelectronics |
| 1162660 | STB3NC60 | Н - КАНАЛ 600V - Mosfet 3.3ЈOhm
-3ЈA-D 2 PAK/I 2 PAK PowerMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162661 | STB3NC60T4 | N-CHANNEL 600V - 3.3 ОМА - 3ЈA -
MOSFET D2PAK/I2PAK POWERMESH II | ST Microelectronics |
| 1162662 | STB3NC90 | N-CHANNEL 900V - 3.2W - Mosfet
3.5ЈA Зенер-Za5i5enny1 D2PAK PowerMESH.?I | ST Microelectronics |
| 1162663 | STB3NC90 | N-CHANNEL 900V - 3.2W - Mosfet
3.5ЈA Зенер-Za5i5enny1 D2PAK PowerMESH.?I | ST Microelectronics |
| 1162664 | STB3NC90Z | MOSFET ОМА 3.5ЈA D2PAK
ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL 900V
3.2 | ST Microelectronics |
| 1162665 | STB3NC90Z | MOSFET ОМА 3.5ЈA D2PAK
ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL 900V
3.2 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162666 | STB3NC90Z-1 | MOSFET ОМА 3.5ЈA TO-220/TO-220FP/I2PAK
ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL 900V
3.2 | ST Microelectronics |
| 1162667 | STB3NC90Z-1 | MOSFET ОМА 3.5ЈA TO-220/TO-220FP/I2PAK
ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL 900V
3.2 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162668 | STB3NK60Z | N-CHANNEL 600V - 3.3 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 2.4ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK/DPAK/IPAK
ZENER-PROTECTED SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1162669 | STB3NK60ZT4 | N-CHANNEL 600V - 3.3 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 2.4ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK/DPAK/IPAK
ZENER-PROTECTED SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1162670 | STB40N20 | N-CHANNEL 200V - 0.038 ОМА - Mosfet
STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 40A TO-220/TO-247/D2PAK
НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1162671 | STB40N20 | N-CHANNEL 200V - 0.038 ОМА - Mosfet
STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 40A TO-220/TO-247/D2PAK
НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1162672 | STB40N60M2 | N-канальный 600 В, 0,078 Ом тип., 34 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в TO-220FP пакета | ST Microelectronics |
| 1162673 | STB40NE03L-20 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1162674 | STB40NE03L-20 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162675 | STB40NE03L-20 | Н - Mosfet РАЗМЕРА ] ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМА
?INGLE ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА ?OWER | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162676 | STB40NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.020 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 40A D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1162677 | STB40NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.020 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 40A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162678 | STB40NF03L | Н - КАНАЛ 30V - 0.020 Ома - Mosfet
СИЛЫ 40A Д 2 PAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162679 | STB40NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.024 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 50A
TO-220/D2PAK/I2PAK НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1162680 | STB40NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.025 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА 40A D2PAK НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |
