|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29063 | 29064 | 29065 | 29066 | 29067 | 29068 | 29069 | 29070 | 29071 | 29072 | 29073 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1162681STB40NF10Н - КАНАЛ 100V - 0.030Ohm - Mosfet СИЛЫ STripFET ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА 40A TO-263 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1162682STB40NF10N-CHANNEL 100V - 0.024 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 50A TO-220/D2PAK НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1162683STB40NF10-1N-CHANNEL 100V - 0.024 ОМА - MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 50A TO-220/D2PAK/I2PAK НИЗКИЙST Microelectronics
1162684STB40NF10LMOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА 40A D2PAK N-CHANNEL 100V 0.028 НИЗКИЙST Microelectronics
1162685STB40NF10LMOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА 40A D2PAK N-CHANNEL 100V 0.028 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
1162686STB40NF10LT4MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА 40A D2PAK N-CHANNEL 100V 0.028 НИЗКИЙST Microelectronics
1162687STB40NF10T4N-CHANNEL 100V - 0.024 ОМА - MOSFET ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА 50A D2PAK НИЗКИЙST Microelectronics
1162688STB40NF20N-канальный 200V - 0.038Ohm -40A- D2PAK / TO-220 / TO-220FP / TO-247ST Microelectronics
1162689STB40NS15MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 40A D2PAK N-CHANNEL 150V 0.042ST Microelectronics
1162690STB40NS15MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 40A D2PAK N-CHANNEL 150V 0.042SGS Thomson Microelectronics
1162691STB40NS15T4MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 40A D2PAK N-CHANNEL 150V 0.042ST Microelectronics
1162692STB42N65M5N-канальный 650 В, 0,070 Ом, 33 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в D2PAKST Microelectronics
1162693STB4395CT2 RECEIVER/TRANSMITTERSGS Thomson Microelectronics
1162694STB4395ACT2 RECEIVER/TRANSMITTERST Microelectronics
1162695STB4395ACT2 RECEIVER/TRANSMITTERST Microelectronics
1162696STB45N10LСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INST Microelectronics
1162697STB45N10LСТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1162698STB45N10LН - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
1162699STB45N65M5N-канальный 650 В, 0,067 Ом, 35, MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162700STB45NF06MOSFET СИЛЫ N-CHANNEL 60V 0.022ЈOHM 38ЈA D2PAK STRIPFETST Microelectronics
1162701STB45NF06MOSFET СИЛЫ N-CHANNEL 60V 0.022ЈOHM 38ЈA D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1162702STB45NF06LN-CHANNEL 60V - 0.022ЈOHM - MOSFET СИЛЫ 38ЈA TO-220/D2PAK STRIPFET IIST Microelectronics
1162703STB45NF06LN-CHANNEL 60V - 0.022 ОМА - MOSFET СИЛЫ 38ЈA D2PAK STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
1162704STB45NF06T4MOSFET ОМА 38ЈA TO-220/D2PAK STRIPFET N-CHANNEL 60V 0.022ST Microelectronics
1162705STB45NF3LLMOSFET СИЛЫ ОМА 45ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK STRIPFET II N-CHANNEL 30V 0.014ST Microelectronics
1162706STB45NF3LLMOSFET СИЛЫ ОМА 45ЈA D2PAK STRIPFET II N-CHANNEL 30V 0.014SGS Thomson Microelectronics
1162707STB45NF3LLT4MOSFET СИЛЫ ОМА 45ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK STRIPFET II N-CHANNEL 30V 0.014ST Microelectronics
1162708STB46N30M5Автомобильная класса N-канальный 300 В, 0,037 Ом тип., 53 MDmesh (TM) V MOSFET Мощность в D2PAK пакетST Microelectronics
1162709STB46NF30N-канальный 300 В, 0,063 Ом тип., 42 STripFET (TM) II Мощность MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162710STB4N62K3N-канальный 620 В, 1,7 Ом тип., 3,8, SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1162711STB4NB50N-CHANNEL 500V - 2.5 ОМА - 3.8ЈA - MOSFET D2PAK/I2PAK POWERMESHST Microelectronics
1162712STB4NB50Н - КАНАЛ 500V - 2.5 Ома - 3.8ЈA - Mosfet D2PAK/I2PAK PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1162713STB4NB80Н - КАНАЛ 800V - 3 Ома - 4ЈA - Mosfet PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1162714STB4NB80FPН - КАНАЛ 800V - 3Јohm - 4ЈA - Mosfet TO-220/TO-220FP PowerMESHOST Microelectronics
1162715STB4NB80FPН - КАНАЛ 800V - 3Јohm - 4ЈA - Mosfet TO-220/TO-220FP PowerMESHOST Microelectronics
1162716STB4NC50MOSFET N-CHANNEL 500V 2.2ЈOHM 4ЈA D2PAK POWERMESH IIST Microelectronics
1162717STB4NC50MOSFET N-CHANNEL 500V 2.2ЈOHM 4ЈA D2PAK POWERMESH IISGS Thomson Microelectronics
1162718STB4NC60MOSFET ОМА 4.2ЈA D2PAK POWERMESH II N-CHANNEL 600V 1.8ST Microelectronics
1162719STB4NC60MOSFET ОМА 4.2ЈA D2PAK POWERMESH II N-CHANNEL 600V 1.8SGS Thomson Microelectronics
1162720STB4NC60-1N-CHANNEL 600V - 1.8 ОМА - MOSFET 4.2ЈA TO-220/TO-220FP/I2PAK POWERMESHST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29063 | 29064 | 29065 | 29066 | 29067 | 29068 | 29069 | 29070 | 29071 | 29072 | 29073 | >>
English Version for this page Version franaise pour cette page Deutsche Version fr diese Seite Verso portuguese para esta pgina



© 2021 - www.DatasheetCatalog.com