| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1175801 | STP16NE06L/FP | MOSFET СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМА
ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNEL ОДИНОЧНЫЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175802 | STP16NE06LFP | Н - Mosfet СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА ОДИНОЧНЫЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175803 | STP16NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.08 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 16ЈA TO-220/TO-220FP STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1175804 | STP16NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.08 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 16ЈA TO-220/TO-220FP STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175805 | STP16NF06FP | N-CHANNEL 60V - 0.08 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 16ЈA TO-220/TO-220FP STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1175806 | STP16NF06FP | N-CHANNEL 60V - 0.08 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 16ЈA TO-220/TO-220FP STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175807 | STP16NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.07 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 16ЈA TO-220 STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1175808 | STP16NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.07 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 16ЈA TO-220 STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175809 | STP16NF06LFP | N-CHANNEL 60V - 0.07 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 16ЈA TO-220/TO-220FP STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1175810 | STP16NK60Z | N-CHANNEL 600V - 0.38 Ома - 14ЈA
TO-220/I2SPAK/Zener-$$ET-Za5i5enny1 TO-247 Mosfet™ SuperMESH | ST Microelectronics |
| 1175811 | STP16NK60Z-S | N-CHANNEL 600V - 0.38.? -
14ЈA TO-220/$$ET-I2SPAK/Zener-$$ET-Za5i5ennoe
TO-247 SuperMESH.?OSFET | ST Microelectronics |
| 1175812 | STP16NK60Z-S | N-CHANNEL 600V - 0.38.? -
14ЈA TO-220/$$ET-I2SPAK/Zener-$$ET-Za5i5ennoe
TO-247 SuperMESH.?OSFET | ST Microelectronics |
| 1175813 | STP16NK65Z | N-CHANNEL 650 В - 0.38 Ома - 13
Зенер-Za5i5enny1 TO-220/ISPAK Mosfet™ SuperMESH | ST Microelectronics |
| 1175814 | STP16NK65Z-S | N-CHANNEL 600V - 0.38.? -
14ЈA TO-220/$$ET-I2SPAK/Zener-$$ET-Za5i5ennoe
TO-247 SuperMESH.?OSFET | ST Microelectronics |
| 1175815 | STP16NK65Z-S | N-CHANNEL 600V - 0.38.? -
14ЈA TO-220/$$ET-I2SPAK/Zener-$$ET-Za5i5ennoe
TO-247 SuperMESH.?OSFET | ST Microelectronics |
| 1175816 | STP16NS25 | MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 16ЈA
TO-220/TO-220FP N-CHANNEL 250V 0.23 | ST Microelectronics |
| 1175817 | STP16NS25 | MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 16ЈA
TO-220/TO-220FP N-CHANNEL 250V 0.23 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175818 | STP16NS25FP | MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 16ЈA
TO-220/TO-220FP N-CHANNEL 250V 0.23 | ST Microelectronics |
| 1175819 | STP16NS25FP | MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 16ЈA
TO-220/TO-220FP N-CHANNEL 250V 0.23 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175820 | STP17N62K3 | N-канальный 620 В, 0,28 Ом, 15,5, TO-220 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175821 | STP17NF25 | N-канальный 250 В, 0,14 Ом, 17, К-220 STripFET (TM) II на MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175822 | STP17NK40Z | N-CHANNEL 400 В - 0.23 ОМА - 15
Mosfet СИЛЫ TO-220/TO-220FP ZENER-PROTECTED
SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1175823 | STP17NK40ZFP | N-CHANNEL 400 В - 0.23 ОМА - 15
Mosfet СИЛЫ TO-220/TO-220FP ZENER-PROTECTED
SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1175824 | STP180N10F3 | N-канальный 100 В, 4,5 мОм, 120 STripFET (TM) III Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1175825 | STP180NS04ZC | N-канальный 40 V зажат 3,6 мОм ном., 120 полностью защищена SAFeFET (TM) Мощность MOSFET в корпусе ТО-220 | ST Microelectronics |
| 1175826 | STP185N55F3 | N-канальный 55 В, 3,2 мОм ном., 120 STripFET (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1175827 | STP18N55M5 | N-канальный 550 В, 0,150 Ом тип., 16, MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 пакет | ST Microelectronics |
| 1175828 | STP18N60M2 | N-канальный 600 В, 0,255 Ом тип., 13 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1175829 | STP18N65M5 | N-канальный 650 В, 0,198 Ом тип., 15 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1175830 | STP18NM60N | N-канальный 600 В, 0,26 Ом тип., 13 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220 | ST Microelectronics |
| 1175831 | STP18NM60ND | N-канальный 600 В, 0,25 Ом тип., 13 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в К-220 пакета | ST Microelectronics |
| 1175832 | STP18NM80 | N-канальный 800 В, 0,25 Ом, 17, MDmesh (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1175833 | STP190N55LF3 | N-канальный 55 В, 2,9 мОм ном., 120 STripFET (TM) Мощность MOSFET в корпусе ТО-220 | ST Microelectronics |
| 1175834 | STP190NF04 | N-CHANNEL 40V - mOhm 3.9 -
mosfet СИЛЫ 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET
II | ST Microelectronics |
| 1175835 | STP19N06 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175836 | STP19N06 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175837 | STP19N06 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175838 | STP19N06FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175839 | STP19N06FI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175840 | STP19N06FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |
