| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 268281 | BSM50GP60 | Hochstzulassige Werte/maksimal6nye
normirovanna4a величина | Eupec GmbH |
| 268282 | BSM682F | Блок питания MOSFET, 800V, 6 х 10A | Siemens |
| 268283 | BSM75GAL120DN2 | Модуль силы IGBT (одиночный переключатель с диодом
тяпки включая быстрые free-wheeling диоды) | Siemens |
| 268284 | BSM75GB120DLC | Normirovanna4a величина Hchstzulssige
Werte максимальные | Eupec GmbH |
| 268285 | BSM75GB120DN2 | Модуль силы IGBT (Половин-most включая
быстрый free-wheeling пакет диодов с изолированной плитой металла
низкопробной) | Siemens |
| 268286 | BSM75GB170DN2 | Модуль силы IGBT (Половин-most включая
быстрый free-wheeling пакет диодов с изолированной плитой металла
низкопробной) | Siemens |
| 268287 | BSM75GB60DLC | Normirovanna4a величина Hchstzulssige
Werte максимальные | Eupec GmbH |
| 268288 | BSM75GD120DN2 | Модуль силы IGBT (полн-most модуля силы
Solderable трехфазный включая быстрые диоды
свободно-kolesa) | Siemens |
| 268289 | BSN10 | транзисторы режима вертикальные D-MOS повышения
Н-kanala | Philips |
| 268290 | BSN10A | транзисторы режима вертикальные D-MOS повышения
Н-kanala | Philips |
| 268291 | BSN20 | транзистор field-effect режима повышения
Н-kanala | Philips |
| 268292 | BSN20 | N-канальные TrenchMOS чрезвычайно низкий уровень FET | NXP Semiconductors |
| 268293 | BSN20 | N-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ поле режима MOSFET | Diodes |
| 268294 | BSN20-7 | N-CHANNEL ПОВЫШЕНИЕ поле режима MOSFET | Diodes |
| 268295 | BSN205 | транзистор режима вертикальный D-MOS повышения
Н-kanala | Philips |
| 268296 | BSN205A | транзистор режима вертикальный D-MOS повышения
Н-kanala | Philips |
| 268297 | BSN20W | транзистор режима вертикальный D-MOS повышения
Н-kanala | Philips |
| 268298 | BSN254 | транзистор режима вертикальный D-MOS повышения
Н-kanala | Philips |
| 268299 | BSN254A | транзистор режима вертикальный D-MOS повышения
Н-kanala | Philips |
| 268300 | BSN274 | транзистор режима вертикальный D-MOS повышения
Н-kanala | Philips |
| 268301 | BSN274A | транзистор режима вертикальный D-MOS повышения
Н-kanala | Philips |
| 268302 | BSN304 | транзистор режима вертикальный D-MOS повышения
Н-kanala | Philips |
| 268303 | BSN304A | транзисторы режима вертикальные D-MOS повышения
Н-kanala | Philips |
| 268304 | BSO 612 CV | Поиск® SIPMOS Параметрический | Infineon |
| 268305 | BSO 615 C | Поиск® SIPMOS Параметрический | Infineon |
| 268306 | BSO 615 N | Двойной Mosfet Н-Kanala, 60V, SO-8,
RDSon = 150mW, 2.6ЈA, LL | Infineon |
| 268307 | BSO-302SN | Мал-Сигнал-Tranzistor SIPMOS | Infineon |
| 268308 | BSO052N03S | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Mosfet Силы
OptiMOS.2, 30V, SO8, RDSon = 5.2mOhm,
17A, LL | Infineon |
| 268309 | BSO064N03S | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Mosfet Силы
OptiMOS.2, 30V, SO8, RDSon = 6.4mOhm,
16ЈA, LL | Infineon |
| 268310 | BSO072N03S | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Mosfet Силы
OptiMOS.2, 30V, SO8, RDSon = 6.8mOhm,
15ЈA, LL | Infineon |
| 268311 | BSO080P03S | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Mosfet
OptiMOS, -30V, SO-8, Ron = 8m | Infineon |
| 268312 | BSO094N03S | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Mosfet Силы
OptiMOS.2, 30V, SO8, RDSon = 9.1mOhm,
13ЈA, LL | Infineon |
| 268313 | BSO104N03S | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Mosfet Силы
OptiMOS.2, 30V, SO8, RDSon = 9.7mOhm,
13ЈA, LL | Infineon |
| 268314 | BSO119N03S | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Mosfet Силы
OptiMOS.2, 30V, SO8, RDSon = 11.9mOhm,
11A, LL | Infineon |
| 268315 | BSO130P03S | Mosfet OptiMOS, -30V, SO-8,
Ron = 13mW, 11.3ЈA, LL | Infineon |
| 268316 | BSO150N03 | MOSFETs низкого напряжения тока - mosfet силы
OptiMOS.2, 30V, SO8, RDSon = 15mOhm,
9.1A, LL, двойное | Infineon |
| 268317 | BSO200N03S | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Mosfet Силы
OptiMOS.2, 30V, SO8, RDSon = 20mOhm,
8.8ЈA, LL | Infineon |
| 268318 | BSO200P03S | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Mosfet
OptiMOS, -30V, SO-8, Ron = 20m | Infineon |
| 268319 | BSO201SP | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Mosfet
OptiMOS, -20V, SO-8 | Infineon |
| 268320 | BSO203P | MOSFETs Низкого Напряжения тока - Mosfet
OptiMOS, -20V, SO-8 | Infineon |
| | | |
