| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 268281 | BSM50GP60 | Hochstzulassige Werte/maximale steuerpflichtige Werte | Eupec GmbH |
| 268282 | BSM682F | MOSFET-Leistungsmodul, 800V, 6 x 10A | Siemens |
| 268283 | BSM75GAL120DN2 | IGBT Energie Modul (einzelner Schalter mit Zerhackerdiode einschließlich schnelle Freilaufdioden) | Siemens |
| 268284 | BSM75GB120DLC | Hchstzulssige Werte maximale steuerpflichtige Werte | Eupec GmbH |
| 268285 | BSM75GB120DN2 | IGBT Energie Modul (Hälfte-Brücke einschließlich schnelles Freilaufdioden Paket mit Isoliermetallgrundplatte) | Siemens |
| 268286 | BSM75GB170DN2 | IGBT Energie Modul (Hälfte-Brücke einschließlich schnelles Freilaufdioden Paket mit Isoliermetallgrundplatte) | Siemens |
| 268287 | BSM75GB60DLC | Hchstzulssige Werte maximale steuerpflichtige Werte | Eupec GmbH |
| 268288 | BSM75GD120DN2 | IGBT Energie Modul (Solderable Energie Modul 3phasige Vollbrücke einschließlich schnelle Freirad Dioden) | Siemens |
| 268289 | BSN10 | vertikale D-MOS Transistoren des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268290 | BSN10A | vertikale D-MOS Transistoren des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268291 | BSN20 | Transistor des N-Führung Verbesserung Modus fangen-effect | Philips |
| 268292 | BSN20 | N-Kanal-TrenchMOS extrem niedrigen Niveau FET | NXP Semiconductors |
| 268293 | BSN20 | N-Führung Verbesserung Modus Fangen MOSFET | Diodes |
| 268294 | BSN20-7 | N-Führung Verbesserung Modus Fangen MOSFET | Diodes |
| 268295 | BSN205 | vertikaler D-MOS Transistor des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268296 | BSN205A | vertikaler D-MOS Transistor des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268297 | BSN20W | vertikaler D-MOS Transistor des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268298 | BSN254 | vertikaler D-MOS Transistor des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268299 | BSN254A | vertikaler D-MOS Transistor des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268300 | BSN274 | vertikaler D-MOS Transistor des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268301 | BSN274A | vertikaler D-MOS Transistor des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268302 | BSN304 | vertikaler D-MOS Transistor des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268303 | BSN304A | vertikale D-MOS Transistoren des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268304 | BSO 612 CV | SIPMOS® Parametrische Suche | Infineon |
| 268305 | BSO 615 C | SIPMOS® Parametrische Suche | Infineon |
| 268306 | BSO 615 N | DoppelN-führung Mosfet, 60V, SO-8, RDSon = 150mW, 2.6A, LL | Infineon |
| 268307 | BSO-302SN | SIPMOS Klein-Signal-Transistor | Infineon |
| 268308 | BSO052N03S | Niederspannung MOSFETs - Energie OptiMOS.2 Mosfet, 30V, SO8, RDSon = 5.2mOhm, 17A, LL | Infineon |
| 268309 | BSO064N03S | Niederspannung MOSFETs - Energie OptiMOS.2 Mosfet, 30V, SO8, RDSon = 6.4mOhm, 16A, LL | Infineon |
| 268310 | BSO072N03S | Niederspannung MOSFETs - Energie OptiMOS.2 Mosfet, 30V, SO8, RDSon = 6.8mOhm, 15A, LL | Infineon |
| 268311 | BSO080P03S | Niederspannung MOSFETs - OptiMOS Mosfet, -30V, SO-8, Ron = 8m | Infineon |
| 268312 | BSO094N03S | Niederspannung MOSFETs - Energie OptiMOS.2 Mosfet, 30V, SO8, RDSon = 9.1mOhm, 13A, LL | Infineon |
| 268313 | BSO104N03S | Niederspannung MOSFETs - Energie OptiMOS.2 Mosfet, 30V, SO8, RDSon = 9.7mOhm, 13A, LL | Infineon |
| 268314 | BSO119N03S | Niederspannung MOSFETs - Energie OptiMOS.2 Mosfet, 30V, SO8, RDSon = 11.9mOhm, 11A, LL | Infineon |
| 268315 | BSO130P03S | OptiMOS Mosfet, -30V, SO-8, Ron = 13mW, 11.3A, LL | Infineon |
| 268316 | BSO150N03 | Niederspannung MOSFETs - Energie OptiMOS.2 MOSFET, 30V, SO8, RDSon = 15mOhm, 9.1A, LL, Doppel | Infineon |
| 268317 | BSO200N03S | Niederspannung MOSFETs - Energie OptiMOS.2 Mosfet, 30V, SO8, RDSon = 20mOhm, 8.8A, LL | Infineon |
| 268318 | BSO200P03S | Niederspannung MOSFETs - OptiMOS Mosfet, -30V, SO-8, Ron = 20m | Infineon |
| 268319 | BSO201SP | Niederspannung MOSFETs - OptiMOS Mosfet, -20V, SO-8 | Infineon |
| 268320 | BSO203P | Niederspannung MOSFETs - OptiMOS Mosfet, -20V, SO-8 | Infineon |
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