| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 268281 | BSM50GP60 | Hochstzulassige Werte/valores clasificados máximos | Eupec GmbH |
| 268282 | BSM682F | Módulo de potencia MOSFET, 800V, 6 x 10A | Siemens |
| 268283 | BSM75GAL120DN2 | Módulo de la energía de IGBT (solo interruptor con el diodo del interruptor incluyendo diodos free-wheeling rápidos) | Siemens |
| 268284 | BSM75GB120DLC | Valores clasificados máximos de Hchstzulssige Werte | Eupec GmbH |
| 268285 | BSM75GB120DN2 | Módulo de la energía de IGBT (Mitad-puente incluyendo el paquete free-wheeling rápido de los diodos con el embase aislado del metal) | Siemens |
| 268286 | BSM75GB170DN2 | Módulo de la energía de IGBT (Mitad-puente incluyendo el paquete free-wheeling rápido de los diodos con el embase aislado del metal) | Siemens |
| 268287 | BSM75GB60DLC | Valores clasificados máximos de Hchstzulssige Werte | Eupec GmbH |
| 268288 | BSM75GD120DN2 | Módulo de la energía de IGBT (lleno-puente trifásico del módulo de la energía de Solderable incluyendo diodos rápidos de la libre-rueda) | Siemens |
| 268289 | BSN10 | transistores verticales D-MOS del modo del realce del N-canal | Philips |
| 268290 | BSN10A | transistores verticales D-MOS del modo del realce del N-canal | Philips |
| 268291 | BSN20 | transistor del efecto de campo del modo del realce del N-canal | Philips |
| 268292 | BSN20 | TrenchMOS N-canal extremadamente bajo nivel de FET | NXP Semiconductors |
| 268293 | BSN20 | N-canal MEJORA modo de campo MOSFET | Diodes |
| 268294 | BSN20-7 | N-canal MEJORA modo de campo MOSFET | Diodes |
| 268295 | BSN205 | transistor vertical D-MOS del modo del realce del N-canal | Philips |
| 268296 | BSN205A | transistor vertical D-MOS del modo del realce del N-canal | Philips |
| 268297 | BSN20W | transistor vertical D-MOS del modo del realce del N-canal | Philips |
| 268298 | BSN254 | transistor vertical D-MOS del modo del realce del N-canal | Philips |
| 268299 | BSN254A | transistor vertical D-MOS del modo del realce del N-canal | Philips |
| 268300 | BSN274 | transistor vertical D-MOS del modo del realce del N-canal | Philips |
| 268301 | BSN274A | transistor vertical D-MOS del modo del realce del N-canal | Philips |
| 268302 | BSN304 | transistor vertical D-MOS del modo del realce del N-canal | Philips |
| 268303 | BSN304A | transistores verticales D-MOS del modo del realce del N-canal | Philips |
| 268304 | BSO 612 CV | SIPMOS® Búsqueda Paramétrica | Infineon |
| 268305 | BSO 615 C | SIPMOS® Búsqueda Paramétrica | Infineon |
| 268306 | BSO 615 N | Mosfet Dual Del N-Canal, 60V, So-8, RDSon = 150mW, 2.Ã, LL | Infineon |
| 268307 | BSO-302SN | Pequeño-Señal-Transistor de SIPMOS | Infineon |
| 268308 | BSO052N03S | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon Los = 5.2mOhm, 17A, LL | Infineon |
| 268309 | BSO064N03S | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon Los = 6.4mOhm, 1Ã, LL | Infineon |
| 268310 | BSO072N03S | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon Los = 6.8mOhm, 1Ä, LL | Infineon |
| 268311 | BSO080P03S | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De OptiMOS, -30V, So-8, Ron Los = 8m | Infineon |
| 268312 | BSO094N03S | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon Los = 9.1mOhm, 1Á, LL | Infineon |
| 268313 | BSO104N03S | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon Los = 9.7mOhm, 1Á, LL | Infineon |
| 268314 | BSO119N03S | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon El = 11.9mOhm, 11A, LL | Infineon |
| 268315 | BSO130P03S | Mosfet De OptiMOS, -30V, So-8, Ron = 13mW, 11.Á, LL | Infineon |
| 268316 | BSO150N03 | MOSFETs de la baja tensión - MOSFET de la energía OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon el = 15mOhm, 9.1A, LL, dual | Infineon |
| 268317 | BSO200N03S | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon Los = 20mOhm, 8.Å, LL | Infineon |
| 268318 | BSO200P03S | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De OptiMOS, -30V, So-8, Ron Los = 20m | Infineon |
| 268319 | BSO201SP | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De OptiMOS, -20V, So-8 | Infineon |
| 268320 | BSO203P | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De OptiMOS, -20V, So-8 | Infineon |
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