| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 268281 | BSM50GP60 | Hochstzulassige Werte/valeurs évaluées maximum | Eupec GmbH |
| 268282 | BSM682F | module de puissance MOSFET, 800V, 6 x 10A | Siemens |
| 268283 | BSM75GAL120DN2 | Module de puissance d'cIgbt (commutateur simple avec la diode de découpeur comprenant les diodes indépendantes rapides) | Siemens |
| 268284 | BSM75GB120DLC | Valeurs évaluées maximum de Hchstzulssige Werte | Eupec GmbH |
| 268285 | BSM75GB120DN2 | Module de puissance d'cIgbt (Moitié-pont comprenant le paquet indépendant rapide de diodes avec l'embase isolée en métal) | Siemens |
| 268286 | BSM75GB170DN2 | Module de puissance d'cIgbt (Moitié-pont comprenant le paquet indépendant rapide de diodes avec l'embase isolée en métal) | Siemens |
| 268287 | BSM75GB60DLC | Valeurs évaluées maximum de Hchstzulssige Werte | Eupec GmbH |
| 268288 | BSM75GD120DN2 | Module de puissance d'cIgbt (plein-pont triphasé de module de puissance de Solderable comprenant les diodes rapides de libre-roue) | Siemens |
| 268289 | BSN10 | transistors D-MOS verticaux de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
| 268290 | BSN10A | transistors D-MOS verticaux de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
| 268291 | BSN20 | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
| 268292 | BSN20 | TrenchMOS canal N niveau extrêmement bas FET | NXP Semiconductors |
| 268293 | BSN20 | N-CANAL ENHANCEMENT MODE CHAMP MOSFET | Diodes |
| 268294 | BSN20-7 | N-CANAL ENHANCEMENT MODE CHAMP MOSFET | Diodes |
| 268295 | BSN205 | transistor D-MOS vertical de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
| 268296 | BSN205A | transistor D-MOS vertical de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
| 268297 | BSN20W | transistor D-MOS vertical de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
| 268298 | BSN254 | transistor D-MOS vertical de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
| 268299 | BSN254A | transistor D-MOS vertical de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
| 268300 | BSN274 | transistor D-MOS vertical de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
| 268301 | BSN274A | transistor D-MOS vertical de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
| 268302 | BSN304 | transistor D-MOS vertical de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
| 268303 | BSN304A | transistors D-MOS verticaux de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
| 268304 | BSO 612 CV | SIPMOS® Recherche Paramétrique | Infineon |
| 268305 | BSO 615 C | SIPMOS® Recherche Paramétrique | Infineon |
| 268306 | BSO 615 N | Transistor MOSFET Duel De N-Canal, 60V, So-8, RDSon = 150mW, 2.Ã, LL | Infineon |
| 268307 | BSO-302SN | Petit-Signal-Transistor de SIPMOS | Infineon |
| 268308 | BSO052N03S | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET De la Puissance OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon = 5.2mOhm, 17A, LL | Infineon |
| 268309 | BSO064N03S | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET De la Puissance OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon = 6.4mOhm, 1Ã, LL | Infineon |
| 268310 | BSO072N03S | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET De la Puissance OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon = 6.8mOhm, 1Ä, LL | Infineon |
| 268311 | BSO080P03S | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET D'OptiMOS, -30V, So-8, Ron = 8m | Infineon |
| 268312 | BSO094N03S | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET De la Puissance OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon = 9.1mOhm, 1Á, LL | Infineon |
| 268313 | BSO104N03S | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET De la Puissance OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon = 9.7mOhm, 1Á, LL | Infineon |
| 268314 | BSO119N03S | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET De la Puissance OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon = 11.9mOhm, 11A, LL | Infineon |
| 268315 | BSO130P03S | Transistor MOSFET D'OptiMOS, -30V, So-8, Ron = 13mW, 11.Á, LL | Infineon |
| 268316 | BSO150N03 | Transistors MOSFET de basse tension - transistor MOSFET de la puissance OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon = 15mOhm, 9.1A, LL, duel | Infineon |
| 268317 | BSO200N03S | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET De la Puissance OptiMOS®2, 30V, SO8, RDSon = 20mOhm, 8.Å, LL | Infineon |
| 268318 | BSO200P03S | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET D'OptiMOS, -30V, So-8, Ron = 20m | Infineon |
| 268319 | BSO201SP | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET D'OptiMOS, -20V, So-8 | Infineon |
| 268320 | BSO203P | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET D'OptiMOS, -20V, So-8 | Infineon |
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