| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 268441 | BSP205 | vertikaler D-MOS Transistor des P-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268442 | BSP206 | vertikaler D-MOS Transistor des P-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268443 | BSP20AT1 | SOT.223 SILIKON-HOCHSPANNUNGSTRANSISTOR-OBERFLÄCHE EINFASSUNG DES PAKET-NPN | Motorola |
| 268444 | BSP220 | vertikaler D-MOS Transistor des P-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268445 | BSP220 | P-Kanal-vertikale D-MOS-FET-Zwischenebene | NXP Semiconductors |
| 268446 | BSP225 | vertikaler D-MOS Transistor des P-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268447 | BSP225 | P-Kanal-vertikale D-MOS-FET-Zwischenebene | NXP Semiconductors |
| 268448 | BSP230 | vertikaler D-MOS Transistor des P-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268449 | BSP230 | P-Kanal-vertikale D-MOS-FET-Zwischenebene | NXP Semiconductors |
| 268450 | BSP250 | vertikaler D-MOS Transistor des P-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268451 | BSP250 | P-Kanal-vertikale D-MOS-FET-Zwischenebene | NXP Semiconductors |
| 268452 | BSP254 | vertikaler D-MOS Transistor des P-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268453 | BSP254A | vertikaler D-MOS Transistor des P-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268454 | BSP255 | vertikaler D-MOS Transistor des P-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268455 | BSP280 | IGBT Transistor (N Führung MOS eingegebener Spannung-kontrollierter hoher Schaltergeschwindigkeit sehr niedriger Endstückstrom) | Siemens |
| 268456 | BSP295 | Niederspannung MOSFETs - N-Führung SIPMOS Klein-Signal Transistor | Infineon |
| 268457 | BSP295 | SIPMOS Klein-Signal Transistor (N Führung Verbesserung Modus Logik-Niveau) | Siemens |
| 268458 | BSP296 | Niederspannung MOSFETs - Klein-Signal Mosfet, 100V, SOT-223, RDSon=0.8 Ohm, 1.0A, LL | Infineon |
| 268459 | BSP296 | SIPMOS Klein-Signal Transistor (N Führung Verbesserung Modus Logik-Niveau) | Siemens |
| 268460 | BSP297 | Niederspannung MOSFETs - Kleiner Signal Mosfet, 200V, SOT-223, RDSon=2.0 Ohm, 0.65A, LL | Infineon |
| 268461 | BSP297 | SIPMOS Klein-Signal Transistor (N Führung Verbesserung Modus Logik-Niveau) | Siemens |
| 268462 | BSP298 | SIPMOS Klein-Signal Transistor (N Führung Verbesserung Modus Lawine veranschlagen) | Siemens |
| 268463 | BSP298 | SIPMOS Klein-Signal Transistor | Infineon |
| 268464 | BSP299 | SIPMOS Klein-Signal Transistor (N Führung Verbesserung Modus Lawine veranschlagen) | Siemens |
| 268465 | BSP299 | SIPMOS Klein-Signal Transistor | Infineon |
| 268466 | BSP30 | MITTLERER ENDVERSTÄRKER | SGS Thomson Microelectronics |
| 268467 | BSP30 | Oberflächeneinfassung Silikon-Epitaxial- PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 268468 | BSP30 | MITTLERER ENDVERSTÄRKER | ST Microelectronics |
| 268469 | BSP300 | SIPMOS Klein-Signal Transistor (N Führung Verbesserung Modus Lawine veranschlagen) | Siemens |
| 268470 | BSP300 | SIPMOS Klein-Signal Transistor | Infineon |
| 268471 | BSP304 | vertikale D-MOS Transistoren des P-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268472 | BSP304A | vertikale D-MOS Transistoren des P-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268473 | BSP308E6327 | N-Führung SIPMOS Klein-Signal Transistor | Infineon |
| 268474 | BSP308E6433 | N-Führung SIPMOS Klein-Signal Transistor | Infineon |
| 268475 | BSP31 | PNP mittlere Energie Transistoren | Philips |
| 268476 | BSP31 | SOT223 PNP SILIKON-PLANARE MITTLERE ENERGIE TRANSISTOREN | Zetex Semiconductors |
| 268477 | BSP31 | MITTLERER ENDVERSTÄRKER | SGS Thomson Microelectronics |
| 268478 | BSP31 | Oberflächeneinfassung Silikon-Epitaxial- PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 268479 | BSP31 | MITTLERER ENDVERSTÄRKER | ST Microelectronics |
| 268480 | BSP31 | 60 V, 1 A PNP-Transistor mittlerer Leistung | NXP Semiconductors |
| | | |
