| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 268361 | BSP 365 | Billige Hohe Seitliche Schalter | Infineon |
| 268362 | BSP 450 | Billige Hohe Seitliche Schalter | Infineon |
| 268363 | BSP 452 | Billige Hohe Seitliche Schalter | Infineon |
| 268364 | BSP 550 | Billige Hohe Seitliche Schalter | Infineon |
| 268365 | BSP 742-R | Billige Hohe Seitliche Schalter | Infineon |
| 268366 | BSP 742-RI | Billige Hohe Seitliche Schalter | Infineon |
| 268367 | BSP 742-T | Billige Hohe Seitliche Schalter | Infineon |
| 268368 | BSP 752-R | Billige Hohe Seitliche Schalter | Infineon |
| 268369 | BSP 752-T | Billige Hohe Seitliche Schalter | Infineon |
| 268370 | BSP 76 | Geschützter Niedriger Seitlicher Schalter | Infineon |
| 268371 | BSP 762-T | Billige Hohe Seitliche Schalter | Infineon |
| 268372 | BSP 77 | Geschützter Niedriger Seitlicher Schalter | Infineon |
| 268373 | BSP 772-T | Billige Hohe Seitliche Schalter | Infineon |
| 268374 | BSP 78 | Geschützter Niedriger Seitlicher Schalter | Infineon |
| 268375 | BSP030 | Transistor des N-Führung Verbesserung Modus fangen-effect | Philips |
| 268376 | BSP030 | N-Kanal-FET TrenchMOS Zwischenebene | NXP Semiconductors |
| 268377 | BSP090 | vertikaler D-MOS Transistor des P-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268378 | BSP100 | N-Führung Verbesserung Modus TrenchMOS(tm) Transistor | Philips |
| 268379 | BSP100 | N-Kanal-FET TrenchMOS Zwischenebene | NXP Semiconductors |
| 268380 | BSP106 | vertikaler D-MOS Transistor des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268381 | BSP107 | vertikaler D-MOS Transistor des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268382 | BSP108 | vertikaler D-MOS Transistor des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268383 | BSP110 | Transistor des N-Führung Verbesserung Modus fangen-effect | Philips |
| 268384 | BSP110 | N-Kanal-FET TrenchMOS Zwischenebene | NXP Semiconductors |
| 268385 | BSP120 | vertikaler D-MOS Transistor des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268386 | BSP121 | vertikaler D-MOS Transistor des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268387 | BSP122 | vertikaler D-MOS Transistor des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268388 | BSP122 | N-Kanal vertikaler D-MOS-FET-Logikpegel | NXP Semiconductors |
| 268389 | BSP123 | Niederspannung MOSFETs - Klein-Signal Mosfet, 100V, SOT-223, RDSon=6 Ohm, 0.37A, LL | Infineon |
| 268390 | BSP123 | SIPMOS Klein-Signal Transistor (N Führung Verbesserung Modus Logik-Niveau) | Siemens |
| 268391 | BSP125 | SIPMOS Klein-Signal Transistor (N Führung Verbesserung Modus) | Siemens |
| 268392 | BSP125 | SIPMOS Energie-Transistor | Infineon |
| 268393 | BSP126 | vertikaler D-MOS Transistor des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268394 | BSP126 | N-Kanal vertikaler D-MOS-FET-Logikpegel | NXP Semiconductors |
| 268395 | BSP127 | vertikaler D-MOS Transistor des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268396 | BSP128 | vertikaler D-MOS Transistor des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268397 | BSP129 | Niederspannung MOSFETs - Entleerung Mosfet, 240V, SOT-223, RDSon = 6Ohm, 0.05A, LL | Infineon |
| 268398 | BSP129 | SIPMOS Klein-Signal Transistor (hoher dynamischer Widerstand der N Führung Abgangsart) | Siemens |
| 268399 | BSP130 | vertikaler D-MOS Transistor des N-Führung Verbesserung Modus | Philips |
| 268400 | BSP130 | N-Kanal vertikaler D-MOS-FET-Logikpegel | NXP Semiconductors |
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