| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 442281 | GN13 | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | GOOD-ARK Electronics |
| 442282 | GN1A | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
| 442283 | GN1A | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | GOOD-ARK Electronics |
| 442284 | GN1A3Q | Гибридный транзистор | NEC |
| 442285 | GN1A3Q-T1 | Гибридный транзистор | NEC |
| 442286 | GN1A3Q-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
| 442287 | GN1A4M | ПРЕССФОРМА СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРА ТИПА PNP РЕЗИСТОРА
BUILT-IN ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИ МИНИАЯ | NEC |
| 442288 | GN1A4M-T1 | Гибридный транзистор | NEC |
| 442289 | GN1A4M-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
| 442290 | GN1A4P | ПРЕССФОРМА СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРА ТИПА PNP РЕЗИСТОРА
BUILT-IN ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИ МИНИАЯ | NEC |
| 442291 | GN1A4P-T1 | Гибридный транзистор | NEC |
| 442292 | GN1A4P-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
| 442293 | GN1A4Z | ПРЕССФОРМА СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРА ТИПА PNP РЕЗИСТОРА
BUILT-IN ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИ МИНИАЯ | NEC |
| 442294 | GN1A4Z-T1 | Гибридный транзистор | NEC |
| 442295 | GN1A4Z-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
| 442296 | GN1B | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
| 442297 | GN1B | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | GOOD-ARK Electronics |
| 442298 | GN1D | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
| 442299 | GN1D | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | GOOD-ARK Electronics |
| 442300 | GN1F4M | ПРЕССФОРМА СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРА ТИПА PNP РЕЗИСТОРА
BUILT-IN ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИ МИНИАЯ | NEC |
| 442301 | GN1F4M-T1 | Гибридный транзистор | NEC |
| 442302 | GN1F4M-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
| 442303 | GN1F4N | ПРЕССФОРМА СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРА ТИПА PNP РЕЗИСТОРА
BUILT-IN ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИ МИНИАЯ | NEC |
| 442304 | GN1F4N-T1 | Гибридный транзистор | NEC |
| 442305 | GN1F4N-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
| 442306 | GN1F4Z | ПРЕССФОРМА СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРА ТИПА PNP РЕЗИСТОРА
BUILT-IN ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИ МИНИАЯ | NEC |
| 442307 | GN1F4Z-T1 | Гибридный транзистор | NEC |
| 442308 | GN1F4Z-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
| 442309 | GN1G | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
| 442310 | GN1G | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | GOOD-ARK Electronics |
| 442311 | GN1J | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
| 442312 | GN1J | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | GOOD-ARK Electronics |
| 442313 | GN1K | СТЕКЛО ЗАПАССИВИРОВАЛО ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ
СОЕДИНЕНИЯ | EIC discrete Semiconductors |
| 442314 | GN1K | ПОВЕРХНОСТНЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ
ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ | GOOD-ARK Electronics |
| 442315 | GN1L3M | ПРЕССФОРМА СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРА ТИПА PNP РЕЗИСТОРА
BUILT-IN ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИ МИНИАЯ | NEC |
| 442316 | GN1L3M-T1 | Гибридный транзистор | NEC |
| 442317 | GN1L3M-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
| 442318 | GN1L3N | ПРЕССФОРМА СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРА ТИПА PNP РЕЗИСТОРА
BUILT-IN ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИ МИНИАЯ | NEC |
| 442319 | GN1L3N-T1 | Гибридный транзистор | NEC |
| 442320 | GN1L3N-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
| | | |
