| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 442281 | GN13 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG GLAS PASSIVIERTER VERZWEIGUNG GLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 442282 | GN1A | GLAS PASSIVIERTE VERZWEIGUNG SILIKON-OBERFLÄCHE EINFASSUNG | EIC discrete Semiconductors |
| 442283 | GN1A | OBERFLÄCHENEINFASSUNG GLAS PASSIVIERTER VERZWEIGUNG GLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 442284 | GN1A3Q | Hybrider Transistor | NEC |
| 442285 | GN1A3Q-T1 | Hybrider Transistor | NEC |
| 442286 | GN1A3Q-T2 | Hybrider Transistor | NEC |
| 442287 | GN1A4M | MITTLERE ART PNP TRANSISTOR DES GESCHWINDIGKEIT SCHALTUNG WIDERSTAND-BUILT-IN | NEC |
| 442288 | GN1A4M-T1 | Hybrider Transistor | NEC |
| 442289 | GN1A4M-T2 | Hybrider Transistor | NEC |
| 442290 | GN1A4P | MITTLERE ART PNP TRANSISTOR DES GESCHWINDIGKEIT SCHALTUNG WIDERSTAND-BUILT-IN | NEC |
| 442291 | GN1A4P-T1 | Hybrider Transistor | NEC |
| 442292 | GN1A4P-T2 | Hybrider Transistor | NEC |
| 442293 | GN1A4Z | MITTLERE ART PNP TRANSISTOR DES GESCHWINDIGKEIT SCHALTUNG WIDERSTAND-BUILT-IN | NEC |
| 442294 | GN1A4Z-T1 | Hybrider Transistor | NEC |
| 442295 | GN1A4Z-T2 | Hybrider Transistor | NEC |
| 442296 | GN1B | GLAS PASSIVIERTE VERZWEIGUNG SILIKON-OBERFLÄCHE EINFASSUNG | EIC discrete Semiconductors |
| 442297 | GN1B | OBERFLÄCHENEINFASSUNG GLAS PASSIVIERTER VERZWEIGUNG GLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 442298 | GN1D | GLAS PASSIVIERTE VERZWEIGUNG SILIKON-OBERFLÄCHE EINFASSUNG | EIC discrete Semiconductors |
| 442299 | GN1D | OBERFLÄCHENEINFASSUNG GLAS PASSIVIERTER VERZWEIGUNG GLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 442300 | GN1F4M | MITTLERE ART PNP TRANSISTOR DES GESCHWINDIGKEIT SCHALTUNG WIDERSTAND-BUILT-IN | NEC |
| 442301 | GN1F4M-T1 | Hybrider Transistor | NEC |
| 442302 | GN1F4M-T2 | Hybrider Transistor | NEC |
| 442303 | GN1F4N | MITTLERE ART PNP TRANSISTOR DES GESCHWINDIGKEIT SCHALTUNG WIDERSTAND-BUILT-IN | NEC |
| 442304 | GN1F4N-T1 | Hybrider Transistor | NEC |
| 442305 | GN1F4N-T2 | Hybrider Transistor | NEC |
| 442306 | GN1F4Z | MITTLERE ART PNP TRANSISTOR DES GESCHWINDIGKEIT SCHALTUNG WIDERSTAND-BUILT-IN | NEC |
| 442307 | GN1F4Z-T1 | Hybrider Transistor | NEC |
| 442308 | GN1F4Z-T2 | Hybrider Transistor | NEC |
| 442309 | GN1G | GLAS PASSIVIERTE VERZWEIGUNG SILIKON-OBERFLÄCHE EINFASSUNG | EIC discrete Semiconductors |
| 442310 | GN1G | OBERFLÄCHENEINFASSUNG GLAS PASSIVIERTER VERZWEIGUNG GLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 442311 | GN1J | GLAS PASSIVIERTE VERZWEIGUNG SILIKON-OBERFLÄCHE EINFASSUNG | EIC discrete Semiconductors |
| 442312 | GN1J | OBERFLÄCHENEINFASSUNG GLAS PASSIVIERTER VERZWEIGUNG GLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 442313 | GN1K | GLAS PASSIVIERTE VERZWEIGUNG SILIKON-OBERFLÄCHE EINFASSUNG | EIC discrete Semiconductors |
| 442314 | GN1K | OBERFLÄCHENEINFASSUNG GLAS PASSIVIERTER VERZWEIGUNG GLEICHRICHTER | GOOD-ARK Electronics |
| 442315 | GN1L3M | MITTLERE ART PNP TRANSISTOR DES GESCHWINDIGKEIT SCHALTUNG WIDERSTAND-BUILT-IN | NEC |
| 442316 | GN1L3M-T1 | Hybrider Transistor | NEC |
| 442317 | GN1L3M-T2 | Hybrider Transistor | NEC |
| 442318 | GN1L3N | MITTLERE ART PNP TRANSISTOR DES GESCHWINDIGKEIT SCHALTUNG WIDERSTAND-BUILT-IN | NEC |
| 442319 | GN1L3N-T1 | Hybrider Transistor | NEC |
| 442320 | GN1L3N-T2 | Hybrider Transistor | NEC |
| | | |
