| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 63601 | STF6N65K3(045Y) | N-канальный 650 В, 1,1 Ом тип., 5,4 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в TO-220FP узкие проводам упаковке | ST Microelectronics |
| 63602 | STF6N65M2 | N-канальный 650 В, 1,2 Ом тип., 4 MDmesh M2 питания MOSFET в TO-220FP пакета | ST Microelectronics |
| 63603 | STF6N80K5 | N-канальный 800 В, 1,3 Ом тип., 4,5 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-220FP пакета | ST Microelectronics |
| 63604 | STF6N95K5 | N-канальный 950 В, 1 Ом тип., 9 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-220FP пакета | ST Microelectronics |
| 63605 | STF6NK50Z | N-CHANNEL 500V - 0.98 ОМА - 5.6ЈA
TO-220/$$ET-MOSFET TO-220FP/$$ET-DPAK ZENER-PROTECTED™ SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 63606 | STF6NK70Z | N-CHANNEL 700V - 1.5 Ома - 5ЈA -
Mosfet TO-220/TO-220FP ZENER-PROTECTED SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 63607 | STF715 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ NPN СРЕДСТВ | ST Microelectronics |
| 63608 | STF7N52DK3 | N-канальный 525 В, 0,95 Ом тип., 6 SuperFREDmesh (TM) 3 мощность MOSFET в TO-220FP пакета | ST Microelectronics |
| 63609 | STF7N52K3 | N-канальный 525 В, 0,72 Ом, 6, к-220FP SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 63610 | STF7N60M2 | N-канальный 600 В, 0,86 Ом тип., 5 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в TO-220FP пакета | ST Microelectronics |
| 63611 | STF7N65M2 | N-канальный 650 В, 0,96 Ом тип., 5 MDmesh M2 питания MOSFET в корпусе ТО-220FP | ST Microelectronics |
| 63612 | STF7N80K5 | N-канальный 800 В, 0,95 Ом тип., 6 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-220FP пакета | ST Microelectronics |
| 63613 | STF7N95K3 | N-канальный 950 В, 1,1 Î ©, 7,2, К-220, К-220FP, TO-247 Зенера защищен SuperMESH3Í ?? 2, 2; Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 63614 | STF7NK30Z | MOSFET СИЛЫ ОМА 5ЈA TO-220 TO-220FP
ZENER-PROTECTED SUPERMESH N-CHANNEL™ 300V 0.80 | ST Microelectronics |
| 63615 | STF7NM60N | N-канальный 600 V, 5, 0,84 Ом MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220FP пакет | ST Microelectronics |
| 63616 | STF7NM80 | N-канальный 800 В, 0,95 Ом, 6,5 MDmesh (TM) Мощность MOSFET в TO-220FP пакета | ST Microelectronics |
| 63617 | STF80N10F7 | N-канальный 100 В, 0,0085 Ом тип., 40 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в TO-220FP пакета | ST Microelectronics |
| 63618 | STF817 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ PNP СРЕДСТВ | ST Microelectronics |
| 63619 | STF8N65M5 | N-канальный 650 В, 0,56 Ом, 7 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220FP | ST Microelectronics |
| 63620 | STF8N80K5 | N-канальный 800 В, 0,8 Ом тип., 6 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-220FP пакета | ST Microelectronics |
| 63621 | STF8NK100Z | N-CHANNEL 1000 - 1.60Ohm - 6.5A - К-220 - К-220FP | ST Microelectronics |
| 63622 | STF8NK85Z | N-CHANNEL 850V -1.1Ohm - Mosfet
8.6ЈA Зенер-Za5i5enny1 TO-220/TO-220FP SuperMESH | ST Microelectronics |
| 63623 | STF8NM50N | N-канальный 500 В, 0,73 Ом, 5 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220FP | ST Microelectronics |
| 63624 | STF8NM60ND | N-канальный 600 В, 0,59 Î ©, 7, FDmeshÍ ?? 2; 2; II Мощность MOSFET TO-220, TO-220FP Ипак, DPAK | ST Microelectronics |
| 63625 | STF92 | МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА PNP | ST Microelectronics |
| 63626 | STF9N60M2 | N-канальный 600 В, 0,72 Ом тип., 5,5 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в TO-220FP пакета | ST Microelectronics |
| 63627 | STF9N65M2 | N-канальный 650 В, 0,79 Ом тип., 5 MDmesh M2 питания MOSFET в TO-220FP пакета | ST Microelectronics |
| 63628 | STF9NK60ZD | N-CHANNEL 600V - 0.85 ОМА - 7A
TO-220/TO-220FP/D2PAK ГОЛОДАЮТ MOSFET ДИОДА SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 63629 | STF9NK80Z | N-CHANNEL 800V -0.9Јohm - Mosfet
7.5ЈA Зенер-Za5i5enny1 TO-220/TO-220FP SuperMESH | ST Microelectronics |
| 63630 | STF9NK80Z | N-CHANNEL 800V -0.9Јohm - Mosfet
7.5ЈA Зенер-Za5i5enny1 TO-220/TO-220FP SuperMESH | ST Microelectronics |
| 63631 | STF9NK90 | N-CHANNEL 900V - 1.1W - Mosfet
8ЈA Зенер-Za5i5enny1 TO-220/TO-220FP/TO-247
SuperMESH.?wer | ST Microelectronics |
| 63632 | STF9NK90 | N-CHANNEL 900V - 1.1W - Mosfet
8ЈA Зенер-Za5i5enny1 TO-220/TO-220FP/TO-247
SuperMESH.?wer | ST Microelectronics |
| 63633 | STF9NK90Z | MOSFET СИЛЫ ОМА 8ЈA TO-220 TO-220FP
TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH N-CHANNEL
900V 1.1 | ST Microelectronics |
| 63634 | STF9NM60N | N-канальный 600 В, 0,63 Ом, 6,5 TO-220FP MDmesh (TM) II на MOSFET | ST Microelectronics |
| 63635 | STF9NM60N(045Y) | N-канальный 600 В, 0,63 Ом, 6,5 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220FP узкие проводам упаковке | ST Microelectronics |
| 63636 | STFC01 | Встроенный ограничитель тока | ST Microelectronics |
| 63637 | STFC01DR | Встроенный ограничитель тока | ST Microelectronics |
| 63638 | STFI10N60M2 | N-канальный 600 В, 0,55 Ом тип., 7,5 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63639 | STFI10N62K3 | N-канальный 620 В, 0,68 Ом тип., 8,4 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63640 | STFI10N65K3 | N-канальный 650 В, 0,75 Ом тип., 10 Зенера защищен SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63641 | STFI10NK60Z | N-канальный 600 В, 0,65 Ом, 10, стабилитрон, защищенных SuperMESH (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63642 | STFI11N65M2 | N-канальный 650 В, 0,6 Ом тип., 7 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63643 | STFI11NM65N | N-канальный 650 В, 0,425 Ом тип., 11 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63644 | STFI130N10F3 | N-канальный 100 В, 8 мОм ном., 46 STripFET (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63645 | STFI13N60M2 | N-канальный 600 В, 0,35 Ом тип., 11 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63646 | STFI13N95K3 | N-канальный 950 В, 0,68 Ом тип., 10 Зенера защищен SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP | ST Microelectronics |
| 63647 | STFI13NK60Z | N-канальный 600 В, 0,48 Ом, 13, стабилитрон, защищенных SuperMESH (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63648 | STFI13NM60N | N-канальный 600 В, 0,28 Ом тип., 11 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63649 | STFI15N65M5 | N-канальный 650 В, 0,308 Ом, 11 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63650 | STFI15NM65N | N-канальный 650 В, 0,35 Ом тип., 12 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63651 | STFI20N65M5 | N-канальный 650 В, 0,160 Ом тип., 18 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63652 | STFI20NK50Z | N-канальный 500 В, 0,23 Ом, 17, стабилитрон, защищенных SuperMESH (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63653 | STFI20NM65N | N-канальный 650 В, 0,25 Ом тип., 15 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63654 | STFI24N60M2 | N-канальный 600 В, 0,168 Ом тип., 18 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63655 | STFI24NM60N | N-канальный 600 В, 0,168 Ом, 17, MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63656 | STFI260N6F6 | N-канальный 60 V, 0,0024 Ом, 80 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63657 | STFI26NM60N | N-канальный 600 В, 0,135 Ом тип., 20 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63658 | STFI28N60M2 | N-канальный 600 В, 0,135 Ом тип., 22 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg Полевые транзисторы в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63659 | STFI31N65M5 | N-канальный 650 В, 0,124 Ом, 22 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63660 | STFI34N65M5 | N-канальный 650 В, 0,09 Ом, 28 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63661 | STFI34NM60N | N-канальный 600 В, 0,092 Ом, 29, MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63662 | STFI40N60M2 | N-канальный 600 В, 0,078 Ом тип., 34 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в TO-220FP пакета | ST Microelectronics |
| 63663 | STFI4N62K3 | N-канальный 620 В, 1,7 Ом тип., 3,8, SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63664 | STFI5N95K3 | N-канальный 950 В, 3 Ом, 4 стабилитрон с защитой SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63665 | STFI6N62K3 | N-канальный 620 В, 0,95 Ом, 5,5 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63666 | STFI6N65K3 | N-канальный 650 В, 1,1 Ом тип., 5,4 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63667 | STFI6N80K5 | N-канальный 800 В, 1,3 Ом тип., 4,5 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63668 | STFI7N80K5 | N-канальный 800 В, 0,95 Ом тип., 6 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63669 | STFI8N80K5 | N-канальный 800 В, 0,8 Ом тип., 6 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в I2PAKFP пакета | ST Microelectronics |
| 63670 | STFLAFM10 | ПРИСПОСОБИТЕЛЬНЫЙ ПУШИСТЫЙ МОДЕЛЬЕР | ST Microelectronics |
| 63671 | STFLAFM10 | ПРИСПОСОБИТЕЛЬНЫЙ ПУШИСТЫЙ МОДЕЛЬЕР | ST Microelectronics |
| 63672 | STFLAFM10SW | ПРИСПОСОБИТЕЛЬНЫЙ ПУШИСТЫЙ МОДЕЛЬЕР | ST Microelectronics |
| 63673 | STFLAFM10SW | ПРИСПОСОБИТЕЛЬНЫЙ ПУШИСТЫЙ МОДЕЛЬЕР | ST Microelectronics |
| 63674 | STFLSTUDIO10 | ПРИСПОСОБИТЕЛЬНЫЙ ПУШИСТЫЙ МОДЕЛЬЕР | ST Microelectronics |
| 63675 | STFLSTUDIO10 | ПРИСПОСОБИТЕЛЬНЫЙ ПУШИСТЫЙ МОДЕЛЬЕР | ST Microelectronics |
| 63676 | STFLSTUDIO10KIT | ПРИСПОСОБИТЕЛЬНЫЙ ПУШИСТЫЙ МОДЕЛЬЕР | ST Microelectronics |
| 63677 | STFLSTUDIO10KIT | ПРИСПОСОБИТЕЛЬНЫЙ ПУШИСТЫЙ МОДЕЛЬЕР | ST Microelectronics |
| 63678 | STFLSTUDIO2 | ПРИСПОСОБИТЕЛЬНЫЙ ПУШИСТЫЙ МОДЕЛЬЕР | ST Microelectronics |
| 63679 | STFLSTUDIO2 | ПРИСПОСОБИТЕЛЬНЫЙ ПУШИСТЫЙ МОДЕЛЬЕР | ST Microelectronics |
| 63680 | STFLSTUDIO2KIT | ПРИСПОСОБИТЕЛЬНЫЙ ПУШИСТЫЙ МОДЕЛЬЕР | ST Microelectronics |
| 63681 | STFLSTUDIO2KIT | ПРИСПОСОБИТЕЛЬНЫЙ ПУШИСТЫЙ МОДЕЛЬЕР | ST Microelectronics |
| 63682 | STFLWARP11 | ОБРАБОТЧИК ПРАВИЛА ВЕСА АССОЦИАТИВНЫЙ | ST Microelectronics |
| 63683 | STFLWARP11 | ПРИСПОСОБИТЕЛЬНЫЙ ПУШИСТЫЙ МОДЕЛЬЕР | ST Microelectronics |
| 63684 | STFLWARP11 | ОБРАБОТЧИК ПРАВИЛА ВЕСА АССОЦИАТИВНЫЙ | ST Microelectronics |
| 63685 | STFLWARP11 | ПРИСПОСОБИТЕЛЬНЫЙ ПУШИСТЫЙ МОДЕЛЬЕР | ST Microelectronics |
| 63686 | STFLWARP11PG | ОБРАБОТЧИК ПРАВИЛА ВЕСА АССОЦИАТИВНЫЙ | ST Microelectronics |
| 63687 | STFLWARP11PG | ОБРАБОТЧИК ПРАВИЛА ВЕСА АССОЦИАТИВНЫЙ | ST Microelectronics |
| 63688 | STFLWARP11PG-PL | ПРИСПОСОБИТЕЛЬНЫЙ ПУШИСТЫЙ МОДЕЛЬЕР | ST Microelectronics |
| 63689 | STFLWARP11PG-PL | ПРИСПОСОБИТЕЛЬНЫЙ ПУШИСТЫЙ МОДЕЛЬЕР | ST Microelectronics |
| 63690 | STFLWARP11PL | ОБРАБОТЧИК ПРАВИЛА ВЕСА АССОЦИАТИВНЫЙ | ST Microelectronics |
| 63691 | STFLWARP11PL | ОБРАБОТЧИК ПРАВИЛА ВЕСА АССОЦИАТИВНЫЙ | ST Microelectronics |
| 63692 | STFLWARP20L | ПРИСПОСОБИТЕЛЬНЫЙ ПУШИСТЫЙ МОДЕЛЬЕР | ST Microelectronics |
| 63693 | STFLWARP20L | ПРИСПОСОБИТЕЛЬНЫЙ ПУШИСТЫЙ МОДЕЛЬЕР | ST Microelectronics |
| 63694 | STFN42 | Высокое напряжение быстрой коммутации NPN транзистор питания | ST Microelectronics |
| 63695 | STFW12N120K5 | N-канальный 1200 V, 0,58 Ом тип., 12 Зенера защищен SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-3PF Packge | ST Microelectronics |
| 63696 | STFW1N105K3 | N-канальный 1050 V, 8 Ом тип., 1,4 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в TO-3PF пакета | ST Microelectronics |
| 63697 | STFW24N60M2 | N-канальный 600 В, 0,168 Ом тип., 18 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в TO-3PF пакета | ST Microelectronics |
| 63698 | STFW24N60M2- | N-канальный 600 В, 0,168 Ом тип., 18 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в TO-3PF пакета | ST Microelectronics |
| 63699 | STFW38N65M5 | N-канальный 650 В, 0,073 Ом тип., 30 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-3PF пакета | ST Microelectronics |
| 63700 | STFW3N150 | N-канальный 1500 V, 6 Ом тип., 2,5 PowerMESH (TM) мощность MOSFET в TO-3PF пакета | ST Microelectronics |
| | | |
