| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 68401 | STP20NM60FD | MOSFET СИЛЫ ОМА 20A TO-220 TO-220FP
TO-247 FDMESH N-CHANNEL 600V 0.26 | ST Microelectronics |
| 68402 | STP20NM60FP | N-CHANNEL 600V - 0.25 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESH | ST Microelectronics |
| 68403 | STP210N75F6 | N-канальный 75 V, 3 мОм, 120 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 68404 | STP210NF02 | N-CHANNEL 20V - 0.0026 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 68405 | STP21N05L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68406 | STP21N05LFI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68407 | STP21N06L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68408 | STP21N06LFI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68409 | STP21N65M5 | N-канальный 650 В, 0,150 Ом, 17 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 | ST Microelectronics |
| 68410 | STP21N90K5 | N-канальный 900 В, 0,25 Ом, 18,5 В-220 Зенера защищен SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 68411 | STP21NM60ND | N-канальный 600 В, 0,17 Ом тип., 17, FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (ничуть быстро диод) в TO-220 пакет | ST Microelectronics |
| 68412 | STP22NE03 | Н - Mosfet СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА ОДИНОЧНЫЙ | ST Microelectronics |
| 68413 | STP22NE03 | Н - Mosfet СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА ОДИНОЧНЫЙ | ST Microelectronics |
| 68414 | STP22NE03L | MOSFET СИЛЫ РАЗМЕРА ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМА
ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNEL ОДИНОЧНЫЙ | ST Microelectronics |
| 68415 | STP22NE10L | N-CHANNEL 55V - 0.07 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 22ЈA STRIPFET | ST Microelectronics |
| 68416 | STP22NF03L | MOSFET СИЛЫ ОМА 22ЈA TO-220
STRIPFET N-CHANNEL 30V 0.038 | ST Microelectronics |
| 68417 | STP22NM50 | N-CHANNEL 500 В - 0.16 ОМА - 20
Mosfet СИЛЫ TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH | ST Microelectronics |
| 68418 | STP22NM50FP | N-CHANNEL 500 В - 0.16 ОМА - 20
Mosfet СИЛЫ TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH | ST Microelectronics |
| 68419 | STP22NM60 | N-CHANNEL 600 В - 0.19 ОМА - 22
Mosfet СИЛЫ TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH | ST Microelectronics |
| 68420 | STP22NM60FP | N-CHANNEL 600 В - 0.19 ОМА - 22
Mosfet СИЛЫ TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH | ST Microelectronics |
| 68421 | STP22NM60N | N-канальный 600 В, 0,2 Ом, 16 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220 | ST Microelectronics |
| 68422 | STP22NS25Z | ОМ 22ЈA TO-220 N-CHANNEL 250V
0.13/$$ET-MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ D2PAK
ZENER-PROTECTED | ST Microelectronics |
| 68423 | STP23NM50N | N-канальный 500 В, 0,162 Ом, 17, К-220 MDmesh (TM) II на MOSFET | ST Microelectronics |
| 68424 | STP23NM60ND | N-канальный 600 В, 0,150 Ом, 19,5, FDmesh II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) TO-220 | ST Microelectronics |
| 68425 | STP240N10F7 | N-канальный 100 В, 2,5 мОм ном., 180 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 68426 | STP24DP05 | 24-битный постоянного тока светодиодный драйвер раковина с обнаружением выход ошибки | ST Microelectronics |
| 68427 | STP24DP05BTR | 24-битный постоянного тока светодиодный драйвер раковина с обнаружением выход ошибки | ST Microelectronics |
| 68428 | STP24N60DM2 | N-канальный 600 В, 0,175 Ом тип., 18 FDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 68429 | STP24N60M2 | N-канальный 600 В, 0,168 Ом тип., 18 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 68430 | STP24NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.055 ОМА - 26ЈA
TO-220/$$ET-MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА
D2PAK НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 68431 | STP24NM60N | N-канальный 600 В, 0,168 Ом, 17 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET TO-220 | ST Microelectronics |
| 68432 | STP25N06 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68433 | STP25N06FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68434 | STP25N10F7 | N-канальный 100 В, 0,027 Ом тип., 25, STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 68435 | STP25N80K5 | N-канальный 800 В, 0,19 Ом тип., 19,5 SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-220 пакет | ST Microelectronics |
| 68436 | STP25NM50N | N-CHANNEL 550V @ TjMAX - 0.12 Ома -
21.5 Mosfet MDmesh ПОКОЛЕНИЯ А
TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ВТОРОГО | ST Microelectronics |
| 68437 | STP25NM60N | Mosfet MDmesh ПОКОЛЕНИЯ N-CHANNEL
650 @Tjmax-0.140&-20A
TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ВТОРОГО | ST Microelectronics |
| 68438 | STP25NM60ND | N-канальный 600 В, 0,13 Ом тип., 21 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в К-220 пакета | ST Microelectronics |
| 68439 | STP260N6F6 | N-канальный 60 V, 0,0024 Ом, 120 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 68440 | STP26NM60N | N-канальный 600 В, 0,135 Ом тип., 20 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220 пакет | ST Microelectronics |
| 68441 | STP26NM60ND | N-канальный 600 В, 0,145 Ом тип., 21 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в К-220 пакета | ST Microelectronics |
| 68442 | STP270N8F7 | N-канальный 80 В, 2,1 мОм ном., 180 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 68443 | STP27N3LH5 | N-канальный 30 В, 0,014 Ом, 27, К-220 STripFET (TM) V Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 68444 | STP28N60M2 | N-канальный 600 В, 0,135 Ом тип., 22 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg Полевые транзисторы в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 68445 | STP28NM50N | N-канальный 500 В, 0,135 Ом тип., 21 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220 пакет | ST Microelectronics |
| 68446 | STP28NM60ND | N-канальный 600 В, 0,120 Ом тип., 24 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) в К-220 пакета | ST Microelectronics |
| 68447 | STP2CMP | Низкое напряжение 2-канальный постоянный ток светодиодный драйвер с зарядом насоса | ST Microelectronics |
| 68448 | STP2CMPQTR | Низкое напряжение 2-канальный постоянный ток светодиодный драйвер с зарядом насоса | ST Microelectronics |
| 68449 | STP2HNC60 | MOSFET ОМА 2.2ЈA TO-220/TO-220FP
POWERMESH II N-CHANNEL 600V 4 | ST Microelectronics |
| 68450 | STP2HNC60FP | MOSFET ОМА 2.2ЈA TO-220/TO-220FP
POWERMESH II N-CHANNEL 600V 4 | ST Microelectronics |
| 68451 | STP2N60 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68452 | STP2N60FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68453 | STP2N62K3 | N-канальный 620 В, 3 Ом, 2,2, К-220 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 68454 | STP2N80 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68455 | STP2N80FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68456 | STP2N80K5 | N-канальный 800 В, 3,5 Ом тип., 2 стабилитрона защищен SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 68457 | STP2N95K5 | N-канальный 950 В, 4,2 Ом тип., 2 стабилитрона защищен SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 68458 | STP2NA50 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68459 | STP2NA50FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68460 | STP2NC60 | MOSFET ОМА 1.9A TO-220/TO-220FP
POWERMESH II N-CHANNEL 600V 7 | ST Microelectronics |
| 68461 | STP2NC60FP | MOSFET ОМА 1.9A TO-220/TO-220FP
POWERMESH II N-CHANNEL 600V 7 | ST Microelectronics |
| 68462 | STP2NC70Z | MOSFET ОМА 1.4ЈA
TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED POWERMESH
III N-CHANNEL 700V 7.3 | ST Microelectronics |
| 68463 | STP2NC70ZFP | MOSFET ОМА 1.4ЈA
TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED POWERMESH
III N-CHANNEL 700V 7.3 | ST Microelectronics |
| 68464 | STP2NK100Z | N-канальный 1000 V, 6,25 Ом, 1,85, К-220 Зенера защищен SuperMESH (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 68465 | STP2NK60Z | N-CHANNEL 600V - 7.2 ОМА - 1.4
Mosfet А TO-220/TO-220FP/TO-92/IPAK ZENER-PROTECTED™ SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 68466 | STP2NK90Z | N-CHANNEL 900V - 5 Омов - 2.1A -
Mosfet TO-220/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 68467 | STP3015L | N-CHANNEL 30V - 0.013 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 40A D2PAK/TO-220 STRIPFET | ST Microelectronics |
| 68468 | STP3020 | Н - КАНАЛ 30V - 0.019Јohm - 40A -
Mosfet СИЛЫ TO-220 STripFET | ST Microelectronics |
| 68469 | STP3020 | Н - КАНАЛ 30V - 0.019Јohm - 40A -
Mosfet СИЛЫ TO-220 STripFET | ST Microelectronics |
| 68470 | STP30N05 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68471 | STP30N05FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68472 | STP30N06 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68473 | STP30N06FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68474 | STP30N65M5 | N-канальный 650 В, 0,125 Ом, 22, MDmesh (TM) V Мощность MOSFET TO-220 | ST Microelectronics |
| 68475 | STP30NF10 | MOSFET СИЛЫ II ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET
СТРОБА ОМА 35ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK N-CHANNEL
100V 0.038 НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 68476 | STP30NF10FP | MOSFET СИЛЫ II ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET
СТРОБА ОМА 35ЈA TO-220/TO-220FP/D2PAK N-CHANNEL
100V 0.038 НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 68477 | STP30NF20 | N-канальный 200 В, 0,065 Ом, 30, К-220 STripFET (TM) Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 68478 | STP30NM30N | N-канальный 300V - 0.078Ohm - 30A - К-220 | ST Microelectronics |
| 68479 | STP30NS15L | N-CHANNEL 150V - 0.085 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 10A TO-220FP | ST Microelectronics |
| 68480 | STP30NS15LFP | N-CHANNEL 150V - 0.085 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 10A TO-220FP | ST Microelectronics |
| 68481 | STP310N10F7 | N-канальный 100 В, 2,3 мОм ном., 180 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 68482 | STP315N10F7 | Автомобильная класса N-канальный 100 В, 2,3 мОм ном., 180 STripFET F7 питания MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 68483 | STP31N65M5 | N-канальный 650 В, 0,124 Ом, 22 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 68484 | STP32N05L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68485 | STP32N06 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | ST Microelectronics |
| 68486 | STP32N06 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | ST Microelectronics |
| 68487 | STP32N06L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68488 | STP32N06LFI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68489 | STP32N65M5 | N-канальный 650 В, 0,095 Ом, 24, MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 | ST Microelectronics |
| 68490 | STP32NM50N | N-канальный 500 В, 0,1 Ом тип., 22 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220 пакет | ST Microelectronics |
| 68491 | STP33N10 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68492 | STP33N10FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 68493 | STP33N60M2 | N-канальный 600 В, 0,108 Ом тип., 26 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg Полевые транзисторы в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 68494 | STP34N65M5 | N-канальный 650 В, 0,09 Ом, 28 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 68495 | STP34NM60N | N-канальный 600 В, 0,092 Ом, 29, MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220 | ST Microelectronics |
| 68496 | STP34NM60ND | N-канальный 600 В, 0,097 Ом, 29 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) TO-220 | ST Microelectronics |
| 68497 | STP35N65M5 | N-канальный 650 В, 0,085 Ом, 27, MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 | ST Microelectronics |
| 68498 | STP35NF10 | MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА
40A TO-220/D2PAK N-CHANNEL 100V 0 030
НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 68499 | STP360N4F6 | N-канальный 40 V, 120 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 68500 | STP36N05L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| | | |
