| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 64101 | STGW45NC60VD | 45, 600 V, очень быстро IGBT | ST Microelectronics |
| 64102 | STGW45NC60WD | Ультра быстрый "W" серия | ST Microelectronics |
| 64103 | STGW50H60DF | 50, 600 V поле остановка траншеи ворота IGBT с сверхбыстрой диода | ST Microelectronics |
| 64104 | STGW50HF60S | 60, 600 V, очень низкий IGBT падение | ST Microelectronics |
| 64105 | STGW50HF60SD | 60, 600 V, очень низкое падение IGBT с мягкой и быстрой диодом | ST Microelectronics |
| 64106 | STGW50HF65SD | 60, 650 V, очень низкое падение IGBT с мягкой и быстрой диодом | ST Microelectronics |
| 64107 | STGW50NB60H | N-CHANNEL 50A - 600V TO-247
POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 64108 | STGW50NB60M | N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247
POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 64109 | STGW50NC60W | Ультра быстрый "W" серия | ST Microelectronics |
| 64110 | STGW60H60DLFB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 600 V, 60 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 64111 | STGW60H65DF | 60, 650 V поле остановка траншеи ворота IGBT с очень быстрым диодом | ST Microelectronics |
| 64112 | STGW60H65DFB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 60 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 64113 | STGW60H65DRF | 60, 650 V поле остановка траншеи ворота IGBT с сверхбыстрой диода | ST Microelectronics |
| 64114 | STGW60H65F | 60, 650 V поле остановка траншеи ворота IGBT | ST Microelectronics |
| 64115 | STGW60H65FB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 60 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 64116 | STGW60V60DF | Тренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 60 очень высокая скорость | ST Microelectronics |
| 64117 | STGW60V60F | Тренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 60 очень высокая скорость | ST Microelectronics |
| 64118 | STGW80H65DFB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 В, 80 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 64119 | STGW80H65FB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 В, 80 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 64120 | STGW80V60DF | Тренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 В, 80 очень высокая скорость | ST Microelectronics |
| 64121 | STGW80V60F | Тренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 В, 80 очень высокая скорость | ST Microelectronics |
| 64122 | STGWA15M120DF3 | Тренч ворот поля остановка IGBT, серия M 1200 V, 15 с низкими потерями | ST Microelectronics |
| 64123 | STGWA19NC60HD | 31, 600 V, очень быстро IGBT с сверхбыстрой диода | ST Microelectronics |
| 64124 | STGWA25M120DF3 | Тренч ворот поля остановка IGBT, серия M 1200 V, 25 с низкими потерями | ST Microelectronics |
| 64125 | STGWA30N120KD | 30, 1200 В короткое замыкание прочный IGBT с сверхбыстрой диода | ST Microelectronics |
| 64126 | STGWA35HF60WDI | 35, 600 V сверхбыстрый IGBT с низким диодом капли | ST Microelectronics |
| 64127 | STGWA40M120DF3 | Тренч ворот поля остановка IGBT, серия M 1200 V, 40 с низкими потерями | ST Microelectronics |
| 64128 | STGWA40N120KD | 40, 1200 В короткое замыкание прочный IGBT с сверхбыстрой диода | ST Microelectronics |
| 64129 | STGWA60NC60WDR | 60, 600 V, сверхбыстрый IGBT | ST Microelectronics |
| 64130 | STGWA80H65FB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 В, 80 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 64131 | STGWF30NC60S | 30, 600 V, быстрый IGBT | ST Microelectronics |
| 64132 | STGWT20H60DF | 600 В, 20 высокоскоростной траншеи ворота поля остановка IGBT | ST Microelectronics |
| 64133 | STGWT20H65FB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 20 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 64134 | STGWT20IH125DF | 1250 V, 20 IH серии траншеи ворота поля остановка IGBT | ST Microelectronics |
| 64135 | STGWT20V60DF | Тренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 20 очень высокая скорость | ST Microelectronics |
| 64136 | STGWT20V60F | Тренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 20 очень высокая скорость | ST Microelectronics |
| 64137 | STGWT28IH125DF | 1250 V, 25 IH серии траншеи ворота поля остановка IGBT | ST Microelectronics |
| 64138 | STGWT30H60DFB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 600 V, 30 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 64139 | STGWT30H65FB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 30 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 64140 | STGWT30V60DF | Тренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 30 очень высокая скорость | ST Microelectronics |
| 64141 | STGWT30V60F | Тренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 30 очень высокая скорость | ST Microelectronics |
| 64142 | STGWT38IH130D | 33 - 1300 В - очень быстро IGBT | ST Microelectronics |
| 64143 | STGWT40H60DLFB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 600 V, 40 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 64144 | STGWT40H65DFB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 40 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 64145 | STGWT40H65FB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 40 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 64146 | STGWT40V60DF | Тренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 40 очень высокая скорость | ST Microelectronics |
| 64147 | STGWT40V60DLF | Тренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 40 очень высокая скорость | ST Microelectronics |
| 64148 | STGWT50HF65SD | 60, 650 V, очень низкое падение IGBT с мягкой и быстрой диодом | ST Microelectronics |
| 64149 | STGWT60H60DLFB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 600 V, 60 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 64150 | STGWT60H65DFB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 60 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 64151 | STGWT60H65FB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 V, 60 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 64152 | STGWT60V60DF | Тренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 V, 60 очень высокая скорость | ST Microelectronics |
| 64153 | STGWT80H65DFB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 В, 80 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 64154 | STGWT80H65FB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 В, 80 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 64155 | STGWT80V60DF | Тренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 В, 80 очень высокая скорость | ST Microelectronics |
| 64156 | STGWT80V60F | Тренч ворот поля остановка IGBT, V серии 600 В, 80 очень высокая скорость | ST Microelectronics |
| 64157 | STGY40NC60V | N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 Очень
Быстрое PowerMESH?? IGBT | ST Microelectronics |
| 64158 | STGY40NC60V | N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 Очень
Быстрое PowerMESH?? IGBT | ST Microelectronics |
| 64159 | STGY40NC60VD | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 ОЧЕНЬ
БЫСТРОЕ POWERMESH "IGBT | ST Microelectronics |
| 64160 | STGY50NB60 | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247
PowerMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 64161 | STGY50NB60 | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247
PowerMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 64162 | STGY50NB60HD | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247
POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 64163 | STGY50NC60WD | Ультра быстрый "W" серия | ST Microelectronics |
| 64164 | STGY80H65DFB | Тренч ворот поля остановка IGBT серии HB 650 В, 80 высокоскоростной | ST Microelectronics |
| 64165 | STH10NA50FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 64166 | STH10NC60FI | N-CHANNEL 600V - 0.6 ОМА - 10A -
MOSFET TO-247/ISOWATT218 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 64167 | STH110N10F7-2 | N-канальный 100 В, 4,9 мОм ном., 110, STripFET (TM) VII DeepGATE питания MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 64168 | STH110N10F7-6 | N-канальный 100 В, 4,9 мОм ном., 110, STripFET (TM) VII DeepGATE питания MOSFET в H2PAK-6 пакета | ST Microelectronics |
| 64169 | STH12N120K5-2 | N-канальный 1200 V, 0,58 Ом тип., 12 Зенера защищен SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 64170 | STH12NA60FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 64171 | STH130N10F3-2 | N-канальный 100 В, 7,8 мОм ном., 120 STripFET (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 64172 | STH13NB60 | Н - КАНАЛ 600V - 0.48ohm - 13ЈA -
Mosfet TO-247/ISOWATT218 PowerMESH | ST Microelectronics |
| 64173 | STH13NB60 | Н - КАНАЛ 600V - 0.48ohm - 13ЈA -
Mosfet TO-247/ISOWATT218 PowerMESH | ST Microelectronics |
| 64174 | STH13NB60FI | N-CHANNEL 600V - 0.48 ОМА - 13ЈA -
MOSFET TO-247/ISOWATT218 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 64175 | STH140N8F7-2 | N-канальный 80 В, 3,3 мОм ном., 90 STripFET F7 питания MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 64176 | STH150N10F7-2 | N-канальный 100 В, 0,0038 Ом тип., 90 STripFET F7 питания MOSFET в H2PAK-2 пакет | ST Microelectronics |
| 64177 | STH15NA50FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 64178 | STH15NB50FI | ТРАНЗИСТОР MOS СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА РЕЖИМА
ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNLE ОЧЕНЬ НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 64179 | STH16NA40FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 64180 | STH180N10F3-2 | N-канальный 100 В, 3,9 мОм, 180 STripFET (TM) III Мощность MOSFET H2PAK-2 | ST Microelectronics |
| 64181 | STH180N10F3-6 | N-канальный 100 В, 3,9 мОм, 180, H2PAK-6 STripFET (TM) III Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 64182 | STH185N10F3-2 | Автомобильная класса N-канальный 100 В, 3,9 мОм ном., 180 STripFET (TM) III Мощность MOSFET H2PAK-2 пакет | ST Microelectronics |
| 64183 | STH18NB40 | MOSFET ОМА 18.4ЈA TO-247/ISOWATT218
POWERMESH N-CHANNEL 400V 0.19 | ST Microelectronics |
| 64184 | STH18NB40FI | MOSFET ОМА 18.4ЈA TO-247/ISOWATT218
POWERMESH N-CHANNEL 400V 0.19 | ST Microelectronics |
| 64185 | STH210N75F6-2 | N-канальный 75 V, 0,0027 Ом тип., 180 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 64186 | STH240N10F7-2 | N-канальный 100 В, 0,002 Ом тип., 180 STripFET F7 питания MOSFET в корпусе H2PAK-2 | ST Microelectronics |
| 64187 | STH240N10F7-6 | N-канальный 100 В, 0,002 Ом тип., 180 STripFET F7 питания MOSFET в H2PAK-6 пакета | ST Microelectronics |
| 64188 | STH240N75F3-2 | N-канальный 75 В, 2,6 мОм ном., 180 STripFET (TM) III Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 64189 | STH240N75F3-6 | N-канальный 75 В, 2,6 мОм ном., 180 STripFET (TM) III Мощность MOSFET в H2PAK-6 пакета | ST Microelectronics |
| 64190 | STH245N75F3-6 | Автомобильная класса N-канальный 75 В, 2,6 мОм ном., 180 STripFET F3 питания MOSFET в H2PAK-6 пакет | ST Microelectronics |
| 64191 | STH250N55F3-6 | N-канальный 55 В, 2,2 мОм, 180, H2PAK, STripFET III Мощность MOSFET | ST Microelectronics |
| 64192 | STH260N6F6-2 | N-канальный 60 В, 1,7 мОм ном., 180 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 64193 | STH260N6F6-6 | N-канальный 60 В, 1,7 мОм ном., 180 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-6 пакета | ST Microelectronics |
| 64194 | STH270N4F3-2 | N-канальный 40 В, 1,4 мОм ном., 180 STripFET (TM) III Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 64195 | STH270N4F3-6 | N-канальный 40 В, 1,4 мОм ном., 180 STripFET (TM) III Мощность MOSFET в H2PAK-6 пакета | ST Microelectronics |
| 64196 | STH270N8F7-2 | N-канальный 80 В, 1,7 мОм ном., 180 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 64197 | STH270N8F7-6 | N-канальный 80 В, 1,7 мОм ном., 180 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-6 пакета | ST Microelectronics |
| 64198 | STH300NH02L-6 | N-канальный 24 В, 0,95 мОм ном., 180 STripFET (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-6 пакета | ST Microelectronics |
| 64199 | STH310N10F7-2 | N-канальный 100 В, 1,9 мОм ном., 180 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-2 пакета | ST Microelectronics |
| 64200 | STH310N10F7-6 | N-канальный 100 В, 1,9 мОм ном., 180 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в H2PAK-6 пакета | ST Microelectronics |
| | | |
