Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
8301 | TC55W800XB7 | Щ2Я.288-Щ2Я,288-ШОРД ШТОССЕЛЕМ STATIC ЙЬ-БИТ
ПОЛН CMOS | TOSHIBA |
8302 | TC55W800XB8 | Щ2Я.288-Щ2Я,288-ШОРД ШТОССЕЛЕМ STATIC ЙЬ-БИТ
ПОЛН CMOS | TOSHIBA |
8303 | TC55WD1618FF-133 | Й.0Я8.ЩЪЬ-1,048,576-WORD ШТОССЕЛЕМ
STATIC Й8-БИТ ОДНОВРЕМЕНН NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
8304 | TC55WD1618FF-150 | Й.0Я8.ЩЪЬ-1,048,576-WORD ШТОССЕЛЕМ
STATIC Й8-БИТ ОДНОВРЕМЕНН NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
8305 | TC55WD1618FF-167 | Й.0Я8.ЩЪЬ-1,048,576-WORD ШТОССЕЛЕМ
STATIC Й8-БИТ ОДНОВРЕМЕНН NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
8306 | TC55WD1636FF-133 | Щ2Я.288-Щ2Я,288-ШОРД ШТОССЕЛЕМ STATIC ЭЬ-БИТ
ОДНОВРЕМЕНН NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
8307 | TC55WD1636FF-150 | Щ2Я.288-Щ2Я,288-ШОРД ШТОССЕЛЕМ STATIC ЭЬ-БИТ
ОДНОВРЕМЕНН NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
8308 | TC55WD1636FF-167 | Щ2Я.288-Щ2Я,288-ШОРД ШТОССЕЛЕМ STATIC ЭЬ-БИТ
ОДНОВРЕМЕНН NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
8309 | TC55WD818FF-133 | Щ2Я.288-Щ2Я,288-ШОРД ШТОССЕЛЕМ STATIC Й8-БИТ
ОДНОВРЕМЕНН NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
8310 | TC55WD818FF-150 | Щ2Я.288-Щ2Я,288-ШОРД ШТОССЕЛЕМ STATIC Й8-БИТ
ОДНОВРЕМЕНН NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
8311 | TC55WD818FF-167 | Щ2Я.288-Щ2Я,288-ШОРД ШТОССЕЛЕМ STATIC Й8-БИТ
ОДНОВРЕМЕНН NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
8312 | TC55WD836FF-133 | 2Ь2.ЙЯЯ-2Ь2,ЙЯЯ-ШОРД ШТОССЕЛЕМ STATIC
ЭЬ-БИТ ОДНОВРЕМЕНН NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
8313 | TC55WD836FF-150 | 2Ь2.ЙЯЯ-2Ь2,ЙЯЯ-ШОРД ШТОССЕЛЕМ STATIC
ЭЬ-БИТ ОДНОВРЕМЕНН NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
8314 | TC55WD836FF-167 | 2Ь2.ЙЯЯ-2Ь2,ЙЯЯ-ШОРД ШТОССЕЛЕМ STATIC
ЭЬ-БИТ ОДНОВРЕМЕНН NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
8315 | TC55WDM518AFFN15 | слово 36M прокладыванное трубопровод 2.5V
NtRAM TM 2M ШТОССЕЛЕМ STATIC й8Бит ОДНОВРЕМЕНН
NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
8316 | TC55WDM518AFFN16 | слово 36M прокладыванное трубопровод 2.5V
NtRAM TM 2M ШТОССЕЛЕМ STATIC й8Бит ОДНОВРЕМЕНН
NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
8317 | TC55WDM518AFFN20 | слово 36M прокладыванное трубопровод 2.5V
NtRAM TM 2M ШТОССЕЛЕМ STATIC й8Бит ОДНОВРЕМЕНН
NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
8318 | TC55WDM518AFFN22 | слово 36M прокладыванное трубопровод 2.5V
NtRAM TM 2M ШТОССЕЛЕМ STATIC й8Бит ОДНОВРЕМЕНН
NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
8319 | TC55WDM536AFFN15 | слово 1M 36M прокладыванное трубопровод
2.5V NtRAM TM ШТОССЕЛЕМ STATIC эьБит ОДНОВРЕМЕНН
NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
8320 | TC55WDM536AFFN16 | слово 1M 36M прокладыванное трубопровод
2.5V NtRAM TM ШТОССЕЛЕМ STATIC эьБит ОДНОВРЕМЕНН
NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
8321 | TC55WDM536AFFN20 | слово 1M 36M прокладыванное трубопровод
2.5V NtRAM TM ШТОССЕЛЕМ STATIC эьБит ОДНОВРЕМЕНН
NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
8322 | TC55WDM536AFFN22 | слово 1M 36M прокладыванное трубопровод
2.5V NtRAM TM ШТОССЕЛЕМ STATIC эьБит ОДНОВРЕМЕНН
NO-TURNAROUND | TOSHIBA |
8323 | TC55YEM216ABXN-55 | 2Ь2.ЙЯЯ-2Ь2,ЙЯЯ-ШОРД ШТОССЕЛЕМ STATIC
ЙЬ-БИТ ПОЛН CMOS | TOSHIBA |
8324 | TC55YEM216ABXN-70 | 2Ь2.ЙЯЯ-2Ь2,ЙЯЯ-ШОРД ШТОССЕЛЕМ STATIC
ЙЬ-БИТ ПОЛН CMOS | TOSHIBA |
8325 | TC57512AD-15 | 150ns; V (см): -0,6 до + 7В; 1,5 Вт; 65536 слов х 8 бит КМОП УФ стираемой и электрически программируемое постоянное запоминающее устройство | TOSHIBA |
8326 | TC57512AD-20 | 200 нс; V (см): -0,6 до + 7В; 1,5 Вт; 65536 слов х 8 бит КМОП УФ стираемой и электрически программируемое постоянное запоминающее устройство | TOSHIBA |
8327 | TC581282A | БИТЫ 128-MBIT (16M Х 8) Cmos Nand
E2PROM | TOSHIBA |
8328 | TC581282A | БИТЫ 128-MBIT (16M Х 8) Cmos Nand
E2PROM | TOSHIBA |
8329 | TC581282AXB | 128-MBIT (БИТЫ) CMOS NAND E2PROM
16M ?8 | TOSHIBA |
8330 | TC58128AFT | БИТЫ 128-MBIT (16M х 8) cmos nand
E2PROM | TOSHIBA |
8331 | TC5816BDC | 16 мбит (2м х 8 бит) CMOS NAND Flash EEPROM | TOSHIBA |
8332 | TC5816BFT | 16 MBIT (2M х 8BITS) cmos
nand ВНЕЗАПНОЕ E2PROM | TOSHIBA |
8333 | TC5816BFT | 16 MBIT (2M х 8BITS) cmos
nand ВНЕЗАПНОЕ E2PROM | TOSHIBA |
8334 | TC582562AXB | БИТЫ 256-MBIT (32M х 8) cmos nand
E2PROM | TOSHIBA |
8335 | TC58256AFT | Prom БИТЫ 256-MBIT (32M х 8) cmos
nand е | TOSHIBA |
8336 | TC58256DC | SmartMediaTM | TOSHIBA |
8337 | TC5832DC | 32 MBIT (4M х 8BIT) cmos
nand E2PROM | TOSHIBA |
8338 | TC5832DC | 32 MBIT (4M х 8BIT) cmos
nand E2PROM | TOSHIBA |
8339 | TC5832FT | 32 БИТА MBIT (4M Х 8) Cmos
Nand E2PROM | TOSHIBA |
8340 | TC5832FT | 32 БИТА MBIT (4M Х 8) Cmos
Nand E2PROM | TOSHIBA |
8341 | TC58512FT | БИТЫ 512-MBIT (64M х 8) cmos nand
E2PROM | TOSHIBA |
8342 | TC58A040 | 4 MBIT (4M х 1BITS) cmos
ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ nand E2PROM | TOSHIBA |
8343 | TC58A040 | 4 MBIT (4M х 1BITS) cmos
ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ nand E2PROM | TOSHIBA |
8344 | TC58A040F | 4 мбит (4M х 1 бит) CMOS аудио NAND EEPROM | TOSHIBA |
8345 | TC58B004FT-10 | 4M (512K х 8 бит) CMOS флэш-памяти, 100 нс | TOSHIBA |
8346 | TC58B004FT-12 | 4M (512K х 8 бит) CMOS флэш-памяти, 120ns | TOSHIBA |
8347 | TC58B004FT-85 | 4M (512K х 8 бит) CMOS флэш-памяти, 85ns | TOSHIBA |
8348 | TC58B160FT-10 | 16 МБИТ (2м х 8 бит) CMOS флэш-памяти, 100 нс | TOSHIBA |
8349 | TC58B160FT-12 | 16 МБИТ (2м х 8 бит) CMOS флэш-памяти, 120ns | TOSHIBA |
8350 | TC58B160FT-85 | 16 МБИТ (2м х 8 бит) CMOS флэш-памяти, 85ns | TOSHIBA |
8351 | TC58BVG0S3HBAI4 | BENAND (Встроенный ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
8352 | TC58BVG0S3HBAI6 | BENAND (Встроенный ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
8353 | TC58BVG0S3HTA00 | BENAND (Встроенный ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
8354 | TC58BVG0S3HTAI0 | BENAND (Встроенный ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
8355 | TC58BVG1S3HBAI4 | BENAND (Встроенный ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
8356 | TC58BVG1S3HBAI6 | BENAND (Встроенный ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
8357 | TC58BVG1S3HTA00 | BENAND (Встроенный ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
8358 | TC58BVG1S3HTAI0 | BENAND (Встроенный ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
8359 | TC58BVG2S0HBAI4 | BENAND (Встроенный ECC SLCNAND) | TOSHIBA |