| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 801 | 200FXH13 | DIODE(HIGHSPEEDRECTIFIERAPPLICATIONS) | TOSHIBA |
| 802 | 20DL2C41A | ПРИМЕНЕНИЕ КОНВЕРТЕРА & ТЯПКИ ПРИМЕНЕНИЙ ИСТОЧНИКА
ПИТАНИЯ РЕЖИМА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ СТОГА ДИОДА ВЫСОКИЙА
ОРГАНИЗАЦИОННО-ТЕХНИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ (HED) ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ | TOSHIBA |
| 803 | 20DL2C48A | ПРИМЕНЕНИЕ КОНВЕРТЕРА & ТЯПКИ ПРИМЕНЕНИЯ ИСТОЧНИКА
ПИТАНИЯ РЕЖИМА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ СТОГА ДИОДА ВЫСОКИЙА
ОРГАНИЗАЦИОННО-ТЕХНИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ (HED) ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ | TOSHIBA |
| 804 | 20DL2CZ47A | ПРИМЕНЕНИЕ КОНВЕРТЕРА & ТЯПКИ ПРИМЕНЕНИЙ ИСТОЧНИКА
ПИТАНИЯ РЕЖИМА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ СТОГА ДИОДА ВЫСОКИЙА
ОРГАНИЗАЦИОННО-ТЕХНИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ (HED) ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ | TOSHIBA |
| 805 | 20DL2CZ51A | ПРИМЕНЕНИЕ КОНВЕРТЕРА & ТЯПКИ ПРИМЕНЕНИЙ ИСТОЧНИКА
ПИТАНИЯ РЕЖИМА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ СТОГА ДИОДА ВЫСОКИЙА
ОРГАНИЗАЦИОННО-ТЕХНИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ (HED) ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ | TOSHIBA |
| 806 | 20FL2C41A | ПРИМЕНЕНИЕ КОНВЕРТЕРА & ТЯПКИ ПРИМЕНЕНИЙ ИСТОЧНИКА
ПИТАНИЯ РЕЖИМА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ СТОГА ДИОДА ВЫСОКИЙА
ОРГАНИЗАЦИОННО-ТЕХНИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ (HED) ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ | TOSHIBA |
| 807 | 20FL2C48A | ПРИМЕНЕНИЕ КОНВЕРТЕРА & ТЯПКИ ПРИМЕНЕНИЯ ИСТОЧНИКА
ПИТАНИЯ РЕЖИМА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ СТОГА ДИОДА ВЫСОКИЙА
ОРГАНИЗАЦИОННО-ТЕХНИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ (HED) ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ | TOSHIBA |
| 808 | 20FL2CZ47A | ПРИМЕНЕНИЕ КОНВЕРТЕРА & ТЯПКИ ПРИМЕНЕНИЙ ИСТОЧНИКА
ПИТАНИЯ РЕЖИМА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ СТОГА ДИОДА ВЫСОКИЙА
ОРГАНИЗАЦИОННО-ТЕХНИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ (HED) ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ | TOSHIBA |
| 809 | 20FL2CZ51A | ПРИМЕНЕНИЕ КОНВЕРТЕРА & ТЯПКИ ПРИМЕНЕНИЙ ИСТОЧНИКА
ПИТАНИЯ РЕЖИМА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ СТОГА ДИОДА ВЫСОКИЙА
ОРГАНИЗАЦИОННО-ТЕХНИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ (HED) ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ | TOSHIBA |
| 810 | 20FWJ2C48M | ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ РЕЖИМА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СТОГА
ВЫПРЯМИТЕЛЯ ТОКА БАРЬЕРА SCHOTTKY, КОНВЕРТЕР & ПРИМЕНЕНИЕ
ТЯПКИ | TOSHIBA |
| 811 | 20FWJ2CZ47M | ПРИМЕНЕНИЕ КОНВЕРТЕРА & ТЯПКИ ПРИМЕНЕНИЯ ИСТОЧНИКА
ПИТАНИЯ РЕЖИМА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СТОГА ВЫПРЯМИТЕЛЯ ТОКА БАРЬЕРА
SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 812 | 20GL2C41A | ПРИМЕНЕНИЕ КОНВЕРТЕРА & ТЯПКИ ПРИМЕНЕНИЙ ИСТОЧНИКА
ПИТАНИЯ РЕЖИМА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ СТОГА ДИОДА ВЫСОКИЙА
ОРГАНИЗАЦИОННО-ТЕХНИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ (HED) ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ | TOSHIBA |
| 813 | 20JL2C41 | ПРИМЕНЕНИЕ КОНВЕРТЕРА & ТЯПКИ ПРИМЕНЕНИЙ ИСТОЧНИКА
ПИТАНИЯ РЕЖИМА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ СТОГА ДИОДА ВЫСОКИЙА
ОРГАНИЗАЦИОННО-ТЕХНИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ (HED) ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ | TOSHIBA |
| 814 | 20JL2C41A | ПРИМЕНЕНИЕ КОНВЕРТЕРА & ТЯПКИ ПРИМЕНЕНИЙ ИСТОЧНИКА
ПИТАНИЯ РЕЖИМА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ СТОГА ДИОДА ВЫСОКИЙА
ОРГАНИЗАЦИОННО-ТЕХНИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ (HED) ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ | TOSHIBA |
| 815 | 20L6P45 | RECTIFIERMODULE(THREEPHASEFULLWAVEBRIDGEAPLICATIONS) | TOSHIBA |
| 816 | 20U6P45 | RECTIFIERMODULE(THREEPHASEFULLWAVEBRIDGEAPPLICATIONS) | TOSHIBA |
| 817 | 2AS1832F | ТРАНЗИСТОР (ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ
ЧАСТОТЫ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ) | TOSHIBA |
| 818 | 2FWJ42M | ПРИМЕНЕНИЕ БАТАРЕИ ОБОРУДОВАНИЯ ПРИМЕНЕНИЯ ИСТОЧНИКА
ПИТАНИЯ РЕЖИМА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫПРЯМИТЕЛЯ ТОКА БАРЬЕРА
SCHOTTKY ПОРТАТИВНОЕ | TOSHIBA |
| 819 | 2FWJ42N | ПРИМЕНЕНИЯ ВЫПРЯМИТЕЛЯ ТОКА ВЫПРЯМИТЕЛЯ ТОКА
БАРЬЕРА SCHOTTKY ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ | TOSHIBA |
| 820 | 2GLZ47A | ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА ВЫСОКИЙА ОРГАНИЗАЦИОННО-ТЕХНИЧЕСКИЙ
УРОВЕНЬ (ПРИМЕНЕНИЕ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ ТИПА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ) | TOSHIBA |
| 821 | 2GUZ47 | ДИОД (ПРИМЕНЕНИЕ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ ТИПА
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ) | TOSHIBA |
| 822 | 2GWJ2C42 | ПРИМЕНЕНИЕ КОНВЕРТЕРА & ТЯПКИ ПРИМЕНЕНИЯ ИСТОЧНИКА
ПИТАНИЯ РЕЖИМА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СТОГА ВЫПРЯМИТЕЛЯ ТОКА БАРЬЕРА
SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 823 | 2GWJ42 | ПРИМЕНЕНИЯ ВЫПРЯМИТЕЛЯ ТОКА ВЫПРЯМИТЕЛЯ ТОКА
БАРЬЕРА SCHOTTKY ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ | TOSHIBA |
| 824 | 2GWJ42C | ПРИМЕНЕНИЯ ВЫПРЯМИТЕЛЯ ТОКА ВЫПРЯМИТЕЛЯ ТОКА
БАРЬЕРА SCHOTTKY ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ | TOSHIBA |
| 825 | 2NH45 | БЫСТРЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СПАСЕНИЯ (ПРИМЕНЕНИЯ
ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ ТИПА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ) | TOSHIBA |
| 826 | 2NU41 | СУПЕР БЫСТРЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКА СПАСЕНИЯ
(ПРИМЕНЕНИЯ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ ТИПА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ) | TOSHIBA |
| 827 | 2SA1012 | ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА PCT) ВЫСОКИЕ В НАСТОЯЩЕЕ
ВРЕМЯ. ПРИМЕНЕНИЯ КОНВЕРТЕРА DC-DC | TOSHIBA |
| 828 | 2SA1013 | QVETNOE ТВ VERT ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ (ПРОЦЕССА PCT). ВЫХОД
ОТКЛОНЕНИЯ, ПРИМЕНЕНИЯ ВЫХОДА Б ТИПА Qvetnogo ТВ ЯДРОВЫЕ | TOSHIBA |
| 829 | 2SA1015 | Применения усилителя этапа водителя применений
усилителя тональнозвуковой частоты типа кремния PNP транзистора
эпитаксиальные (процесса pct) общего назначения | TOSHIBA |
| 830 | 2SA1015(L) | Применений усилителя тональнозвуковой частоты типа
кремния PNP транзистора применения усилителя шума эпитаксиальных
(процесса pct) низкие | TOSHIBA |
| 831 | 2SA1015L | ТРАНЗИСТОР (ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ
ЧАСТОТЫ) | TOSHIBA |
| 832 | 2SA1020 | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА PCT), ПРИМЕНЕНИЯ
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СИЛЫ. | TOSHIBA |
| 833 | 2SA1048 | Применений усилителя тональнозвуковой частоты типа
кремния PNP транзистора применения тональнозвуковой частоты шума
эпитаксиальных (процесса pct) низкие | TOSHIBA |
| 834 | 2SA1048(L) | Применений усилителя тональнозвуковой частоты типа
кремния PNP транзистора применения тональнозвуковой частоты шума
эпитаксиальных (процесса pct) низкие | TOSHIBA |
| 835 | 2SA1048L | ТРАНЗИСТОР (ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ
ЧАСТОТЫ) | TOSHIBA |
| 836 | 2SA1049 | Применений усилителя тональнозвуковой частоты типа
кремния PNP транзистора применения тональнозвуковой частоты шума
эпитаксиальных (процесса pct) низкие | TOSHIBA |
| 837 | 2SA1091 | Индикация плазмы применений управлением типа кремния
PNP транзистора втройне отраженная (процесса pct)
высоковольтная, применения управлением яркости электронно-лучевой
трубки применений водителя пробки Nixie | TOSHIBA |
| 838 | 2SA1093 | ТИП КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 839 | 2SA1093 | ТИП КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 840 | 2SA1095 | Тип Кремния PNP Эпитаксиальный (Процесс
Pct) | TOSHIBA |
| 841 | 2SA1145 | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ ТИПА
КРЕМНИЯ PNP ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА PCT) | TOSHIBA |
| 842 | 2SA1150 | Применения усилителя низкой частотности типа кремния
PNP транзистора эпитаксиальные (процесса pct) | TOSHIBA |
| 843 | 2SA1160 | ПРИМЕНЕНИЙ СТРОБА ТИПА КРЕМНИЯ PNP ТРАНЗИСТОРА
ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ (ПРОЦЕССА PCT)
СРЕДСТВ | TOSHIBA |
| 844 | 2SA1162 | Применения усилителя этапа водителя применений
усилителя тональнозвуковой частоты типа кремния PNP транзистора
эпитаксиальные (процесса pct) общего назначения | TOSHIBA |
| 845 | 2SA1163 | Применения усилителя этапа водителя применений
усилителя тональнозвуковой частоты типа кремния PNP транзистора
эпитаксиальные (процесса pct) общего назначения | TOSHIBA |
| 846 | 2SA1182 | Применения усилителя этапа водителя применений усилителя
силы тональнозвуковой частоты кремния PNP транзистора
эпитаксиальные (процесс pct) низкие переключая применения | TOSHIBA |
| 847 | 2SA1195 | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
TRANSISTOR(PCT) | TOSHIBA |
| 848 | 2SA1195 | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
TRANSISTOR(PCT) | TOSHIBA |
| 849 | 2SA1200 | Применения выхода chroma qvetnogo ТВ
применений переключения типа кремния PNP транзистора втройне
отраженные (процесса pct) высоковольтные | TOSHIBA |
| 850 | 2SA1201 | Применения усилителя силы применений усилителя
напряжения тока типа кремния PNP транзистора эпитаксиальные
(процесса pct) | TOSHIBA |
| 851 | 2SA1202 | Применения усилителя напряжения тока применений
усилителя силы типа кремния PNP транзистора эпитаксиальные
(процесса pct) | TOSHIBA |
| 852 | 2SA1203 | Применения усилителя тональнозвуковой частоты типа
кремния PNP транзистора эпитаксиальные (процесса pct) | TOSHIBA |
| 853 | 2SA1204 | Применения усилителя тональнозвуковой частоты типа
кремния PNP транзистора эпитаксиальные (процесса pct) | TOSHIBA |
| 854 | 2SA1213 | Применения усилителя силы типа кремния PNP
транзистора эпитаксиальные (процесса pct) приводят применения в
действие переключения | TOSHIBA |
| 855 | 2SA1217 | ТИП КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 856 | 2SA1217 | ТИП КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 857 | 2SA1225 | Применения усилителя этапа водителя применений
усилителя силы типа кремния PNP транзистора эпитаксиальные
(процесса pct) | TOSHIBA |
| 858 | 2SA1241 | Применения усилителя силы типа кремния PNP
транзистора эпитаксиальные (процесса pct) приводят применения в
действие переключения | TOSHIBA |
| 859 | 2SA1242 | Применений вспышки строба типа кремния PNP
транзистора применения усилителя силы эпитаксиальных (процесса
pct) средств | TOSHIBA |
| 860 | 2SA1244 | Применения переключения типа кремния PNP
транзистора эпитаксиальные (процесса pct) высокие в настоящее
время | TOSHIBA |
| 861 | 2SA1245 | Применения усилителя усилителя эпитаксиального
плоскостного типа кремния PNP транзистора высокочастотные и шума
полосы применений VHF~UHF переключения низкие | TOSHIBA |
| 862 | 2SA1255 | Применения переключения кремния PNP транзистора
втройне отраженные (процесс pct) высоковольтные | TOSHIBA |
| 863 | 2SA1263 | ТИП КРЕМНИЯ PNP ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ | TOSHIBA |
| 864 | 2SA1263 | ТИП КРЕМНИЯ PNP ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ | TOSHIBA |
| 865 | 2SA1264 | ТИП КРЕМНИЯ PNP ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ | TOSHIBA |
| 866 | 2SA1265 | Применения Усилителя Силы | TOSHIBA |
| 867 | 2SA1293 | Применения Переключения ТИПА КРЕМНИЯ PNP
PITAXIAL ТРАНЗИСТОРА (ПРОЦЕССА Pct) Высокие В настоящее
время | TOSHIBA |
| 868 | 2SA1296 | Применения переключения силы применений усилителя силы
типа кремния PNP транзистора эпитаксиальные (процесса pct) | TOSHIBA |
| 869 | 2SA1297 | Применения переключения силы применений усилителя силы
типа кремния PNP транзистора эпитаксиальные (процесса pct) | TOSHIBA |
| 870 | 2SA1298 | Применения переключения силы применения усилителя силы
низкой частотности кремния PNP транзистора эпитаксиальные
(процесс pct) | TOSHIBA |
| 871 | 2SA1300 | Применений вспышки строба типа кремния PNP
транзистора применения усилителя силы эпитаксиальных (процесса
pct) средств | TOSHIBA |
| 872 | 2SA1304 | ТРАНЗИСТОР (ПРИМЕНЕНИЯ ВЫХОДА УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ
ВЕРТИКАЛЬНЫЕ) | TOSHIBA |
| 873 | 2SA1306 | Серия Пакета TO-220 | TOSHIBA |
| 874 | 2SA1306B | 1.5; 200В; 20W; кремния PNP эпитаксиальный тип stransistor. Для усилителей мощности приложений, усилитель каскад приложений | TOSHIBA |
| 875 | 2SA1312 | Применения усилителя шума тональнозвуковой частоты типа
кремния PNP транзистора эпитаксиальные (процесса pct)
низкие | TOSHIBA |
| 876 | 2SA1313 | Применения усилителя этапа водителя применений
усилителя силы тональнозвуковой частоты типа кремния PNP
транзистора эпитаксиальные (процесса pct) низкие переключая
применения | TOSHIBA |
| 877 | 2SA1314 | Применений вспышки строба типа кремния PNP
транзистора применения силы эпитаксиальных (процесса pct)
тональнозвуковые | TOSHIBA |
| 878 | 2SA1315 | Применения усилителя силы типа кремния PNP
транзистора эпитаксиальные (процесса pct) приводят применения в
действие переключения | TOSHIBA |
| 879 | 2SA1316 | Тип кремния PNP транзистора эпитаксиальный
(процесс pct) для применений усилителя низкого шума
тональнозвуковых и порекомендовано для первых этапов усилителей
MC головных | TOSHIBA |
| 880 | 2SA1320 | Применения выхода chroma qvetnogo ТВ
применений переключения типа кремния PNP транзистора втройне
отраженные (процесса pct) высоковольтные | TOSHIBA |
| 881 | 2SA1321 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ТРАНЗИСТОРА
ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННОЕ (ПРОЦЕССА PCT) ВЫСОКОВОЛЬТНОЕ, ПРИМЕНЕНИЯ
ВЫХОДА CHROMA QVETNOGO ТВ. | TOSHIBA |
| 882 | 2SA1327A | Применений вспышки строба типа кремния PNP
транзистора применения усилителя силы эпитаксиальных (процесса
pct) тональнозвуковые | TOSHIBA |
| 883 | 2SA1328 | ТИП КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 884 | 2SA1328 | ТИП КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 885 | 2SA1329 | ТИП КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 886 | 2SA1329 | ТИП КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 887 | 2SA1349 | ТРАНЗИСТОР (ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ НИЗКОГО ШУМА
ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫЕ. ПОРЕКОМЕНДОВАНО ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЙ ЦЕПИ ЗЕРКАЛА
КАСКАДА В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ПЕРВЫХ ЭТАПОВ PRE/ ГЛАВНОГО
AMPL | TOSHIBA |
| 888 | 2SA1356 | ПРИМЕНЕНИЕ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ (ПРОЦЕССА PCT) ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЕ | TOSHIBA |
| 889 | 2SA1357 | ПРИМЕНЕНИЙ ВСПЫШКИ СТРОБА ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ (ПРОЦЕССА
PCT) ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫЕ | TOSHIBA |
| 890 | 2SA1358 | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ
ТИПА КРЕМНИЯ PNP ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА
PCT) | TOSHIBA |
| 891 | 2SA1359 | СКОРОСТЬ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ТРАНЗИСТОРА
ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ (ПРОЦЕССА PCT) НИЗКАЯ ПЕРЕКЛЮЧАЯ УСИЛИТЕЛЬ
СИЛЫ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ | TOSHIBA |
| 892 | 2SA1360 | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ
ТИПА КРЕМНИЯ PNP ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА
PCT) | TOSHIBA |
| 893 | 2SA1361 | 2SA1361 | TOSHIBA |
| 894 | 2SA1361 | 2SA1361 | TOSHIBA |
| 895 | 2SA1362 | Транзисторы > Сложные Транзисторы Цифров | TOSHIBA |
| 896 | 2SA1382 | УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ТРАНЗИСТОРА
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕССА Pct), Высокоскоростные Применения
Переключения | TOSHIBA |
| 897 | 2SA1384 | Индикация плазмы применений управлением типа кремния
PNP транзистора втройне отраженная (процесса pct)
высоковольтная, применения управлением яркости электронно-лучевой
трубки применений водителя пробки Nixie | TOSHIBA |
| 898 | 2SA1388 | 2SA1388 | TOSHIBA |
| 899 | 2SA1388 | 2SA1388 | TOSHIBA |
| 900 | 2SA1408 | QVETNOE ТВ VERT ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ (ПРОЦЕССА PCT). ПРИМЕНЕНИЯ
ВЫХОДА Б ВЫХОДА ОТКЛОНЕНИЯ И ТИПА Qvetnogo ТВ ЯДРОВЫЕ | TOSHIBA |
| | | |
