| 811 | 20FWJ2CZ47M | SCHOTTKY SPERRE GLEICHRICHTERSÄULE SCHALTUNG MODUS-SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNG KONVERTER-U. ZERHACKER-ANWENDUNG | TOSHIBA |
| 812 | 20GL2C41A | SILIKON-EPITAXIAL- ART SCHALTUNG MODUS-SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNGEN KONVERTER U. ZERHACKER-ANWENDUNG DER HOHE LEISTUNGSFÄHIGKEIT DIODENBAUGRUPPE-(HED) | TOSHIBA |
| 813 | 20JL2C41 | SILIKON-EPITAXIAL- ART SCHALTUNG MODUS-SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNGEN KONVERTER U. ZERHACKER-ANWENDUNG DER HOHE LEISTUNGSFÄHIGKEIT DIODENBAUGRUPPE-(HED) | TOSHIBA |
| 814 | 20JL2C41A | SILIKON-EPITAXIAL- ART SCHALTUNG MODUS-SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNGEN KONVERTER U. ZERHACKER-ANWENDUNG DER HOHE LEISTUNGSFÄHIGKEIT DIODENBAUGRUPPE-(HED) | TOSHIBA |
| 815 | 20L6P45 | RECTIFIERMODULE(THREEPHASEFULLWAVEBRIDGEAPLICATIONS) | TOSHIBA |
| 816 | 20U6P45 | RECTIFIERMODULE(THREEPHASEFULLWAVEBRIDGEAPPLICATIONS) | TOSHIBA |
| 817 | 2AS1832F | TRANSISTOR (TONFREQUENZ-UNIVERSELLE VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
| 818 | 2FWJ42M | SCHOTTKY SPERRE GLEICHRICHTER-SCHALTUNG MODUS-SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNG BEWEGLICHE AUSRÜSTUNG BATTERIE-ANWENDUNG | TOSHIBA |
| 819 | 2FWJ42N | SCHOTTKY SPERRE GLEICHRICHTER-SCHNELLGLEICHRICHTER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 820 | 2GLZ47A | HOHE LEISTUNGSFÄHIGKEIT GLEICHRICHTER (SCHALTUNG ART SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNG) | TOSHIBA |
| 821 | 2GUZ47 | DIODE (SCHALTUNG ART SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNG) | TOSHIBA |
| 822 | 2GWJ2C42 | SCHOTTKY SPERRE GLEICHRICHTERSÄULE SCHALTUNG MODUS-SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNG KONVERTER-U. ZERHACKER-ANWENDUNG | TOSHIBA |
| 823 | 2GWJ42 | SCHOTTKY SPERRE GLEICHRICHTER-SCHNELLGLEICHRICHTER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 824 | 2GWJ42C | SCHOTTKY SPERRE GLEICHRICHTER-SCHNELLGLEICHRICHTER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 825 | 2NH45 | SCHNELLER WIEDERAUFNAHME GLEICHRICHTER (SCHALTUNG ART SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
| 826 | 2NU41 | SCHNELLER WIEDERAUFNAHME SUPERGLEICHRICHTER (SCHALTUNG ART SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
| 827 | 2SA1012 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
| 828 | 2SA1013 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) FARBE FERNSEHAPPARAT VERT. ABLENKUNG OUTPUT, FARBE Fernsehapparat KATEGORIE B STICHHALTIGE OUTPUT-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 829 | 2SA1015 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Tonfrequenz-universelle Verstärker-Anwendungen Treiberstufe Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 830 | 2SA1015(L) | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Tonfrequenz-Verstärker-Anwendungen niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 831 | 2SA1015L | TRANSISTOR (TONFREQUENZ-VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
| 832 | 2SA1020 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN, ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
| 833 | 2SA1048 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Tonfrequenz-Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 834 | 2SA1048(L) | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Tonfrequenz-Verstärker-Anwendungen niedrige Geräusch-Tonfrequenz-Anwendungen | TOSHIBA |
| 835 | 2SA1048L | TRANSISTOR (TONFREQUENZ-VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
| 836 | 2SA1049 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Tonfrequenz-Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 837 | 2SA1091 | Dreifache zerstreute Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Hochspannungssteueranwendungen Plasmabildschirm, Nixie Schlauch-Treiber-Anwendungen Kathodenstrahlröhre-Helligkeitseinstellung-Anwendungen | TOSHIBA |
| 838 | 2SA1093 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-PNP (PCT PROZESS) | TOSHIBA |
| 839 | 2SA1093 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-PNP (PCT PROZESS) | TOSHIBA |
| 840 | 2SA1095 | Epitaxial- Art Des Silikon-PNP (Pct Prozeß) | TOSHIBA |
| 841 | 2SA1145 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) TONFREQUENZ-VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 842 | 2SA1150 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Niederfrequenzverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 843 | 2SA1160 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) RÖHRENBLITZ-ANWENDUNGEN MITTLERE ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 844 | 2SA1162 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Tonfrequenz-universelle Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 845 | 2SA1163 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Tonfrequenz-universelle Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 846 | 2SA1182 | Epitaxial- (PCT Prozeß) Tonfrequenz-niedrige Endverstärker-Anwendungen Treiberstufe Verstärker-Anwendungen des Transistor-Silikon-PNP, die Anwendungen schalten | TOSHIBA |
| 847 | 2SA1195 | EPITAXIAL- TRANSISTOR DES SILIKON-PNP | TOSHIBA |
| 848 | 2SA1195 | EPITAXIAL- TRANSISTOR DES SILIKON-PNP | TOSHIBA |
| 849 | 2SA1200 | Dreifache zerstreute Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Hochspannungsschaltung Anwendungen | TOSHIBA |
| 850 | 2SA1201 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Spannung Verstärker-Anwendungen Endverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 851 | 2SA1202 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Spannung Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 852 | 2SA1203 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Tonfrequenz-Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 853 | 2SA1204 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Tonfrequenz-Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 854 | 2SA1213 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
| 855 | 2SA1217 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-PNP (PCT PROZESS) | TOSHIBA |
| 856 | 2SA1217 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-PNP (PCT PROZESS) | TOSHIBA |
| 857 | 2SA1225 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Treiberstufe Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 858 | 2SA1241 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
| 859 | 2SA1242 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Röhrenblitz-Blitz-Anwendungen mittlere Endverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 860 | 2SA1244 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) hohe gegenwärtige Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
| 861 | 2SA1245 | Epitaxial- planare Art Hochfrequenzverstärker des Transistor-Silikon-PNP und Schaltung Anwendungen VHF~UHF Band-niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 862 | 2SA1255 | Dreifache zerstreute (PCT Prozeß) Hochspannungsschaltung Anwendungen des Transistor-Silikon-PNP | TOSHIBA |
| 863 | 2SA1263 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES SILIKON-PNP | TOSHIBA |
| 864 | 2SA1263 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES SILIKON-PNP | TOSHIBA |
| 865 | 2SA1264 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES SILIKON-PNP | TOSHIBA |
| 866 | 2SA1265 | Endverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 867 | 2SA1293 | ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP PITAXIAL (Pct PROZESS) Hohe Gegenwärtige Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
| 868 | 2SA1296 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
| 869 | 2SA1297 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
| 870 | 2SA1298 | ENDVERSTÄRKER-Anwendung Energie Schaltung Anwendungen des Transistor-Silikon-PNP Epitaxial- (PCT Prozeß) Niederfrequenz$$ln | TOSHIBA |
| 871 | 2SA1300 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Röhrenblitz-Blitz-Anwendungen mittlere Endverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 872 | 2SA1304 | TRANSISTOR (ENDVERSTÄRKER-VERTIKALE OUTPUT-ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
| 873 | 2SA1306 | Reihe Des Paket-TO-220 | TOSHIBA |
| 874 | 2SA1306B | 1,5 A; 200V; 20W; Silizium PNP epitaktischen Typ stransistor. Für Leistungsverstärker-Anwendungen Treiberstufe Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 875 | 2SA1312 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Tonfrequenz-niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 876 | 2SA1313 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Tonfrequenz-niedrige Endverstärker-Anwendungen Treiberstufe Verstärker-Anwendungen, die Anwendungen schalten | TOSHIBA |
| 877 | 2SA1314 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Röhrenblitz-Blitz-Anwendungen Audioenergie Anwendungen | TOSHIBA |
| 878 | 2SA1315 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
| 879 | 2SA1316 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) für niedrige Geräusch-Audioverstärker-Anwendungen und empfohlen für die ersten Stadien MC der Hauptverstärker | TOSHIBA |
| 880 | 2SA1320 | Dreifache zerstreute Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Hochspannungsschaltung Anwendungen Farbe Fernsehapparat Farbenreinheit-Ausgang Anwendungen | TOSHIBA |
| 881 | 2SA1321 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG, FARBE FERNSEHAPPARAT FARBENREINHEIT-OUTPUT-ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
| 882 | 2SA1327A | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Röhrenblitz-Blitz-Anwendungen Audioendverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 883 | 2SA1328 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-PNP (PCT PROZESS) | TOSHIBA |
| 884 | 2SA1328 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-PNP (PCT PROZESS) | TOSHIBA |
| 885 | 2SA1329 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-PNP (PCT PROZESS) | TOSHIBA |
| 886 | 2SA1329 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-PNP (PCT PROZESS) | TOSHIBA |
| 887 | 2SA1349 | TRANSISTOR (NIEDRIGE GERÄUSCH-AUDIOVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN. EMPFOHLEN FÜR KASKADE-GEGENWÄRTIGE SPIEGEL-STROMKREIS-ANWENDUNGEN DER ERSTEN STADIEN VON VOR MAIN AMPL | TOSHIBA |
| 888 | 2SA1356 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) AUDIOCENDVERSTÄRKER-ANWENDUNG | TOSHIBA |
| 889 | 2SA1357 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN AUDIOCENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 890 | 2SA1358 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) TONFREQUENZ-ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 891 | 2SA1359 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) LANGSAMER SCHALTUNG TONFREQUENZ-ENDVERSTÄRKER | TOSHIBA |
| 892 | 2SA1360 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) TONFREQUENZ-ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 893 | 2SA1361 | 2SA1361 | TOSHIBA |
| 894 | 2SA1361 | 2SA1361 | TOSHIBA |
| 895 | 2SA1362 | Transistor | TOSHIBA |
| 896 | 2SA1382 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (Pct PROZESS) ENDVERSTÄRKER, Schnellschaltung Anwendungen | TOSHIBA |
| 897 | 2SA1384 | Dreifache zerstreute Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Hochspannungssteueranwendungen Plasmabildschirm, Nixie Schlauch-Treiber-Anwendungen Kathodenstrahlröhre-Helligkeitseinstellung-Anwendungen | TOSHIBA |
| 898 | 2SA1388 | 2SA1388 | TOSHIBA |
| 899 | 2SA1388 | 2SA1388 | TOSHIBA |
| 900 | 2SA1408 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) FARBE FERNSEHAPPARAT VERT. ABLENKUNG OUTPUT-UND FARBE Fernsehapparat KATEGORIE B STICHHALTIGE OUTPUT-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
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