| Nr. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 801 | 200FXH13 | DIODE(highspeedrectifierapplications) | TOSHIBA |
| 802 | 20DL2C41A | APPLICAZIONE EPITASSIALE DEL CONVERTITORE & DEL SELETTORE ROTANTE DI APPLICAZIONI DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI COMMUTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE DELLA PILA DI DIODO DI ALTA EFFICIENZA (HED) | TOSHIBA |
| 803 | 20DL2C48A | APPLICAZIONE EPITASSIALE DEL CONVERTITORE & DEL SELETTORE ROTANTE DI APPLICAZIONE DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI COMMUTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE DELLA PILA DI DIODO DI ALTA EFFICIENZA (HED) | TOSHIBA |
| 804 | 20DL2CZ47A | APPLICAZIONE EPITASSIALE DEL CONVERTITORE & DEL SELETTORE ROTANTE DI APPLICAZIONI DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI COMMUTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE DELLA PILA DI DIODO DI ALTA EFFICIENZA (HED) | TOSHIBA |
| 805 | 20DL2CZ51A | APPLICAZIONE EPITASSIALE DEL CONVERTITORE & DEL SELETTORE ROTANTE DI APPLICAZIONI DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI COMMUTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE DELLA PILA DI DIODO DI ALTA EFFICIENZA (HED) | TOSHIBA |
| 806 | 20FL2C41A | APPLICAZIONE EPITASSIALE DEL CONVERTITORE & DEL SELETTORE ROTANTE DI APPLICAZIONI DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI COMMUTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE DELLA PILA DI DIODO DI ALTA EFFICIENZA (HED) | TOSHIBA |
| 807 | 20FL2C48A | APPLICAZIONE EPITASSIALE DEL CONVERTITORE & DEL SELETTORE ROTANTE DI APPLICAZIONE DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI COMMUTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE DELLA PILA DI DIODO DI ALTA EFFICIENZA (HED) | TOSHIBA |
| 808 | 20FL2CZ47A | APPLICAZIONE EPITASSIALE DEL CONVERTITORE & DEL SELETTORE ROTANTE DI APPLICAZIONI DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI COMMUTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE DELLA PILA DI DIODO DI ALTA EFFICIENZA (HED) | TOSHIBA |
| 809 | 20FL2CZ51A | APPLICAZIONE EPITASSIALE DEL CONVERTITORE & DEL SELETTORE ROTANTE DI APPLICAZIONI DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI COMMUTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE DELLA PILA DI DIODO DI ALTA EFFICIENZA (HED) | TOSHIBA |
| 810 | 20FWJ2C48M | GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI COMMUTAZIONE DELLA PILA DI RADDRIZZATORE DELLA BARRIERA DELLO SCHOTTKY, CONVERTITORE & APPLICAZIONE DEL SELETTORE ROTANTE | TOSHIBA |
| 811 | 20FWJ2CZ47M | APPLICAZIONE DEL CONVERTITORE & DEL SELETTORE ROTANTE DI APPLICAZIONE DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI COMMUTAZIONE DELLA PILA DI RADDRIZZATORE DELLA BARRIERA DELLO SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 812 | 20GL2C41A | APPLICAZIONE EPITASSIALE DEL CONVERTITORE & DEL SELETTORE ROTANTE DI APPLICAZIONI DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI COMMUTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE DELLA PILA DI DIODO DI ALTA EFFICIENZA (HED) | TOSHIBA |
| 813 | 20JL2C41 | APPLICAZIONE EPITASSIALE DEL CONVERTITORE & DEL SELETTORE ROTANTE DI APPLICAZIONI DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI COMMUTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE DELLA PILA DI DIODO DI ALTA EFFICIENZA (HED) | TOSHIBA |
| 814 | 20JL2C41A | APPLICAZIONE EPITASSIALE DEL CONVERTITORE & DEL SELETTORE ROTANTE DI APPLICAZIONI DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI COMMUTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE DELLA PILA DI DIODO DI ALTA EFFICIENZA (HED) | TOSHIBA |
| 815 | 20L6P45 | RECTIFIERMODULE(threephasefullwavebridgeaplications) | TOSHIBA |
| 816 | 20U6P45 | RECTIFIERMODULE(threephasefullwavebridgeapplications) | TOSHIBA |
| 817 | 2AS1832F | TRANSISTORE (APPLICAZIONI PER TUTTI GLI USI DELL'CAmplificatore DI FREQUENZA AUDIO) | TOSHIBA |
| 818 | 2FWJ42M | APPLICAZIONE PORTATILE DELLA BATTERIA DELL'CApparecchiatura DI APPLICAZIONE DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI COMMUTAZIONE DI RADDRIZZATORE DELLA BARRIERA DELLO SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 819 | 2FWJ42N | APPLICAZIONI AD ALTA VELOCITĄ DI RADDRIZZATORE DI RADDRIZZATORE DELLA BARRIERA DELLO SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 820 | 2GLZ47A | RADDRIZZATORE DI ALTA EFFICIENZA (APPLICAZIONE DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DEL TIPO DI COMMUTAZIONE) | TOSHIBA |
| 821 | 2GUZ47 | DIODO (APPLICAZIONE DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DEL TIPO DI COMMUTAZIONE) | TOSHIBA |
| 822 | 2GWJ2C42 | APPLICAZIONE DEL CONVERTITORE & DEL SELETTORE ROTANTE DI APPLICAZIONE DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI COMMUTAZIONE DELLA PILA DI RADDRIZZATORE DELLA BARRIERA DELLO SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 823 | 2GWJ42 | APPLICAZIONI AD ALTA VELOCITĄ DI RADDRIZZATORE DI RADDRIZZATORE DELLA BARRIERA DELLO SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 824 | 2GWJ42C | APPLICAZIONI AD ALTA VELOCITĄ DI RADDRIZZATORE DI RADDRIZZATORE DELLA BARRIERA DELLO SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 825 | 2NH45 | RADDRIZZATORE VELOCE DI RECUPERO (APPLICAZIONI DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DEL TIPO DI COMMUTAZIONE) | TOSHIBA |
| 826 | 2NU41 | RADDRIZZATORE VELOCE ECCELLENTE DI RECUPERO (APPLICAZIONI DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DEL TIPO DI COMMUTAZIONE) | TOSHIBA |
| 827 | 2SA1012 | APPLICAZIONI CORRENTI EPITASSIALI DI COMMUTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE PNP DEL TRANSISTORE ALTE (PROCESSO DEL PCT). | TOSHIBA |
| 828 | 2SA1013 | COLORE EPITASSIALE TV VERT DEL TIPO DEL SILICONE PNP DEL TRANSISTORE (PROCESSO DEL PCT). USCITA Di DEVIAZIONE, APPLICAZIONI SANE Dell'cUscita Del CODICE CATEGORIA B Di COLORE TV | TOSHIBA |
| 829 | 2SA1015 | Applicazioni per tutti gli usi epitassiali dell'amplificatore della fase di driver di applicazioni dell'amplificatore di frequenza audio del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) | TOSHIBA |
| 830 | 2SA1015(L) | Applicazioni basse dell'amplificatore per la misurazione del rumore del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) di frequenza audio di applicazioni epitassiali dell'amplificatore | TOSHIBA |
| 831 | 2SA1015L | TRANSISTORE (APPLICAZIONI DELL'CAmplificatore DI FREQUENZA AUDIO) | TOSHIBA |
| 832 | 2SA1020 | APPLICAZIONI EPITASSIALI DELL'CAmplificatore DI ALIMENTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE PNP DEL TRANSISTORE (PROCESSO DEL PCT), APPLICAZIONI DI COMMUTAZIONE DI ALIMENTAZIONE. | TOSHIBA |
| 833 | 2SA1048 | Applicazioni epitassiali dell'amplificatore di frequenza audio del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) | TOSHIBA |
| 834 | 2SA1048(L) | Applicazioni basse di frequenza audio di rumore del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) di frequenza audio di applicazioni epitassiali dell'amplificatore | TOSHIBA |
| 835 | 2SA1048L | TRANSISTORE (APPLICAZIONI DELL'CAmplificatore DI FREQUENZA AUDIO) | TOSHIBA |
| 836 | 2SA1049 | Applicazioni epitassiali dell'amplificatore di frequenza audio del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) | TOSHIBA |
| 837 | 2SA1091 | Esposizione di plasma ad alta tensione diffusa triplice di applicazioni di controllo del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT), applicazioni di controllo di luminositą del tubo a raggi catodici di applicazioni del driver | TOSHIBA |
| 838 | 2SA1093 | TIPO EPITASSIALE DEL SILICONE PNP (PROCESSO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 839 | 2SA1093 | TIPO EPITASSIALE DEL SILICONE PNP (PROCESSO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 840 | 2SA1095 | Tipo Epitassiale Del Silicone PNP (Processo del PCT) | TOSHIBA |
| 841 | 2SA1145 | APPLICAZIONI EPITASSIALI DELL'CAmplificatore DI FREQUENZA AUDIO DEL TIPO DEL SILICONE PNP DEL TRANSISTORE (PROCESSO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 842 | 2SA1150 | Applicazioni a bassa frequenza epitassiali dell'amplificatore del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) | TOSHIBA |
| 843 | 2SA1160 | APPLICAZIONI MEDIE DELL'CAmplificatore DI ALIMENTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE PNP DEL TRANSISTORE (PROCESSO DEL PCT) DI APPLICAZIONI EPITASSIALI DELLO STROBOSCOPIO | TOSHIBA |
| 844 | 2SA1162 | Applicazioni per tutti gli usi epitassiali dell'amplificatore di frequenza audio del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) | TOSHIBA |
| 845 | 2SA1163 | Applicazioni per tutti gli usi epitassiali dell'amplificatore di frequenza audio del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) | TOSHIBA |
| 846 | 2SA1182 | Applicazioni basse epitassiali dell'amplificatore della fase di driver di applicazioni dell'amplificatore di alimentazione di frequenza audio del silicone PNP del transistore (processo del PCT) che commutano le applicazioni | TOSHIBA |
| 847 | 2SA1195 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE PNP | TOSHIBA |
| 848 | 2SA1195 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE PNP | TOSHIBA |
| 849 | 2SA1200 | Applicazioni ad alta tensione diffuse triplici di commutazione del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) | TOSHIBA |
| 850 | 2SA1201 | Applicazioni epitassiali dell'amplificatore di alimentazione di applicazioni dell'amplificatore di tensione del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) | TOSHIBA |
| 851 | 2SA1202 | Applicazioni epitassiali dell'amplificatore di tensione di applicazioni dell'amplificatore di alimentazione del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) | TOSHIBA |
| 852 | 2SA1203 | Applicazioni epitassiali dell'amplificatore di frequenza audio del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) | TOSHIBA |
| 853 | 2SA1204 | Applicazioni epitassiali dell'amplificatore di frequenza audio del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) | TOSHIBA |
| 854 | 2SA1213 | Applicazioni epitassiali di commutazione di alimentazione di applicazioni dell'amplificatore di alimentazione del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) | TOSHIBA |
| 855 | 2SA1217 | TIPO EPITASSIALE DEL SILICONE PNP (PROCESSO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 856 | 2SA1217 | TIPO EPITASSIALE DEL SILICONE PNP (PROCESSO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 857 | 2SA1225 | Applicazioni epitassiali dell'amplificatore della fase di driver di applicazioni dell'amplificatore di alimentazione del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) | TOSHIBA |
| 858 | 2SA1241 | Applicazioni epitassiali di commutazione di alimentazione di applicazioni dell'amplificatore di alimentazione del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) | TOSHIBA |
| 859 | 2SA1242 | Applicazioni medie dell'amplificatore di alimentazione del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) dello stroboscopio di applicazioni epitassiali dell'istantaneo | TOSHIBA |
| 860 | 2SA1244 | Applicazioni correnti epitassiali di commutazione del tipo del silicone PNP del transistore alte (processo del PCT) | TOSHIBA |
| 861 | 2SA1245 | Applicazioni basse ad alta frequenza dell'amplificatore dell'amplificatore del tipo planare epitassiale del silicone PNP del transistore e per la misurazione del rumore della fascia di applicazioni VHF~uhf di commutazione | TOSHIBA |
| 862 | 2SA1255 | Applicazioni ad alta tensione diffuse triplici di commutazione del silicone PNP del transistore (processo del PCT) | TOSHIBA |
| 863 | 2SA1263 | TIPO DIFFUSO TRIPLICE DEL SILICONE PNP | TOSHIBA |
| 864 | 2SA1263 | TIPO DIFFUSO TRIPLICE DEL SILICONE PNP | TOSHIBA |
| 865 | 2SA1264 | TIPO DIFFUSO TRIPLICE DEL SILICONE PNP | TOSHIBA |
| 866 | 2SA1265 | Applicazioni Dell'Amplificatore Di Alimentazione | TOSHIBA |
| 867 | 2SA1293 | Applicazioni Correnti Di Commutazione del TIPO del SILICONE PNP PITAXIAL del TRANSISTORE Alte (PROCESSO del PCT) | TOSHIBA |
| 868 | 2SA1296 | Le applicazioni epitassiali dell'amplificatore di alimentazione del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) alimentano le applicazioni di commutazione | TOSHIBA |
| 869 | 2SA1297 | Le applicazioni epitassiali dell'amplificatore di alimentazione del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) alimentano le applicazioni di commutazione | TOSHIBA |
| 870 | 2SA1298 | Applicazioni a bassa frequenza epitassiali di commutazione di alimentazione di applicazione dell'amplificatore di alimentazione del silicone PNP del transistore (processo del PCT) | TOSHIBA |
| 871 | 2SA1300 | Applicazioni medie dell'amplificatore di alimentazione del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) dello stroboscopio di applicazioni epitassiali dell'istantaneo | TOSHIBA |
| 872 | 2SA1304 | TRANSISTORE (AMPLIFICATORE DI ALIMENTAZIONE/APPLICAZIONI VERTICALI DELL'CUscita) | TOSHIBA |
| 873 | 2SA1306 | Serie Del Pacchetto To-220 | TOSHIBA |
| 874 | 2SA1306B | 1,5 A; 200V; 20W; silicone PNP tipo epitassiale stransistor. Per le applicazioni dell'amplificatore di potenza, le applicazioni di amplificazione stadio di pilotaggio | TOSHIBA |
| 875 | 2SA1312 | Applicazioni basse epitassiali dell'amplificatore per la misurazione del rumore di frequenza audio del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) | TOSHIBA |
| 876 | 2SA1313 | Applicazioni basse epitassiali dell'amplificatore della fase di driver di applicazioni dell'amplificatore di alimentazione di frequenza audio del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) che commutano le applicazioni | TOSHIBA |
| 877 | 2SA1314 | Applicazioni audio di alimentazione del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) dello stroboscopio di applicazioni epitassiali dell'istantaneo | TOSHIBA |
| 878 | 2SA1315 | Applicazioni epitassiali di commutazione di alimentazione di applicazioni dell'amplificatore di alimentazione del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) | TOSHIBA |
| 879 | 2SA1316 | Tipo epitassiale del silicone PNP del transistore (processo del PCT) per le applicazioni audio dell'amplificatore per la misurazione del rumore basso e suggerito per le prime fasi degli amplificatori capi di MC | TOSHIBA |
| 880 | 2SA1320 | Applicazioni ad alta tensione diffuse triplici dell'uscita di intensitą di colore TV di applicazioni di commutazione del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) | TOSHIBA |
| 881 | 2SA1321 | COMMUTAZIONE AD ALTA TENSIONE DIFFUSA TRIPLICE DEL TIPO DEL SILICONE PNP DEL TRANSISTORE (PROCESSO DEL PCT), APPLICAZIONI DELL'CUscita DI INTENSITĄ DI COLORE TV. | TOSHIBA |
| 882 | 2SA1327A | Applicazioni audio dell'amplificatore di alimentazione del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) dello stroboscopio di applicazioni epitassiali dell'istantaneo | TOSHIBA |
| 883 | 2SA1328 | TIPO EPITASSIALE DEL SILICONE PNP (PROCESSO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 884 | 2SA1328 | TIPO EPITASSIALE DEL SILICONE PNP (PROCESSO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 885 | 2SA1329 | TIPO EPITASSIALE DEL SILICONE PNP (PROCESSO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 886 | 2SA1329 | TIPO EPITASSIALE DEL SILICONE PNP (PROCESSO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 887 | 2SA1349 | TRANSISTORE (APPLICAZIONI AUDIO DELL'CAmplificatore PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE BASSO. SUGGERITO PER LA CASCATA/APPLICAZIONI DEI CIRCUITI CORRENTI DELLO SPECCHIO DELLE PRIME FASI PRE/AMPL PRINCIPALE | TOSHIBA |
| 888 | 2SA1356 | APPLICAZIONE AUDIO EPITASSIALE DELL'CAmplificatore DI ALIMENTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE PNP DEL TRANSISTORE (PROCESSO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 889 | 2SA1357 | APPLICAZIONI AUDIO DELL'CAmplificatore DI ALIMENTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE PNP DEL TRANSISTORE (PROCESSO DEL PCT) DELLO STROBOSCOPIO DI APPLICAZIONI EPITASSIALI DELL'CIstantaneo | TOSHIBA |
| 890 | 2SA1358 | APPLICAZIONI EPITASSIALI DELL'CAmplificatore DI ALIMENTAZIONE DI FREQUENZA AUDIO DEL TIPO DEL SILICONE PNP DEL TRANSISTORE (PROCESSO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 891 | 2SA1359 | AMPLIFICATORE DI ALIMENTAZIONE A BASSA VELOCITĄ EPITASSIALE DI FREQUENZA AUDIO DI COMMUTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE PNP DEL TRANSISTORE (PROCESSO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 892 | 2SA1360 | APPLICAZIONI EPITASSIALI DELL'CAmplificatore DI ALIMENTAZIONE DI FREQUENZA AUDIO DEL TIPO DEL SILICONE PNP DEL TRANSISTORE (PROCESSO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 893 | 2SA1361 | 2SA1361 | TOSHIBA |
| 894 | 2SA1361 | 2SA1361 | TOSHIBA |
| 895 | 2SA1362 | Transistore | TOSHIBA |
| 896 | 2SA1382 | AMPLIFICATORE di ALIMENTAZIONE EPITASSIALE del TIPO del SILICONE PNP del TRANSISTORE (PROCESSO del PCT), Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione | TOSHIBA |
| 897 | 2SA1384 | Esposizione di plasma AD ALTA TENSIONE diffusa triplice di applicazioni di controllo del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT), applicazioni di controllo di luminositą del tubo a raggi catodici di applicazioni del driver | TOSHIBA |
| 898 | 2SA1388 | 2SA1388 | TOSHIBA |
| 899 | 2SA1388 | 2SA1388 | TOSHIBA |
| 900 | 2SA1408 | COLORE EPITASSIALE TV VERT DEL TIPO DEL SILICONE PNP DEL TRANSISTORE (PROCESSO DEL PCT). APPLICAZIONI SANE Dell'cUscita Dell'cUscita Di DEVIAZIONE E Del CODICE CATEGORIA B Di COLORE TV | TOSHIBA |
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