| Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
| 801 | 200FXH13 | DIODE(HIGHSPEEDRECTIFIERAPPLICATIONS) | TOSHIBA |
| 802 | 20DL2C41A | USO EPITAXIAL DEL CONVERTIDOR Y DEL INTERRUPTOR DE LOS USOS DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DEL MODO DE LA CONMUTACIÓN DEL TIPO DEL SILICIO DEL APILADO DE DIODO DE LA EFICACIA ALTA (HED) | TOSHIBA |
| 803 | 20DL2C48A | USO EPITAXIAL DEL CONVERTIDOR Y DEL INTERRUPTOR DEL USO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DEL MODO DE LA CONMUTACIÓN DEL TIPO DEL SILICIO DEL APILADO DE DIODO DE LA EFICACIA ALTA (HED) | TOSHIBA |
| 804 | 20DL2CZ47A | USO EPITAXIAL DEL CONVERTIDOR Y DEL INTERRUPTOR DE LOS USOS DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DEL MODO DE LA CONMUTACIÓN DEL TIPO DEL SILICIO DEL APILADO DE DIODO DE LA EFICACIA ALTA (HED) | TOSHIBA |
| 805 | 20DL2CZ51A | USO EPITAXIAL DEL CONVERTIDOR Y DEL INTERRUPTOR DE LOS USOS DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DEL MODO DE LA CONMUTACIÓN DEL TIPO DEL SILICIO DEL APILADO DE DIODO DE LA EFICACIA ALTA (HED) | TOSHIBA |
| 806 | 20FL2C41A | USO EPITAXIAL DEL CONVERTIDOR Y DEL INTERRUPTOR DE LOS USOS DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DEL MODO DE LA CONMUTACIÓN DEL TIPO DEL SILICIO DEL APILADO DE DIODO DE LA EFICACIA ALTA (HED) | TOSHIBA |
| 807 | 20FL2C48A | USO EPITAXIAL DEL CONVERTIDOR Y DEL INTERRUPTOR DEL USO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DEL MODO DE LA CONMUTACIÓN DEL TIPO DEL SILICIO DEL APILADO DE DIODO DE LA EFICACIA ALTA (HED) | TOSHIBA |
| 808 | 20FL2CZ47A | USO EPITAXIAL DEL CONVERTIDOR Y DEL INTERRUPTOR DE LOS USOS DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DEL MODO DE LA CONMUTACIÓN DEL TIPO DEL SILICIO DEL APILADO DE DIODO DE LA EFICACIA ALTA (HED) | TOSHIBA |
| 809 | 20FL2CZ51A | USO EPITAXIAL DEL CONVERTIDOR Y DEL INTERRUPTOR DE LOS USOS DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DEL MODO DE LA CONMUTACIÓN DEL TIPO DEL SILICIO DEL APILADO DE DIODO DE LA EFICACIA ALTA (HED) | TOSHIBA |
| 810 | 20FWJ2C48M | FUENTE DE ALIMENTACIÓN DEL MODO DE LA CONMUTACIÓN DEL APILADO DE RECTIFICADOR DE LA BARRERA DE SCHOTTKY, CONVERTIDOR Y USO DEL INTERRUPTOR | TOSHIBA |
| 811 | 20FWJ2CZ47M | USO DEL CONVERTIDOR Y DEL INTERRUPTOR DEL USO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DEL MODO DE LA CONMUTACIÓN DEL APILADO DE RECTIFICADOR DE LA BARRERA DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 812 | 20GL2C41A | USO EPITAXIAL DEL CONVERTIDOR Y DEL INTERRUPTOR DE LOS USOS DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DEL MODO DE LA CONMUTACIÓN DEL TIPO DEL SILICIO DEL APILADO DE DIODO DE LA EFICACIA ALTA (HED) | TOSHIBA |
| 813 | 20JL2C41 | USO EPITAXIAL DEL CONVERTIDOR Y DEL INTERRUPTOR DE LOS USOS DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DEL MODO DE LA CONMUTACIÓN DEL TIPO DEL SILICIO DEL APILADO DE DIODO DE LA EFICACIA ALTA (HED) | TOSHIBA |
| 814 | 20JL2C41A | USO EPITAXIAL DEL CONVERTIDOR Y DEL INTERRUPTOR DE LOS USOS DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DEL MODO DE LA CONMUTACIÓN DEL TIPO DEL SILICIO DEL APILADO DE DIODO DE LA EFICACIA ALTA (HED) | TOSHIBA |
| 815 | 20L6P45 | RECTIFIERMODULE(THREEPHASEFULLWAVEBRIDGEAPLICATIONS) | TOSHIBA |
| 816 | 20U6P45 | RECTIFIERMODULE(THREEPHASEFULLWAVEBRIDGEAPPLICATIONS) | TOSHIBA |
| 817 | 2AS1832F | TRANSISTOR (USOS DE FINES GENERALES DEL AMPLIFICADOR DE LA FRECUENCIA AUDIO) | TOSHIBA |
| 818 | 2FWJ42M | USO PORTABLE DE LA BATERÍA DEL EQUIPO DEL USO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DEL MODO DE LA CONMUTACIÓN DEL RECTIFICADOR DE LA BARRERA DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 819 | 2FWJ42N | USOS DE ALTA VELOCIDAD DEL RECTIFICADOR DEL RECTIFICADOR DE LA BARRERA DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 820 | 2GLZ47A | RECTIFICADOR DE LA EFICACIA ALTA (USO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DEL TIPO DE LA CONMUTACIÓN) | TOSHIBA |
| 821 | 2GUZ47 | DIODO (USO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DEL TIPO DE LA CONMUTACIÓN) | TOSHIBA |
| 822 | 2GWJ2C42 | USO DEL CONVERTIDOR Y DEL INTERRUPTOR DEL USO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DEL MODO DE LA CONMUTACIÓN DEL APILADO DE RECTIFICADOR DE LA BARRERA DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 823 | 2GWJ42 | USOS DE ALTA VELOCIDAD DEL RECTIFICADOR DEL RECTIFICADOR DE LA BARRERA DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 824 | 2GWJ42C | USOS DE ALTA VELOCIDAD DEL RECTIFICADOR DEL RECTIFICADOR DE LA BARRERA DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 825 | 2NH45 | RECTIFICADOR RÁPIDO DE LA RECUPERACIÓN (TIPO USOS DE LA CONMUTACIÓN DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN) | TOSHIBA |
| 826 | 2NU41 | RECTIFICADOR RÁPIDO ESTUPENDO DE LA RECUPERACIÓN (USOS DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DEL TIPO DE LA CONMUTACIÓN) | TOSHIBA |
| 827 | 2SA1012 | USOS ACTUALES EPITAXIAL DE LA CONMUTACIÓN DEL TIPO DEL SILICIO PNP DEL TRANSISTOR ALTOS (PROCESO DEL PCT). | TOSHIBA |
| 828 | 2SA1013 | COLOR EPITAXIAL TV VERT DEL TIPO DEL SILICIO PNP DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT). SALIDA De la DESVIACIÓN, USOS SANOS De la SALIDA De la CLASE B Del COLOR TV | TOSHIBA |
| 829 | 2SA1015 | Usos de fines generales epitaxial del amplificador de la etapa de conductor de los usos del amplificador de la frecuencia audio del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 830 | 2SA1015(L) | Usos bajos del amplificador del ruido del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) de la frecuencia audio de los usos epitaxial del amplificador | TOSHIBA |
| 831 | 2SA1015L | TRANSISTOR (USOS DEL AMPLIFICADOR DE LA FRECUENCIA AUDIO) | TOSHIBA |
| 832 | 2SA1020 | USOS EPITAXIAL DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL TIPO DEL SILICIO PNP DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT), USOS DE LA CONMUTACIÓN DE LA ENERGÍA. | TOSHIBA |
| 833 | 2SA1048 | Usos epitaxial del amplificador de la frecuencia audio del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 834 | 2SA1048(L) | Usos bajos de la frecuencia audio del ruido del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) de la frecuencia audio de los usos epitaxial del amplificador | TOSHIBA |
| 835 | 2SA1048L | TRANSISTOR (USOS DEL AMPLIFICADOR DE LA FRECUENCIA AUDIO) | TOSHIBA |
| 836 | 2SA1049 | Usos epitaxial del amplificador de la frecuencia audio del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 837 | 2SA1091 | El silicio PNP del transistor triplica la exhibición de plasma de alto voltaje difundida de los usos del control del tipo (proceso del PCT), usos del control de brillo del tubo catódico de los usos del conductor del tubo de Nixie | TOSHIBA |
| 838 | 2SA1093 | TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP (PROCESO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 839 | 2SA1093 | TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP (PROCESO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 840 | 2SA1095 | Tipo Epitaxial Del Silicio PNP (Proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 841 | 2SA1145 | USOS EPITAXIAL DEL AMPLIFICADOR DE LA FRECUENCIA AUDIO DEL TIPO DEL SILICIO PNP DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 842 | 2SA1150 | Usos epitaxial del amplificador de la frecuencia baja del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 843 | 2SA1160 | USOS MEDIOS DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL TIPO DEL SILICIO PNP DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT) DE LOS USOS EPITAXIAL DEL ESTROBOSCÓPICO | TOSHIBA |
| 844 | 2SA1162 | Usos de fines generales epitaxial del amplificador de la frecuencia audio del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 845 | 2SA1163 | Usos de fines generales epitaxial del amplificador de la frecuencia audio del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 846 | 2SA1182 | Usos bajos epitaxial del amplificador de la etapa de conductor de los usos del amplificador de energía de la frecuencia audio del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) que cambian usos | TOSHIBA |
| 847 | 2SA1195 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO PNP | TOSHIBA |
| 848 | 2SA1195 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO PNP | TOSHIBA |
| 849 | 2SA1200 | El silicio PNP del transistor triplica usos de alto voltaje difundidos de la conmutación del tipo (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 850 | 2SA1201 | Usos epitaxial del amplificador de energía de los usos del amplificador del voltaje del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 851 | 2SA1202 | Usos epitaxial del amplificador del voltaje de los usos del amplificador de energía del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 852 | 2SA1203 | Usos epitaxial del amplificador de la frecuencia audio del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 853 | 2SA1204 | Usos epitaxial del amplificador de la frecuencia audio del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 854 | 2SA1213 | Los usos epitaxial del amplificador de energía del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) accionan usos de la conmutación | TOSHIBA |
| 855 | 2SA1217 | TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP (PROCESO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 856 | 2SA1217 | TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP (PROCESO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 857 | 2SA1225 | Usos epitaxial del amplificador de la etapa de conductor de los usos del amplificador de energía del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 858 | 2SA1241 | Los usos epitaxial del amplificador de energía del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) accionan usos de la conmutación | TOSHIBA |
| 859 | 2SA1242 | Usos medios del amplificador de energía del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) del estroboscópico de los usos epitaxial del flash | TOSHIBA |
| 860 | 2SA1244 | Usos actuales epitaxial de la conmutación del tipo del silicio PNP del transistor altos (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 861 | 2SA1245 | Usos bajos de alta frecuencia del amplificador del amplificador del tipo planar epitaxial del silicio PNP del transistor y del ruido de la venda de los usos VHF~UHF de la conmutación | TOSHIBA |
| 862 | 2SA1255 | El silicio PNP del transistor triplica (proceso del PCT) usos de alto voltaje difundidos de la conmutación | TOSHIBA |
| 863 | 2SA1263 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLE DEL SILICIO PNP | TOSHIBA |
| 864 | 2SA1263 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLE DEL SILICIO PNP | TOSHIBA |
| 865 | 2SA1264 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLE DEL SILICIO PNP | TOSHIBA |
| 866 | 2SA1265 | Usos Del Amplificador De Energía | TOSHIBA |
| 867 | 2SA1293 | Usos Actuales De la Conmutación del TIPO del SILICIO PNP PITAXIAL del TRANSISTOR Altos (PROCESO del PCT) | TOSHIBA |
| 868 | 2SA1296 | Los usos epitaxial del amplificador de energía del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) accionan usos de la conmutación | TOSHIBA |
| 869 | 2SA1297 | Los usos epitaxial del amplificador de energía del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) accionan usos de la conmutación | TOSHIBA |
| 870 | 2SA1298 | Usos epitaxial de la conmutación de la energía del uso del amplificador de energía de la frecuencia baja del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 871 | 2SA1300 | Usos medios del amplificador de energía del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) del estroboscópico de los usos epitaxial del flash | TOSHIBA |
| 872 | 2SA1304 | TRANSISTOR (AMPLIFICADOR DE ENERGÍA/USOS VERTICALES DE LA SALIDA) | TOSHIBA |
| 873 | 2SA1306 | Serie Del Paquete To-220 | TOSHIBA |
| 874 | 2SA1306B | 1.5 A; 200V; 20W; silicio PNP tipo epitaxial stransistor. Para aplicaciones de amplificadores de potencia, aplicaciones de amplificador etapa piloto | TOSHIBA |
| 875 | 2SA1312 | Usos bajos epitaxial del amplificador del ruido de la frecuencia audio del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 876 | 2SA1313 | Usos bajos epitaxial del amplificador de la etapa de conductor de los usos del amplificador de energía de la frecuencia audio del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) que cambian usos | TOSHIBA |
| 877 | 2SA1314 | Usos audio de la energía del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) del estroboscópico de los usos epitaxial del flash | TOSHIBA |
| 878 | 2SA1315 | Los usos epitaxial del amplificador de energía del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) accionan usos de la conmutación | TOSHIBA |
| 879 | 2SA1316 | Tipo epitaxial del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) para los usos audio del amplificador del ruido bajo y recomendado para las primeras etapas de los amplificadores principales de MC | TOSHIBA |
| 880 | 2SA1320 | El silicio PNP del transistor triplica usos de alto voltaje difundidos de la salida del chroma del color TV de los usos de la conmutación del tipo (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 881 | 2SA1321 | CONMUTACIÓN DE ALTO VOLTAJE DIFUNDIDA TRIPLE DEL TIPO DEL SILICIO PNP DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT), USOS DE LA SALIDA DEL CHROMA DEL COLOR TV. | TOSHIBA |
| 882 | 2SA1327A | Usos audio del amplificador de energía del tipo del silicio PNP del transistor (proceso del PCT) del estroboscópico de los usos epitaxial del flash | TOSHIBA |
| 883 | 2SA1328 | TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP (PROCESO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 884 | 2SA1328 | TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP (PROCESO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 885 | 2SA1329 | TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP (PROCESO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 886 | 2SA1329 | TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP (PROCESO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 887 | 2SA1349 | TRANSISTOR (USOS AUDIO DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO BAJO. RECOMENDADO PARA LA CASCADA/LOS USOS DE CIRCUITO ACTUALES DEL ESPEJO DE LAS PRIMERAS ETAPAS DE PRE/DEL AMPL PRINCIPAL | TOSHIBA |
| 888 | 2SA1356 | USO AUDIO EPITAXIAL DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL TIPO DEL SILICIO PNP DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 889 | 2SA1357 | USOS AUDIO DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL TIPO DEL SILICIO PNP DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT) DEL ESTROBOSCÓPICO DE LOS USOS EPITAXIAL DEL FLASH | TOSHIBA |
| 890 | 2SA1358 | USOS EPITAXIAL DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DE LA FRECUENCIA AUDIO DEL TIPO DEL SILICIO PNP DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 891 | 2SA1359 | VELOCIDAD BAJA EPITAXIAL DEL TIPO DEL SILICIO PNP DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT) QUE CAMBIA EL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DE LA FRECUENCIA AUDIO | TOSHIBA |
| 892 | 2SA1360 | USOS EPITAXIAL DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DE LA FRECUENCIA AUDIO DEL TIPO DEL SILICIO PNP DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 893 | 2SA1361 | 2SA1361 | TOSHIBA |
| 894 | 2SA1361 | 2SA1361 | TOSHIBA |
| 895 | 2SA1362 | Transistor | TOSHIBA |
| 896 | 2SA1382 | AMPLIFICADOR de ENERGÍA EPITAXIAL del TIPO del SILICIO PNP del TRANSISTOR (PROCESO del PCT), Usos De alta velocidad De la Conmutación | TOSHIBA |
| 897 | 2SA1384 | El silicio PNP del transistor triplica la exhibición de plasma DE ALTO VOLTAJE difundida de los usos del control del tipo (proceso del PCT), usos del control de brillo del tubo catódico de los usos del conductor del tubo de Nixie | TOSHIBA |
| 898 | 2SA1388 | 2SA1388 | TOSHIBA |
| 899 | 2SA1388 | 2SA1388 | TOSHIBA |
| 900 | 2SA1408 | COLOR EPITAXIAL TV VERT DEL TIPO DEL SILICIO PNP DEL TRANSISTOR (PROCESO DEL PCT). USOS SANOS De la SALIDA De la SALIDA De la DESVIACIÓN Y De la CLASE B Del COLOR TV | TOSHIBA |
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