| Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
| 3501 | MT6P04AT | Uso Bajo Del Amplificador Del Ruido Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor De la Venda Planar Epitaxial De Vhf-frecuencia ultraelevada | TOSHIBA |
| 3502 | MT6P06E | Uso Bajo Del Amplificador Del Ruido Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor De la Venda Planar Epitaxial De Vhf-frecuencia ultraelevada | TOSHIBA |
| 3503 | MT6P06T | Uso Bajo Del Amplificador Del Ruido Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor De la Venda Planar Epitaxial De Vhf-frecuencia ultraelevada | TOSHIBA |
| 3504 | MT6P07E | Uso Bajo Del Amplificador Del Ruido Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor De la Venda Planar Epitaxial De Vhf-frecuencia ultraelevada | TOSHIBA |
| 3505 | MT6P07T | Uso Bajo Del Amplificador Del Ruido Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor De la Venda Planar Epitaxial De Vhf-frecuencia ultraelevada | TOSHIBA |
| 3506 | MT8986AE | Interruptor De Digital Múltiple De la Tarifa De la Familia del Cmos ST-BUS | TOSHIBA |
| 3507 | MT8986AL | Interruptor De Digital Múltiple De la Tarifa De la Familia del Cmos ST-BUS | TOSHIBA |
| 3508 | MT8986AP | Interruptor De Digital Múltiple De la Tarifa De la Familia del Cmos ST-BUS | TOSHIBA |
| 3509 | MT8986AP1 | Interruptor De Digital Múltiple De la Tarifa De la Familia del Cmos ST-BUS | TOSHIBA |
| 3510 | MT8986APR | Interruptor De Digital Múltiple De la Tarifa De la Familia del Cmos ST-BUS | TOSHIBA |
| 3511 | MT8986APR1 | Interruptor De Digital Múltiple De la Tarifa De la Familia del Cmos ST-BUS | TOSHIBA |
| 3512 | OR8GU41 | TIPO DIFUNDIDO (USOS DE ALTA VELOCIDAD DEL RECTIFICADOR) | TOSHIBA |
| 3513 | P1001A | IC INFRARROJO DE THSHIBA PHOTOINTERRUPTER LED+PHOTO | TOSHIBA |
| 3514 | P100A | IC INFRARROJO DE THSHIBA PHOTOINTERRUPTER LED+PHOTO | TOSHIBA |
| 3515 | P1014 | IC INFRARROJO DE TOSHIBA PHOTOINTERRUPTER LED+PHOTO | TOSHIBA |
| 3516 | P1015 | IC INFRARROJO DE TOSHIBA PHOTOINTERRUPTER LED+PHOTO | TOSHIBA |
| 3517 | PA75358CP | SILICIO MONOLÍTICO (AMPLIFICADOR DUAL DE POERATIONAL) | TOSHIBA |
| 3518 | PAL20L8 | PUERTA DE SILICIO DEL CIRCUITO DEL MOS DIGITAL INTERGRATED CMOS | TOSHIBA |
| 3519 | PAL20R4 | PUERTA DE SILICIO DEL CIRCUITO DEL MOS DIGITAL INTERGRATED CMOS | TOSHIBA |
| 3520 | PAL20R6 | PUERTA DE SILICIO DEL CIRCUITO DEL MOS DIGITAL INTERGRATED CMOS | TOSHIBA |
| 3521 | PAL20R8 | PUERTA DE SILICIO DEL CIRCUITO DEL MOS DIGITAL INTERGRATED CMOS | TOSHIBA |
| 3522 | PGU1008A(T05) | Indicador Del Circuito Del Panel - Lámparas del LED | TOSHIBA |
| 3523 | RFM00U7U | MOSFET de potencia de radiofrecuencia | TOSHIBA |
| 3524 | RFM01U7P | MOSFET de potencia de radiofrecuencia | TOSHIBA |
| 3525 | RFM03U3CT | MOSFET de potencia de radiofrecuencia | TOSHIBA |
| 3526 | RFM04U6P | MOSFET de potencia de radiofrecuencia | TOSHIBA |
| 3527 | RFM07U7X | MOSFET de potencia de radiofrecuencia | TOSHIBA |
| 3528 | RFM08U9X | MOSFET de potencia de radiofrecuencia | TOSHIBA |
| 3529 | RFM12U7X | MOSFET de potencia de radiofrecuencia | TOSHIBA |
| 3530 | RN1001 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3531 | RN1002 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3532 | RN1003 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3533 | RN1004 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3534 | RN1005 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3535 | RN1006 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3536 | RN1007 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3537 | RN1008 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3538 | RN1009 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3539 | RN1010 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3540 | RN1011 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3541 | RN1101 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3542 | RN1101ACT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3543 | RN1101CT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3544 | RN1101F | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3545 | RN1101FT | Usos epitaxial de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor. | TOSHIBA |
| 3546 | RN1101MFV | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3547 | RN1102 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3548 | RN1102ACT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3549 | RN1102CT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3550 | RN1102F | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3551 | RN1102FT | Usos epitaxial de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor. | TOSHIBA |
| 3552 | RN1102MFV | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3553 | RN1103 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3554 | RN1103ACT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3555 | RN1103CT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3556 | RN1103F | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3557 | RN1103FT | Usos epitaxial de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor. | TOSHIBA |
| 3558 | RN1103MFV | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3559 | RN1104 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3560 | RN1104ACT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3561 | RN1104CT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3562 | RN1104F | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3563 | RN1104FT | Usos epitaxial de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor. | TOSHIBA |
| 3564 | RN1104MFV | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3565 | RN1105 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3566 | RN1105ACT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3567 | RN1105CT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3568 | RN1105F | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3569 | RN1105FT | Usos epitaxial de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor. | TOSHIBA |
| 3570 | RN1105MFV | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3571 | RN1106 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3572 | RN1106ACT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3573 | RN1106CT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3574 | RN1106F | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3575 | RN1106FT | Usos epitaxial de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor. | TOSHIBA |
| 3576 | RN1106MFV | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3577 | RN1107 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3578 | RN1107ACT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3579 | RN1107CT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3580 | RN1107F | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3581 | RN1107FT | Usos epitaxial de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor. | TOSHIBA |
| 3582 | RN1107MFV | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3583 | RN1108 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3584 | RN1108ACT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3585 | RN1108CT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3586 | RN1108F | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3587 | RN1108FT | Usos epitaxial de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor. | TOSHIBA |
| 3588 | RN1108MFV | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3589 | RN1109 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3590 | RN1109ACT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3591 | RN1109CT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3592 | RN1109F | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3593 | RN1109FT | Usos epitaxial de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor. | TOSHIBA |
| 3594 | RN1109MFV | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3595 | RN1110 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3596 | RN1110CT | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3597 | RN1110F | Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
| 3598 | RN1110FT | Conmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor. | TOSHIBA |
| 3599 | RN1110MFV | Resistencia de polarización integrado transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 3600 | RN1111 | Usos Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio NPN Del Transistor (Proceso del PCT), Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del Conductor | TOSHIBA |
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