| Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
| 3001 | HN3C13FU | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 3002 | HN3C14 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DE NPN (USOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA DE VHF~UHF) | TOSHIBA |
| 3003 | HN3C14F | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 3004 | HN3C14FT | USOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 3005 | HN3C14FU | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 3006 | HN3C15F | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 3007 | HN3C15FU | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 3008 | HN3C16F | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 3009 | HN3C16FT | Productos Nuevos del Rf | TOSHIBA |
| 3010 | HN3C16FU | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 3011 | HN3C17F | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 3012 | HN3C17FU | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 3013 | HN3C18F | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 3014 | HN3C18FT | Productos Nuevos del Rf | TOSHIBA |
| 3015 | HN3C18FU | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 3016 | HN3C51F | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3017 | HN3C56FU | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3018 | HN3C67FE | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3019 | HN3G01 | TRANSISTOR EPITAXIAL Del TIPO Del SILICIO NPN Del Fet Del TIPO De la ENSAMBLADURA Del CANAL De N | TOSHIBA |
| 3020 | HN3G01J | TRANSISTOR EPITAXIAL Del TIPO Del SILICIO NPN Del Fet Del TIPO De la ENSAMBLADURA Del CANAL De N | TOSHIBA |
| 3021 | HN4A06J | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3022 | HN4A08J | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3023 | HN4A51J | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3024 | HN4A56JU | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3025 | HN4B01JE | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3026 | HN4B04J | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3027 | HN4B06J | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3028 | HN4B101J | Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidad | TOSHIBA |
| 3029 | HN4B102J | Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación de alta velocidad | TOSHIBA |
| 3030 | HN4C05JU | Multi usos de fines generales discretos del amplificador de la frecuencia audio del dispositivo de la viruta para los usos que apagan y que cambian | TOSHIBA |
| 3031 | HN4C06J | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3032 | HN4C51J | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3033 | HN4D01JU | Diodo de conmutación | TOSHIBA |
| 3034 | HN4D02JU | Diodo de conmutación | TOSHIBA |
| 3035 | HN4K03JU | Usos Análogos Del Interruptor De los Usos De alta velocidad De la Conmutación Del Tipo del MOS Del Canal Del Silicio N Del Transistor De Efecto De Campo | TOSHIBA |
| 3036 | HN7G01FU | Multi Uso De Circuito Discreto De Interfaz Del Uso De Circuito Del Conductor Del Uso Del Interruptor De la Gerencia De la Energía Del Dispositivo De la Viruta | TOSHIBA |
| 3037 | HN7G02FU | Multi uso discreto del interruptor de la gerencia de la energía del dispositivo de la viruta, uso de circuito del inversor, uso de circuito del conductor y uso de circuito de interfaz. | TOSHIBA |
| 3038 | HN9C01FE | USOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 3039 | HN9C01FT | USOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 3040 | HN9C09FT | USOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 3041 | HN9C14FT | USOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 3042 | HN9C15FT | USOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 3043 | HN9C22FT | USOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 3044 | IK-540A | Cámara fotográfica De Toshiba Ik-540a | TOSHIBA |
| 3045 | JBT6K47-AS | Conductor de la fuente para los paneles de TFT LCD | TOSHIBA |
| 3046 | JBT6K48-AS | Conductor de la puerta para el panel de TFT LCD | TOSHIBA |
| 3047 | JBT6K49-AS | IC de la fuente de alimentación para los paneles de TFT LCD | TOSHIBA |
| 3048 | JBT6L77-AS | Conductor de la fuente para los paneles de TFT LCD | TOSHIBA |
| 3049 | JBT6L78-AS | Conductor de la puerta para el panel de TFT LCD | TOSHIBA |
| 3050 | JBT6N81S | Sistema single-Chip LSI para la tarjeta de RFID | TOSHIBA |
| 3051 | JBTC94B12-AS | Micrófono para ECM Digital | TOSHIBA |
| 3052 | JDH2S01FS | Alta frecuencia de diodo de barrera Schottky | TOSHIBA |
| 3053 | JDH2S01T | Mezclador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA De la Venda De Schottky Del Silicio Del Diodo Del Tipo Epitaxial De la Barrera | TOSHIBA |
| 3054 | JDH2S02FS | Alta frecuencia de diodo de barrera Schottky | TOSHIBA |
| 3055 | JDH2S02SC | Alta frecuencia de diodo de barrera Schottky | TOSHIBA |
| 3056 | JDH3D01FV | Alta frecuencia de diodo de barrera Schottky | TOSHIBA |
| 3057 | JDH3D01S | Alta frecuencia de diodo de barrera Schottky | TOSHIBA |
| 3058 | JDP2S01AFS | Usos Epitaxial Del Interruptor del Rf De la Venda Del Tipo UHF~VHF del PERNO Del Silicio del DIODO | TOSHIBA |
| 3059 | JDP2S01E | Usos Epitaxial Del Atenuador del Rf De la Venda Del Tipo UHF~VHF Del Perno Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 3060 | JDP2S01S | Usos Epitaxial Del Atenuador del Rf De la Venda Del Tipo UHF~VHF Del Perno Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 3061 | JDP2S01T | Usos Epitaxial Del Atenuador del Rf De la Venda Del Tipo UHF~VHF Del Perno Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 3062 | JDP2S01U | Usos Epitaxial Del Atenuador del Rf De la Venda Del Tipo UHF~VHF Del Perno Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 3063 | JDP2S02ACT | Diodo de conmutación de radio-frecuencia | TOSHIBA |
| 3064 | JDP2S02AFS | Usos Epitaxial Del Atenuador del Rf De la Venda Del Tipo UHF~VHF Del Perno Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 3065 | JDP2S02S | Usos Epitaxial Del Atenuador del Rf De la Venda Del Tipo UHF~VHF Del Perno Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 3066 | JDP2S02T | Usos Epitaxial Del Atenuador del Rf De la Venda Del Tipo UHF~VHF Del Perno Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 3067 | JDP2S04E | Usos Epitaxial Del Atenuador del Rf De la Venda Del Tipo UHF~VHF Del Perno Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 3068 | JDP2S05SC | Diodo de conmutación de radio-frecuencia | TOSHIBA |
| 3069 | JDP2S08SC | Diodo de conmutación de radio-frecuencia | TOSHIBA |
| 3070 | JDP2S12CR | Diodo de conmutación de radio-frecuencia | TOSHIBA |
| 3071 | JDP3C02AU | Diodo de conmutación de radio-frecuencia | TOSHIBA |
| 3072 | JDP3C04TU | Diodo de conmutación de radio-frecuencia | TOSHIBA |
| 3073 | JDP4P02AT | Diodo de conmutación de radio-frecuencia | TOSHIBA |
| 3074 | JDP4P02U | Usos Epitaxial Del Atenuador del Rf De la Venda Del Tipo UHF~VHF Del Perno Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 3075 | JDS2S03S | Usos Planar Epitaxial Del Interruptor De la Venda Del Sintonizador del Vhf Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 3076 | JDV2S01E | Tipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la venda DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA | TOSHIBA |
| 3077 | JDV2S01S | Tipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la venda DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA | TOSHIBA |
| 3078 | JDV2S02E | Tipo planar epitaxial del silicio del diodo, VCO para la venda DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA | TOSHIBA |
| 3079 | JDV2S02S | Tipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la venda DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA | TOSHIBA |
| 3080 | JDV2S05E | Tipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la venda DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA | TOSHIBA |
| 3081 | JDV2S05S | Tipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la venda DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA | TOSHIBA |
| 3082 | JDV2S06S | Tipo planar epitaxial del silicio del diodo, VCO para la radio DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la venda | TOSHIBA |
| 3083 | JDV2S07FS | Diodo de capacidad variable para aplicaciones de afinación electrónicos | TOSHIBA |
| 3084 | JDV2S07S | Tipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la radio DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la venda | TOSHIBA |
| 3085 | JDV2S08S | Tipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la radio DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la venda | TOSHIBA |
| 3086 | JDV2S09FS | Diodo de capacidad variable para aplicaciones de afinación electrónicos | TOSHIBA |
| 3087 | JDV2S09S | Tipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la radio DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la venda | TOSHIBA |
| 3088 | JDV2S10FS | Diodo de capacidad variable para aplicaciones de afinación electrónicos | TOSHIBA |
| 3089 | JDV2S10S | Tipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la radio DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la venda | TOSHIBA |
| 3090 | JDV2S10T | Tipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la radio DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la venda | TOSHIBA |
| 3091 | JDV2S13S | Tipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la radio DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la venda | TOSHIBA |
| 3092 | JDV2S14E | Tipo planar epitaxial del silicio del diodo útil para VCO/TCXO | TOSHIBA |
| 3093 | JDV2S36E | Diodo de capacidad variable para aplicaciones de afinación electrónicos | TOSHIBA |
| 3094 | JDV2S41FS | Diodo de capacidad variable para aplicaciones de afinación electrónicos | TOSHIBA |
| 3095 | JDV3C11 | Usos que templan electrónicos del tipo planar epitaxial del silicio del diodo de los receptores de FM | TOSHIBA |
| 3096 | JDV4P08U | Tipo planar epitaxial VCO del silicio del diodo para la radio DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la venda | TOSHIBA |
| 3097 | JT6A11AX-AS | LSI DE LA VIRUTA DEL CMOS 1 PARA LCD SLECTRONIC CALCUTATOR | TOSHIBA |
| 3098 | JT6A36X-AS | TÃ36S, LSI single-Chip de Jtã36x-as Cmos para la calculadora del LCD | TOSHIBA |
| 3099 | JT6F18-AS | T6F18, LSI single-Chip de Jt6f18-as Cmos para la calculadora del LCD | TOSHIBA |
| 3100 | JT6F19-AS | T6F19, LSI single-Chip de Jt6f19-as Cmos para la calculadora del LCD | TOSHIBA |
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