| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 3001 | HN3C13FU | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3002 | HN3C14 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DE NPN (APLICAÇÕES BAIXAS DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHF) | TOSHIBA |
| 3003 | HN3C14F | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3004 | HN3C14FT | TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHF | TOSHIBA |
| 3005 | HN3C14FU | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3006 | HN3C15F | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3007 | HN3C15FU | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3008 | HN3C16F | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3009 | HN3C16FT | Produtos Novos do Rf | TOSHIBA |
| 3010 | HN3C16FU | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3011 | HN3C17F | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3012 | HN3C17FU | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3013 | HN3C18F | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3014 | HN3C18FT | Produtos Novos do Rf | TOSHIBA |
| 3015 | HN3C18FU | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3016 | HN3C51F | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 3017 | HN3C56FU | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 3018 | HN3C67FE | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 3019 | HN3G01 | TIPO TIPO EPITAXIAL TRANSISTOR Da JUNÇÃO Da CANALETA De N Do SILICONE NPN Do Fet | TOSHIBA |
| 3020 | HN3G01J | TIPO TIPO EPITAXIAL TRANSISTOR Da JUNÇÃO Da CANALETA De N Do SILICONE NPN Do Fet | TOSHIBA |
| 3021 | HN4A06J | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 3022 | HN4A08J | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 3023 | HN4A51J | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 3024 | HN4A56JU | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 3025 | HN4B01JE | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 3026 | HN4B04J | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 3027 | HN4B06J | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 3028 | HN4B101J | Transistor de potência para aplicações de comutação de alta velocidade | TOSHIBA |
| 3029 | HN4B102J | Transistor de potência para aplicações de comutação de alta velocidade | TOSHIBA |
| 3030 | HN4C05JU | Multi aplicações discretas do amplificador da finalidade geral de freqüência audio do dispositivo da microplaqueta para aplicações muting e comutando | TOSHIBA |
| 3031 | HN4C06J | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 3032 | HN4C51J | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 3033 | HN4D01JU | Diodo de comutação | TOSHIBA |
| 3034 | HN4D02JU | Diodo de comutação | TOSHIBA |
| 3035 | HN4K03JU | Tipo Aplicações Análogas do MOS Da Canaleta Do Silicone N Do Transistor De Efeito De Campo Do Interruptor Das Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 3036 | HN7G01FU | Multi Aplicação De Circuito Discreta Da Relação Da Aplicação De Circuito Do Excitador Da Aplicação Do Interruptor Da Gerência Do Poder Do Dispositivo Da Microplaqueta | TOSHIBA |
| 3037 | HN7G02FU | Multi aplicação discreta do interruptor da gerência do poder do dispositivo da microplaqueta, aplicação de circuito do inversor, aplicação de circuito do excitador e aplicação de circuito da relação. | TOSHIBA |
| 3038 | HN9C01FE | TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHF | TOSHIBA |
| 3039 | HN9C01FT | TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHF | TOSHIBA |
| 3040 | HN9C09FT | TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHF | TOSHIBA |
| 3041 | HN9C14FT | TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHF | TOSHIBA |
| 3042 | HN9C15FT | TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHF | TOSHIBA |
| 3043 | HN9C22FT | TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHF | TOSHIBA |
| 3044 | IK-540A | Câmera De Toshiba IK-540A | TOSHIBA |
| 3045 | JBT6K47-AS | Excitador da fonte para os painéis de TFT LCD | TOSHIBA |
| 3046 | JBT6K48-AS | Excitador da porta para o painel de TFT LCD | TOSHIBA |
| 3047 | JBT6K49-AS | IC da fonte de alimentação para os painéis de TFT LCD | TOSHIBA |
| 3048 | JBT6L77-AS | Excitador da fonte para os painéis de TFT LCD | TOSHIBA |
| 3049 | JBT6L78-AS | Excitador da porta para o painel de TFT LCD | TOSHIBA |
| 3050 | JBT6N81S | Sistema single-Chip LSI para o cartão de RFID | TOSHIBA |
| 3051 | JBTC94B12-AS | Microfone para Digital ECM | TOSHIBA |
| 3052 | JDH2S01FS | Alta freqüência diodo de barreira Schottky | TOSHIBA |
| 3053 | JDH2S01T | Tipo Epitaxial Misturador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo Da Faixa | TOSHIBA |
| 3054 | JDH2S02FS | Alta freqüência diodo de barreira Schottky | TOSHIBA |
| 3055 | JDH2S02SC | Alta freqüência diodo de barreira Schottky | TOSHIBA |
| 3056 | JDH3D01FV | Alta freqüência diodo de barreira Schottky | TOSHIBA |
| 3057 | JDH3D01S | Alta freqüência diodo de barreira Schottky | TOSHIBA |
| 3058 | JDP2S01AFS | PINO Epitaxial Tipo Aplicações Do Silicone do DIODO Do Interruptor do Rf Da Faixa de UHF~VHF | TOSHIBA |
| 3059 | JDP2S01E | Pino Epitaxial Tipo Aplicações Do Silicone Do Diodo Do Atenuador do Rf Da Faixa de UHF~VHF | TOSHIBA |
| 3060 | JDP2S01S | Pino Epitaxial Tipo Aplicações Do Silicone Do Diodo Do Atenuador do Rf Da Faixa de UHF~VHF | TOSHIBA |
| 3061 | JDP2S01T | Pino Epitaxial Tipo Aplicações Do Silicone Do Diodo Do Atenuador do Rf Da Faixa de UHF~VHF | TOSHIBA |
| 3062 | JDP2S01U | Pino Epitaxial Tipo Aplicações Do Silicone Do Diodo Do Atenuador do Rf Da Faixa de UHF~VHF | TOSHIBA |
| 3063 | JDP2S02ACT | Rádio-freqüência diodo de comutação | TOSHIBA |
| 3064 | JDP2S02AFS | Pino Epitaxial Tipo Aplicações Do Silicone Do Diodo Do Atenuador do Rf Da Faixa de UHF~VHF | TOSHIBA |
| 3065 | JDP2S02S | Pino Epitaxial Tipo Aplicações Do Silicone Do Diodo Do Atenuador do Rf Da Faixa de UHF~VHF | TOSHIBA |
| 3066 | JDP2S02T | Pino Epitaxial Tipo Aplicações Do Silicone Do Diodo Do Atenuador do Rf Da Faixa de UHF~VHF | TOSHIBA |
| 3067 | JDP2S04E | Pino Epitaxial Tipo Aplicações Do Silicone Do Diodo Do Atenuador do Rf Da Faixa de UHF~VHF | TOSHIBA |
| 3068 | JDP2S05SC | Rádio-freqüência diodo de comutação | TOSHIBA |
| 3069 | JDP2S08SC | Rádio-freqüência diodo de comutação | TOSHIBA |
| 3070 | JDP2S12CR | Rádio-freqüência diodo de comutação | TOSHIBA |
| 3071 | JDP3C02AU | Rádio-freqüência diodo de comutação | TOSHIBA |
| 3072 | JDP3C04TU | Rádio-freqüência diodo de comutação | TOSHIBA |
| 3073 | JDP4P02AT | Rádio-freqüência diodo de comutação | TOSHIBA |
| 3074 | JDP4P02U | Pino Epitaxial Tipo Aplicações Do Silicone Do Diodo Do Atenuador do Rf Da Faixa de UHF~VHF | TOSHIBA |
| 3075 | JDS2S03S | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Do Silicone Do Diodo Do Interruptor Da Faixa Do Tuner do Vhf | TOSHIBA |
| 3076 | JDV2S01E | Tipo planar epitaxial VCO do silicone do diodo para a faixa DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA | TOSHIBA |
| 3077 | JDV2S01S | Tipo planar epitaxial VCO do silicone do diodo para a faixa DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA | TOSHIBA |
| 3078 | JDV2S02E | Tipo planar epitaxial do silicone do diodo, VCO para a faixa DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA | TOSHIBA |
| 3079 | JDV2S02S | Tipo planar epitaxial VCO do silicone do diodo para a faixa DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA | TOSHIBA |
| 3080 | JDV2S05E | Tipo planar epitaxial VCO do silicone do diodo para a faixa DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA | TOSHIBA |
| 3081 | JDV2S05S | Tipo planar epitaxial VCO do silicone do diodo para a faixa DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA | TOSHIBA |
| 3082 | JDV2S06S | Tipo planar epitaxial do silicone do diodo, VCO para o rádio DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA da faixa | TOSHIBA |
| 3083 | JDV2S07FS | Diodo de capacitância variável para aplicações de ajuste eletrônico | TOSHIBA |
| 3084 | JDV2S07S | Tipo planar epitaxial VCO do silicone do diodo para o rádio DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA da faixa | TOSHIBA |
| 3085 | JDV2S08S | Tipo planar epitaxial VCO do silicone do diodo para o rádio DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA da faixa | TOSHIBA |
| 3086 | JDV2S09FS | Diodo de capacitância variável para aplicações de ajuste eletrônico | TOSHIBA |
| 3087 | JDV2S09S | Tipo planar epitaxial VCO do silicone do diodo para o rádio DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA da faixa | TOSHIBA |
| 3088 | JDV2S10FS | Diodo de capacitância variável para aplicações de ajuste eletrônico | TOSHIBA |
| 3089 | JDV2S10S | Tipo planar epitaxial VCO do silicone do diodo para o rádio DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA da faixa | TOSHIBA |
| 3090 | JDV2S10T | Tipo planar epitaxial VCO do silicone do diodo para o rádio DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA da faixa | TOSHIBA |
| 3091 | JDV2S13S | Tipo planar epitaxial VCO do silicone do diodo para o rádio DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA da faixa | TOSHIBA |
| 3092 | JDV2S14E | Tipo planar epitaxial do silicone do diodo útil para VCO/TCXO | TOSHIBA |
| 3093 | JDV2S36E | Diodo de capacitância variável para aplicações de ajuste eletrônico | TOSHIBA |
| 3094 | JDV2S41FS | Diodo de capacitância variável para aplicações de ajuste eletrônico | TOSHIBA |
| 3095 | JDV3C11 | Tipo planar epitaxial aplicações ajustando eletrônicas do silicone do diodo de receptores de FM | TOSHIBA |
| 3096 | JDV4P08U | Tipo planar epitaxial VCO do silicone do diodo para o rádio DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA da faixa | TOSHIBA |
| 3097 | JT6A11AX-AS | LSI DA MICROPLAQUETA DO CMOS 1 PARA LCD SLECTRONIC CALCUTATOR | TOSHIBA |
| 3098 | JT6A36X-AS | T6A36S, LSI single-Chip de JT6A36X-AS CMOS para a calculadora do LCD | TOSHIBA |
| 3099 | JT6F18-AS | T6F18, LSI single-Chip de JT6F18-AS CMOS para a calculadora do LCD | TOSHIBA |
| 3100 | JT6F19-AS | T6F19, LSI single-Chip de JT6F19-AS CMOS para a calculadora do LCD | TOSHIBA |
| | | |
