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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
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7428TC5517Cmemória do CMOS de 2048 x 8 bocadosTOSHIBA
7429TC5517CF-15150ns; V (cc): -0,3 a + 7.0V; V (cm): -0.3 e + 0,3 V; 0.8W; 2048 x palavra x 8-bit CMOS RAM estáticaTOSHIBA
7430TC5517CF-20200ns; V (cc): -0,3 a + 7.0V; V (cm): -0.3 e + 0,3 V; 0.8W; 2048 x palavra x 8-bit CMOS RAM estáticaTOSHIBA
7431TC5517CFL-15150ns; V (cc): -0,3 a + 7.0V; V (cm): -0.3 e + 0,3 V; 0.8W; 2048 x palavra x 8-bit CMOS RAM estáticaTOSHIBA
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7433TC5517CP-15150ns; V (cc): -0,3 a + 7.0V; V (cm): -0.3 e + 0,3 V; 0.8W; 2048 x palavra x 8-bit CMOS RAM estáticaTOSHIBA
7434TC5517CP-20200ns; V (cc): -0,3 a + 7.0V; V (cm): -0.3 e + 0,3 V; 0.8W; 2048 x palavra x 8-bit CMOS RAM estáticaTOSHIBA
7435TC5517CPL-15150ns; V (cc): -0,3 a + 7.0V; V (cm): -0.3 e + 0,3 V; 0.8W; 2048 x palavra x 8-bit CMOS RAM estáticaTOSHIBA
7436TC5517CPL-20200ns; V (cc): -0,3 a + 7.0V; V (cm): -0.3 e + 0,3 V; 0.8W; 2048 x palavra x 8-bit CMOS RAM estáticaTOSHIBA
7437TC55257AFLPRODUTOS DE MEMÓRIA DO MOS DE TOSHIBATOSHIBA
7438TC55257AFLPRODUTOS DE MEMÓRIA DO MOS DE TOSHIBATOSHIBA
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7453TC55257BFLPORTA De SILICONE Cmos 32.768 WORD X RAM Da ESTÁTICA De8 BOCADOSTOSHIBA
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7479TC55257BPL-85L85ns; V (dd / cm): -0.3 a + 7.0V; Silicon CMOS estragado: 32,768 palavra x 8-bit staic RAMTOSHIBA
7480TC55257BSPL-10L100ns; V (dd / cm): -0.3 a + 7.0V; Silicon CMOS estragado: 32,768 palavra x 8-bit staic RAMTOSHIBA
7481TC55257BSPL-85L85ns; V (dd / cm): -0.3 a + 7.0V; Silicon CMOS estragado: 32,768 palavra x 8-bit staic RAMTOSHIBA
7482TC55257BTRL-10L100ns; V (dd / cm): -0.3 a + 7.0V; Silicon CMOS estragado: 32,768 palavra x 8-bit staic RAMTOSHIBA
7483TC55257BTRL-85L85ns; V (dd / cm): -0.3 a + 7.0V; Silicon CMOS estragado: 32,768 palavra x 8-bit staic RAMTOSHIBA
7484TC55257CPI-10LPORTA de SILICONE CMOS 32.768 WORD x RAM da ESTÁTICA de8 BOCADOSTOSHIBA
7485TC55257CPI-10LPORTA de SILICONE CMOS 32.768 WORD x RAM da ESTÁTICA de8 BOCADOSTOSHIBA
7486TC55257CPLPORTA de SILICONE CMOS 32.768 WORD x RAM da ESTÁTICA de8 BOCADOSTOSHIBA
7487TC55257CPLPORTA de SILICONE CMOS 32.768 WORD x RAM da ESTÁTICA de8 BOCADOSTOSHIBA
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7491TC55257CPL-70PORTA de SILICONE CMOS 32.768 WORD x RAM da ESTÁTICA de8 BOCADOSTOSHIBA
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7493TC55257CPL-85PORTA de SILICONE CMOS 32.768 WORD x RAM da ESTÁTICA de8 BOCADOSTOSHIBA
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