| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 801 | 200FXH13 | DIODE(HIGHSPEEDRECTIFIERAPPLICATIONS) | TOSHIBA |
| 802 | 20DL2C41A | TIPO EPITAXIAL APLICAÇÕES CONVERSOR DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MODALIDADE DO SWITCHING & APLICAÇÃO DO SILICONE DA PILHA DE DIODO DA EFICIÊNCIA ELEVADA (HED) DO INTERRUPTOR INVERSOR | TOSHIBA |
| 803 | 20DL2C48A | TIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO DO CONVERSOR DO SILICONE DA PILHA DE DIODO DA EFICIÊNCIA ELEVADA (HED) & DO INTERRUPTOR INVERSOR DA APLICAÇÃO DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MODALIDADE DO SWITCHING | TOSHIBA |
| 804 | 20DL2CZ47A | TIPO EPITAXIAL APLICAÇÕES CONVERSOR DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MODALIDADE DO SWITCHING & APLICAÇÃO DO SILICONE DA PILHA DE DIODO DA EFICIÊNCIA ELEVADA (HED) DO INTERRUPTOR INVERSOR | TOSHIBA |
| 805 | 20DL2CZ51A | TIPO EPITAXIAL APLICAÇÕES CONVERSOR DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MODALIDADE DO SWITCHING & APLICAÇÃO DO SILICONE DA PILHA DE DIODO DA EFICIÊNCIA ELEVADA (HED) DO INTERRUPTOR INVERSOR | TOSHIBA |
| 806 | 20FL2C41A | TIPO EPITAXIAL APLICAÇÕES CONVERSOR DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MODALIDADE DO SWITCHING & APLICAÇÃO DO SILICONE DA PILHA DE DIODO DA EFICIÊNCIA ELEVADA (HED) DO INTERRUPTOR INVERSOR | TOSHIBA |
| 807 | 20FL2C48A | TIPO EPITAXIAL APLICAÇÃO DO CONVERSOR DO SILICONE DA PILHA DE DIODO DA EFICIÊNCIA ELEVADA (HED) & DO INTERRUPTOR INVERSOR DA APLICAÇÃO DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MODALIDADE DO SWITCHING | TOSHIBA |
| 808 | 20FL2CZ47A | TIPO EPITAXIAL APLICAÇÕES CONVERSOR DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MODALIDADE DO SWITCHING & APLICAÇÃO DO SILICONE DA PILHA DE DIODO DA EFICIÊNCIA ELEVADA (HED) DO INTERRUPTOR INVERSOR | TOSHIBA |
| 809 | 20FL2CZ51A | TIPO EPITAXIAL APLICAÇÕES CONVERSOR DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MODALIDADE DO SWITCHING & APLICAÇÃO DO SILICONE DA PILHA DE DIODO DA EFICIÊNCIA ELEVADA (HED) DO INTERRUPTOR INVERSOR | TOSHIBA |
| 810 | 20FWJ2C48M | APLICAÇÃO DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MODALIDADE DO SWITCHING DA PILHA DE RETIFICADOR DA BARREIRA DE SCHOTTKY, DO CONVERSOR & DO INTERRUPTOR INVERSOR | TOSHIBA |
| 811 | 20FWJ2CZ47M | APLICAÇÃO DO CONVERSOR & DO INTERRUPTOR INVERSOR DA APLICAÇÃO DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MODALIDADE DO SWITCHING DA PILHA DE RETIFICADOR DA BARREIRA DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 812 | 20GL2C41A | TIPO EPITAXIAL APLICAÇÕES CONVERSOR DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MODALIDADE DO SWITCHING & APLICAÇÃO DO SILICONE DA PILHA DE DIODO DA EFICIÊNCIA ELEVADA (HED) DO INTERRUPTOR INVERSOR | TOSHIBA |
| 813 | 20JL2C41 | TIPO EPITAXIAL APLICAÇÕES CONVERSOR DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MODALIDADE DO SWITCHING & APLICAÇÃO DO SILICONE DA PILHA DE DIODO DA EFICIÊNCIA ELEVADA (HED) DO INTERRUPTOR INVERSOR | TOSHIBA |
| 814 | 20JL2C41A | TIPO EPITAXIAL APLICAÇÕES CONVERSOR DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MODALIDADE DO SWITCHING & APLICAÇÃO DO SILICONE DA PILHA DE DIODO DA EFICIÊNCIA ELEVADA (HED) DO INTERRUPTOR INVERSOR | TOSHIBA |
| 815 | 20L6P45 | RECTIFIERMODULE(THREEPHASEFULLWAVEBRIDGEAPLICATIONS) | TOSHIBA |
| 816 | 20U6P45 | RECTIFIERMODULE(THREEPHASEFULLWAVEBRIDGEAPPLICATIONS) | TOSHIBA |
| 817 | 2AS1832F | TRANSISTOR (APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DA FINALIDADE GERAL DE FREQÜÊNCIA AUDIO) | TOSHIBA |
| 818 | 2FWJ42M | APLICAÇÃO PORTÁTIL DA BATERIA DO EQUIPAMENTO DA APLICAÇÃO DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MODALIDADE DO SWITCHING DO RETIFICADOR DA BARREIRA DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 819 | 2FWJ42N | APLICAÇÕES DE ALTA VELOCIDADE DO RETIFICADOR DO RETIFICADOR DA BARREIRA DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 820 | 2GLZ47A | RETIFICADOR DA EFICIÊNCIA ELEVADA (TIPO APLICAÇÃO DO SWITCHING DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO) | TOSHIBA |
| 821 | 2GUZ47 | DIODO (TIPO APLICAÇÃO DO SWITCHING DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO) | TOSHIBA |
| 822 | 2GWJ2C42 | APLICAÇÃO DO CONVERSOR & DO INTERRUPTOR INVERSOR DA APLICAÇÃO DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MODALIDADE DO SWITCHING DA PILHA DE RETIFICADOR DA BARREIRA DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 823 | 2GWJ42 | APLICAÇÕES DE ALTA VELOCIDADE DO RETIFICADOR DO RETIFICADOR DA BARREIRA DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 824 | 2GWJ42C | APLICAÇÕES DE ALTA VELOCIDADE DO RETIFICADOR DO RETIFICADOR DA BARREIRA DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 825 | 2NH45 | RETIFICADOR RÁPIDO DA RECUPERAÇÃO (TIPO APLICAÇÕES DO SWITCHING DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO) | TOSHIBA |
| 826 | 2NU41 | RETIFICADOR RÁPIDO SUPER DA RECUPERAÇÃO (TIPO APLICAÇÕES DO SWITCHING DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO) | TOSHIBA |
| 827 | 2SA1012 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES ATUAIS ELEVADAS DO SWITCHING. | TOSHIBA |
| 828 | 2SA1013 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) TEVÊ VERT DO PCT DA COR. SAÍDA Da DEFLEXÃO, APLICAÇÕES SADIAS Da SAÍDA Da CLASSE B Da Tevê Da COR | TOSHIBA |
| 829 | 2SA1015 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador do estágio de excitador das aplicações do amplificador da finalidade geral de freqüência audio | TOSHIBA |
| 830 | 2SA1015(L) | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações baixas do amplificador do ruído das aplicações do amplificador da freqüência audio | TOSHIBA |
| 831 | 2SA1015L | TRANSISTOR (APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DA FREQÜÊNCIA AUDIO) | TOSHIBA |
| 832 | 2SA1020 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) APLICAÇÕES DO PCT DO AMPLIFICADOR DE PODER, APLICAÇÕES DO SWITCHING DO PODER. | TOSHIBA |
| 833 | 2SA1048 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador da freqüência audio | TOSHIBA |
| 834 | 2SA1048(L) | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações baixas da freqüência audio do ruído das aplicações do amplificador da freqüência audio | TOSHIBA |
| 835 | 2SA1048L | TRANSISTOR (APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DA FREQÜÊNCIA AUDIO) | TOSHIBA |
| 836 | 2SA1049 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador da freqüência audio | TOSHIBA |
| 837 | 2SA1091 | Tipo difundido triplo do silicone PNP do transistor (processo) exposição do PCT de plasma de alta tensão das aplicações do controle, aplicações do controle de brilho do tubo de raio de cátodo das aplicações do excitador do tub | TOSHIBA |
| 838 | 2SA1093 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP (PROCESSO DO PCT) | TOSHIBA |
| 839 | 2SA1093 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP (PROCESSO DO PCT) | TOSHIBA |
| 840 | 2SA1095 | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP (Processo do Pct) | TOSHIBA |
| 841 | 2SA1145 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DA FREQÜÊNCIA AUDIO | TOSHIBA |
| 842 | 2SA1150 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador da freqüência baixa | TOSHIBA |
| 843 | 2SA1160 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES MÉDIAS DO AMPLIFICADOR DE PODER DAS APLICAÇÕES DO ESTROBOSCÓPIO | TOSHIBA |
| 844 | 2SA1162 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador da finalidade geral de freqüência audio | TOSHIBA |
| 845 | 2SA1163 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador da finalidade geral de freqüência audio | TOSHIBA |
| 846 | 2SA1182 | Aplicações baixas epitaxial do amplificador do estágio de excitador das aplicações do amplificador de poder da freqüência audio do silicone PNP do transistor (processo do PCT) que comutam aplicações | TOSHIBA |
| 847 | 2SA1195 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE PNP | TOSHIBA |
| 848 | 2SA1195 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE PNP | TOSHIBA |
| 849 | 2SA1200 | Tipo difundido triplo do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações de alta tensão do switching | TOSHIBA |
| 850 | 2SA1201 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador de poder das aplicações do amplificador da tensão | TOSHIBA |
| 851 | 2SA1202 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador da tensão das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 852 | 2SA1203 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador da freqüência audio | TOSHIBA |
| 853 | 2SA1204 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador da freqüência audio | TOSHIBA |
| 854 | 2SA1213 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching do poder das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 855 | 2SA1217 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP (PROCESSO DO PCT) | TOSHIBA |
| 856 | 2SA1217 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP (PROCESSO DO PCT) | TOSHIBA |
| 857 | 2SA1225 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador do estágio de excitador das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 858 | 2SA1241 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching do poder das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 859 | 2SA1242 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações médias do amplificador de poder das aplicações do flash do estroboscópio | TOSHIBA |
| 860 | 2SA1244 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações atuais elevadas do switching | TOSHIBA |
| 861 | 2SA1245 | Tipo planar epitaxial aplicações baixas de alta freqüência do amplificador do ruído da faixa das aplicações VHF~UHF do amplificador do silicone PNP do transistor e do switching | TOSHIBA |
| 862 | 2SA1255 | Aplicações de alta tensão difundidas triplas do switching do silicone PNP do transistor (processo do PCT) | TOSHIBA |
| 863 | 2SA1263 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE PNP | TOSHIBA |
| 864 | 2SA1263 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE PNP | TOSHIBA |
| 865 | 2SA1264 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE PNP | TOSHIBA |
| 866 | 2SA1265 | Aplicações Do Amplificador De Poder | TOSHIBA |
| 867 | 2SA1293 | TIPO do SILICONE PNP PITAXIAL do TRANSISTOR (PROCESSO) do Pct Aplicações Atuais Elevadas Do Switching | TOSHIBA |
| 868 | 2SA1296 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching do poder das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 869 | 2SA1297 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching do poder das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 870 | 2SA1298 | Aplicações epitaxial do switching do poder da aplicação do amplificador de poder da freqüência baixa do silicone PNP do transistor (processo do PCT) | TOSHIBA |
| 871 | 2SA1300 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações médias do amplificador de poder das aplicações do flash do estroboscópio | TOSHIBA |
| 872 | 2SA1304 | TRANSISTOR (APLICAÇÕES VERTICAIS DA SAÍDA DO AMPLIFICADOR DE PODER) | TOSHIBA |
| 873 | 2SA1306 | Série Do Pacote TO-220 | TOSHIBA |
| 874 | 2SA1306B | 1,5 A; 200V; 20W; silício PNP tipo epitaxial stransistor. Para aplicações de amplificador de potência, aplicações de amplificadores fase motorista | TOSHIBA |
| 875 | 2SA1312 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações baixas do amplificador do ruído da freqüência audio | TOSHIBA |
| 876 | 2SA1313 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações baixas do amplificador do estágio de excitador das aplicações do amplificador de poder da freqüência audio que comutam aplicações | TOSHIBA |
| 877 | 2SA1314 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações audio do poder das aplicações do flash do estroboscópio | TOSHIBA |
| 878 | 2SA1315 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching do poder das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 879 | 2SA1316 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo do PCT) para aplicações baixas do amplificador audio do ruído e recomendado para os primeiros estágios dos amplificadores principais de MC | TOSHIBA |
| 880 | 2SA1320 | Tipo difundido triplo do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações de alta tensão da saída do chroma da tevê da cor das aplicações do switching | TOSHIBA |
| 881 | 2SA1321 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) SWITCHING DE ALTA TENSÃO DO PCT, APLICAÇÕES DA SAÍDA DO CHROMA DA TEVÊ DA COR. | TOSHIBA |
| 882 | 2SA1327A | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações audio do amplificador de poder das aplicações do flash do estroboscópio | TOSHIBA |
| 883 | 2SA1328 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP (PROCESSO DO PCT) | TOSHIBA |
| 884 | 2SA1328 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP (PROCESSO DO PCT) | TOSHIBA |
| 885 | 2SA1329 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP (PROCESSO DO PCT) | TOSHIBA |
| 886 | 2SA1329 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP (PROCESSO DO PCT) | TOSHIBA |
| 887 | 2SA1349 | TRANSISTOR (APLICAÇÕES BAIXAS DO AMPLIFICADOR AUDIO DO RUÍDO. RECOMENDADO PARA APLICAÇÕES DE CIRCUITO ATUAIS DO ESPELHO DA CASCATA DOS PRIMEIROS ESTÁGIOS DO AMPL PRE/ PRINCIPAL | TOSHIBA |
| 888 | 2SA1356 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÃO AUDIO DO AMPLIFICADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 889 | 2SA1357 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES AUDIO DO AMPLIFICADOR DE PODER DAS APLICAÇÕES DO FLASH DO ESTROBOSCÓPIO | TOSHIBA |
| 890 | 2SA1358 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA AUDIO | TOSHIBA |
| 891 | 2SA1359 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT VELOCIDADE BAIXA QUE COMUTA O AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA AUDIO | TOSHIBA |
| 892 | 2SA1360 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA AUDIO | TOSHIBA |
| 893 | 2SA1361 | 2SA1361 | TOSHIBA |
| 894 | 2SA1361 | 2SA1361 | TOSHIBA |
| 895 | 2SA1362 | Transistor | TOSHIBA |
| 896 | 2SA1382 | TIPO EPITAXIAL do SILICONE PNP do TRANSISTOR (PROCESSO) AMPLIFICADOR do Pct de PODER, Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 897 | 2SA1384 | Tipo difundido triplo do silicone PNP do transistor (processo) exposição do PCT de plasma de alta tensão das aplicações do controle, aplicações do controle de brilho do tubo de raio de cátodo das aplicações do excitador do tub | TOSHIBA |
| 898 | 2SA1388 | 2SA1388 | TOSHIBA |
| 899 | 2SA1388 | 2SA1388 | TOSHIBA |
| 900 | 2SA1408 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) TEVÊ VERT DO PCT DA COR. APLICAÇÕES SADIAS Da SAÍDA Da SAÍDA Da DEFLEXÃO E Da CLASSE B Da Tevê Da COR | TOSHIBA |
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