| Nr. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 2901 | GT8J101 | APPLICAZIONI BIPOLARI ISOLATE Di CONTROLLO Del MOTORE Di APPLICAZIONI Di COMMUTAZIONE Di ALTA ALIMENTAZIONE Della MANICA IGBT Del SILICONE N Del TRANSISTORE Del CANCELLO | TOSHIBA |
| 2902 | GT8J102(SM) | APPLICAZIONI BIPOLARI ISOLATE Di CONTROLLO Del MOTORE Di APPLICAZIONI Di COMMUTAZIONE Di ALTA ALIMENTAZIONE Della MANICA IGBT Del SILICONE N Del TRANSISTORE Del CANCELLO | TOSHIBA |
| 2903 | GT8J102SM | APPLICAZIONI Di CONTROLLO Di COMMUTAZIONE/MOTORE Di ALIMENTAZIONE Della MANICA IGBT(high Di N) | TOSHIBA |
| 2904 | GT8Q101 | APPLICAZIONI BIPOLARI ISOLATE Di CONTROLLO Del MOTORE Di APPLICAZIONI Di COMMUTAZIONE Di ALTA ALIMENTAZIONE Della MANICA IGBT Del SILICONE N Del TRANSISTORE Del CANCELLO | TOSHIBA |
| 2905 | GT8Q102 | APPLICAZIONI Di CONTROLLO Di COMMUTAZIONE/MOTORE Di ALIMENTAZIONE Della MANICA IGBT(high Di N) | TOSHIBA |
| 2906 | GT8Q102(SM) | APPLICAZIONI BIPOLARI ISOLATE Di CONTROLLO Del MOTORE Di APPLICAZIONI Di COMMUTAZIONE Di ALTA ALIMENTAZIONE Della MANICA IGBT Del SILICONE N Del TRANSISTORE Del CANCELLO | TOSHIBA |
| 2907 | GT8Q102SM | APPLICAZIONI Di CONTROLLO Di COMMUTAZIONE/MOTORE Di ALIMENTAZIONE Della MANICA IGBT(high Di N) | TOSHIBA |
| 2908 | HANDLING | Fotoisolatore - Le Informazioni Supplementari | TOSHIBA |
| 2909 | HC123 | MULTIVIBRATORE MONOSTABLE DOPPIO DI RETRIGGERABLE | TOSHIBA |
| 2910 | HC125 | AMPLIFICATORE DEL BUS DEL QUAD | TOSHIBA |
| 2911 | HC257 | MULTIPLEXOR DEL QUAD 2-chanel (3-state) | TOSHIBA |
| 2912 | HC4052 | 8-channel MULTIPLEXER/demulitiplexer ANALOG | TOSHIBA |
| 2913 | HN1A01F | Applicazioni Per tutti gli usi Epitassiali Dell'Amplificatore Di Frequenza Audio Del Tipo Del Silicone PNP Del Transistore (Processo del PCT) | TOSHIBA |
| 2914 | HN1A01FE | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 2915 | HN1A01FU | Applicazioni Per tutti gli usi Epitassiali Dell'Amplificatore Di Frequenza Audio Del Tipo Del Silicone PNP Del Transistore (Processo del PCT) | TOSHIBA |
| 2916 | HN1A02F | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 2917 | HN1A07F | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 2918 | HN1A26FS | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 2919 | HN1B01F | Applicazioni Per tutti gli usi Epitassiali Epitassiali Dell'Amplificatore Di Frequenza Audio Del Tipo Del Silicone NPN Del Tipo Del Silicone PNP Del Transistore (Processo del PCT) (Processo del PCT) | TOSHIBA |
| 2920 | HN1B01FU | Applicazioni Per tutti gli usi Epitassiali Epitassiali Dell'Amplificatore Di Frequenza Audio Del Tipo Del Silicone NPN Del Tipo Del Silicone PNP Del Transistore (Processo del PCT) (Processo del PCT) | TOSHIBA |
| 2921 | HN1B04F | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 2922 | HN1B04FE | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 2923 | HN1B04FU | Applicazioni Per tutti gli usi Epitassiali Epitassiali Dell'Amplificatore Di Frequenza Audio Del Tipo Del Silicone PNP Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT) (Processo del PCT) | TOSHIBA |
| 2924 | HN1B26FS | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 2925 | HN1C01F | Applicazioni Per tutti gli usi Epitassiali Dell'Amplificatore Di Frequenza Audio Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT) | TOSHIBA |
| 2926 | HN1C01FE | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 2927 | HN1C01FU | Applicazioni Per tutti gli usi Epitassiali Dell'Amplificatore Di Frequenza Audio Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT) | TOSHIBA |
| 2928 | HN1C03F | Tipo Epitassiale Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT) Per Le Applicazioni Muting E Di Commutazioni | TOSHIBA |
| 2929 | HN1C03FU | Tipo epitassiale di Npn del silicone del transistore (processo del PCT) per le applicazioni muting e di commutazioni | TOSHIBA |
| 2930 | HN1C05FE | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 2931 | HN1C07F | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 2932 | HN1C26FS | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 2933 | HN1D01F | Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 2934 | HN1D01FE | Diodo di commutazione | TOSHIBA |
| 2935 | HN1D01FU | Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 2936 | HN1D02F | Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 2937 | HN1D02FE | Diodo di commutazione | TOSHIBA |
| 2938 | HN1D02FU | Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 2939 | HN1D03F | Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 2940 | HN1D03FU | Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 2941 | HN1D04FU | Diodo di commutazione | TOSHIBA |
| 2942 | HN1J02FU | Applicazioni Analog Dell'Interruttore Di Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione Del Tipo Del MOS Della Manica Del Silicone P Del Transistore Di Effetto Di Campo | TOSHIBA |
| 2943 | HN1K02FU | Applicazioni Analog Dell'Interruttore Di Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione Del Tipo del MOS Della Manica Del Silicone N Del Transistore Di Effetto Di Campo | TOSHIBA |
| 2944 | HN1K03FU | Applicazioni Analog Dell'Interruttore Di Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione Del Tipo del MOS Della Manica Del Silicone N Del Transistore Di Effetto Di Campo | TOSHIBA |
| 2945 | HN1K04FU | Applicazioni Analog Dell'Interruttore Di Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione Del Tipo del MOS Della Manica Del Silicone N Del Transistore Di Effetto Di Campo | TOSHIBA |
| 2946 | HN1K05FU | Tipo del MOS Della Manica Del Silicone N Del Transistore Di Effetto Di Campo Per Le Applicazioni Ad alta velocitą Dell'Interfaccia Di Applicazioni Di Commutazione Dei Dispositivi Portatili | TOSHIBA |
| 2947 | HN1K06FU | Applicazioni Analog Dell'Interruttore Di Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione Del Tipo del MOS Della Manica Del Silicone N Del Transistore Di Effetto Di Campo | TOSHIBA |
| 2948 | HN1L02FU | Applicazioni Analog Dell'Interruttore Di Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione Del Tipo del MOS Della Manica Di N-p Del Silicone Del Transistore Di Effetto Di Campo | TOSHIBA |
| 2949 | HN1L03FU | Applicazioni Analog Dell'Interruttore Di Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione Del Tipo del MOS Della Manica Di N-p Del Silicone Del Transistore Di Effetto Di Campo | TOSHIBA |
| 2950 | HN1V01H | Applicazioni Di sintonia Di Capacitą Del Diodo Della Fascia Radiofonica Variabile di | TOSHIBA |
| 2951 | HN1V02H | Applicazioni Di sintonia Di Capacitą Del Diodo Della Fascia Radiofonica Variabile di | TOSHIBA |
| 2952 | HN2A01FE | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 2953 | HN2A01FU | Applicazioni Per tutti gli usi Epitassiali Dell'Amplificatore Di Frequenza Audio Del Tipo Del Silicone PNP Del Transistore (Processo del PCT) | TOSHIBA |
| 2954 | HN2A26FS | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 2955 | HN2C01FE | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 2956 | HN2C01FU | Applicazioni Per tutti gli usi Epitassiali Dell'Amplificatore Di Frequenza Audio Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT) | TOSHIBA |
| 2957 | HN2C10FT | APPLICAZIONI BASSE DELL'CAmplificatore PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DELLA FASCIA PLANARE EPITASSIALE DEL TIPO VHF~uhf DEL SILICONE NPN DEL TRANSISTORE | TOSHIBA |
| 2958 | HN2C10FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2959 | HN2C11FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2960 | HN2C12FT | APPLICAZIONI BASSE DELL'CAmplificatore PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DELLA FASCIA PLANARE EPITASSIALE DEL TIPO VHF~uhf DEL SILICONE NPN DEL TRANSISTORE | TOSHIBA |
| 2961 | HN2C12FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2962 | HN2C13FT | Nuovi Prodotti di Rf | TOSHIBA |
| 2963 | HN2C14FT | Nuovi Prodotti di Rf | TOSHIBA |
| 2964 | HN2C26FS | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 2965 | HN2D01F | Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 2966 | HN2D01FU | Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 2967 | HN2D01JE | Diodo di commutazione | TOSHIBA |
| 2968 | HN2D02FU | Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 2969 | HN2D03F | Diodo di commutazione | TOSHIBA |
| 2970 | HN2E04F | Multi-chip dispositivo discreto (PNP + SW diodo) | TOSHIBA |
| 2971 | HN2S01F | Applicazione Ad alta velocitą Epitassiale Di Commutazione Di Bassa Tensione Del Tipo Della Barriera Dello Schottky Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 2972 | HN2S01FU | Applicazione Ad alta velocitą Epitassiale Di Commutazione Di Bassa Tensione Del Tipo Della Barriera Dello Schottky Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 2973 | HN2S02FU | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
| 2974 | HN2S02JE | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
| 2975 | HN2S03FE | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
| 2976 | HN2S03FU | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
| 2977 | HN2S03T | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
| 2978 | HN2S04FU | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
| 2979 | HN2V02H | Applicazioni Di sintonia Di Capacitą Del Diodo Della Fascia Radiofonica Variabile di | TOSHIBA |
| 2980 | HN3A51F | Transistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1 | TOSHIBA |
| 2981 | HN3B01F | TIPO EPITASSIALE DI PNP (APPLICAZIONI PER TUTTI GLI USI DELL'CAmplificatore DI FREQUENZA AUDIO) | TOSHIBA |
| 2982 | HN3B02FU | Silicone PNP Del Transistore·Applicazioni Per tutti gli usi Epitassiali Dell'Amplificatore Di Frequenza Audio Del Tipo di NPN (Processo del PCT) | TOSHIBA |
| 2983 | HN3C01F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2984 | HN3C01FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2985 | HN3C02F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2986 | HN3C02FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2987 | HN3C03F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2988 | HN3C03FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2989 | HN3C09F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2990 | HN3C09FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2991 | HN3C10F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2992 | HN3C10FE | APPLICAZIONI BASSE DELL'CAmplificatore PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DELLA FASCIA PLANARE EPITASSIALE DEL TIPO VHF~uhf DEL SILICONE NPN DEL TRANSISTORE | TOSHIBA |
| 2993 | HN3C10FT | APPLICAZIONI BASSE DELL'CAmplificatore PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DELLA FASCIA PLANARE EPITASSIALE DEL TIPO VHF~uhf DEL SILICONE NPN DEL TRANSISTORE | TOSHIBA |
| 2994 | HN3C10FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2995 | HN3C11F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2996 | HN3C11FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2997 | HN3C12 | TIPO PLANARE EPITASSIALE DI NPN (APPLICAZIONI BASSE DELL'CAmplificatore PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DELLA FASCIA DI VHF~uhf) | TOSHIBA |
| 2998 | HN3C12F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2999 | HN3C12FU | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3000 | HN3C13F | Transistori Dell'Ibrido di Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
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