Nr. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
8301 | TC55W800XB7 | 524.288-PAROLE DALLA RAM DI ELETTRICITĄ STATICA DEL 16-bit FULL CMOS | TOSHIBA |
8302 | TC55W800XB8 | 524.288-PAROLE DALLA RAM DI ELETTRICITĄ STATICA DEL 16-bit FULL CMOS | TOSHIBA |
8303 | TC55WD1618FF-133 | 1.048.576-parola DALLA RAM di ELETTRICITĄ STATICA Di Nessun-ritorno Del 18-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
8304 | TC55WD1618FF-150 | 1.048.576-parola DALLA RAM di ELETTRICITĄ STATICA Di Nessun-ritorno Del 18-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
8305 | TC55WD1618FF-167 | 1.048.576-parola DALLA RAM di ELETTRICITĄ STATICA Di Nessun-ritorno Del 18-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
8306 | TC55WD1636FF-133 | 524.288-parole DALLA RAM di ELETTRICITĄ STATICA Di Nessun-ritorno Del 36-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
8307 | TC55WD1636FF-150 | 524.288-parole DALLA RAM di ELETTRICITĄ STATICA Di Nessun-ritorno Del 36-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
8308 | TC55WD1636FF-167 | 524.288-parole DALLA RAM di ELETTRICITĄ STATICA Di Nessun-ritorno Del 36-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
8309 | TC55WD818FF-133 | 524.288-parole DALLA RAM di ELETTRICITĄ STATICA Di Nessun-ritorno Del 18-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
8310 | TC55WD818FF-150 | 524.288-parole DALLA RAM di ELETTRICITĄ STATICA Di Nessun-ritorno Del 18-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
8311 | TC55WD818FF-167 | 524.288-parole DALLA RAM di ELETTRICITĄ STATICA Di Nessun-ritorno Del 18-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
8312 | TC55WD836FF-133 | 262.144-parole DALLA RAM di ELETTRICITĄ STATICA Di Nessun-ritorno Del 36-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
8313 | TC55WD836FF-150 | 262.144-parole DALLA RAM di ELETTRICITĄ STATICA Di Nessun-ritorno Del 36-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
8314 | TC55WD836FF-167 | 262.144-parole DALLA RAM di ELETTRICITĄ STATICA Di Nessun-ritorno Del 36-bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
8315 | TC55WDM518AFFN15 | parola canalizzata 2.5V di 36M NtRAM TM 2M dalla RAM di ELETTRICITĄ STATICA di Nessun-ritorno del 18Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
8316 | TC55WDM518AFFN16 | parola canalizzata 2.5V di 36M NtRAM TM 2M dalla RAM di ELETTRICITĄ STATICA di Nessun-ritorno del 18Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
8317 | TC55WDM518AFFN20 | parola canalizzata 2.5V di 36M NtRAM TM 2M dalla RAM di ELETTRICITĄ STATICA di Nessun-ritorno del 18Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
8318 | TC55WDM518AFFN22 | parola canalizzata 2.5V di 36M NtRAM TM 2M dalla RAM di ELETTRICITĄ STATICA di Nessun-ritorno del 18Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
8319 | TC55WDM536AFFN15 | parola del 1M canalizzata 2.5V di 36M NtRAM TM dalla RAM di ELETTRICITĄ STATICA di Nessun-ritorno del 36Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
8320 | TC55WDM536AFFN16 | parola del 1M canalizzata 2.5V di 36M NtRAM TM dalla RAM di ELETTRICITĄ STATICA di Nessun-ritorno del 36Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
8321 | TC55WDM536AFFN20 | parola del 1M canalizzata 2.5V di 36M NtRAM TM dalla RAM di ELETTRICITĄ STATICA di Nessun-ritorno del 36Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
8322 | TC55WDM536AFFN22 | parola del 1M canalizzata 2.5V di 36M NtRAM TM dalla RAM di ELETTRICITĄ STATICA di Nessun-ritorno del 36Bit SYNCHRONOUS | TOSHIBA |
8323 | TC55YEM216ABXN-55 | 262.144-PAROLE DALLA RAM DI ELETTRICITĄ STATICA DEL 16-bit FULL CMOS | TOSHIBA |
8324 | TC55YEM216ABXN-70 | 262.144-PAROLE DALLA RAM DI ELETTRICITĄ STATICA DEL 16-bit FULL CMOS | TOSHIBA |
8325 | TC57512AD-15 | 150ns; V (cc): -0.6 a + 7V; 1.5W; 65.536 parole x 8 bit CMOS UV cancellabile e programmabile elettricamente memoria di sola lettura | TOSHIBA |
8326 | TC57512AD-20 | 200ns; V (cc): -0.6 a + 7V; 1.5W; 65.536 parole x 8 bit CMOS UV cancellabile e programmabile elettricamente memoria di sola lettura | TOSHIBA |
8327 | TC581282A | BIT Di 128-MBIT (16M X 8) Cmos NAND E2PROM | TOSHIBA |
8328 | TC581282A | BIT Di 128-MBIT (16M X 8) Cmos NAND E2PROM | TOSHIBA |
8329 | TC581282AXB | 128-mbit (BIT) DEL × 8 DI 16CM CMOS NAND E2PROM | TOSHIBA |
8330 | TC58128AFT | BIT di 128-mbit (16M x 8) CMOS NAND E2PROM | TOSHIBA |
8331 | TC5816BDC | 16 Mbit (2m x 8 bit) CMOS NAND Flash EEPROM | TOSHIBA |
8332 | TC5816BFT | 16 MBIT (2M x 8BITS) CMOS NAND E2PROM ISTANTANEO | TOSHIBA |
8333 | TC5816BFT | 16 MBIT (2M x 8BITS) CMOS NAND E2PROM ISTANTANEO | TOSHIBA |
8334 | TC582562AXB | BIT di 256-mbit (32M x 8) CMOS NAND E2PROM | TOSHIBA |
8335 | TC58256AFT | Prom BIT di 256-mbit (32M x 8) CMOS NAND E | TOSHIBA |
8336 | TC58256DC | SmartMedia TM | TOSHIBA |
8337 | TC5832DC | 32 MBIT (4M x 8BIT) CMOS NAND E2PROM | TOSHIBA |
8338 | TC5832DC | 32 MBIT (4M x 8BIT) CMOS NAND E2PROM | TOSHIBA |
8339 | TC5832FT | 32 BIT Di MBIT (4M X 8) Cmos NAND E2PROM | TOSHIBA |
8340 | TC5832FT | 32 BIT Di MBIT (4M X 8) Cmos NAND E2PROM | TOSHIBA |
8341 | TC58512FT | BIT di 512-mbit (64M x 8) CMOS NAND E2PROM | TOSHIBA |
8342 | TC58A040 | 4 MBIT (4M x 1BITS) CMOS NAND AUDIO E2PROM | TOSHIBA |
8343 | TC58A040 | 4 MBIT (4M x 1BITS) CMOS NAND AUDIO E2PROM | TOSHIBA |
8344 | TC58A040F | 4 Mbit (4M x 1 bit) NAND EEPROM audio CMOS | TOSHIBA |
8345 | TC58B004FT-10 | 4M (512K x 8 bit) 100ns CMOS Flash Memory, | TOSHIBA |
8346 | TC58B004FT-12 | 4M (512K x 8 bit) 120ns CMOS Flash Memory, | TOSHIBA |
8347 | TC58B004FT-85 | 4M (512K x 8 bit) 85ns di memoria flash CMOS, | TOSHIBA |
8348 | TC58B160FT-10 | 16 Mbit (2m x 8 bit) di memoria CMOS Flash, 100ns | TOSHIBA |
8349 | TC58B160FT-12 | 16 Mbit (2m x 8 bit) di memoria CMOS Flash, 120ns | TOSHIBA |
8350 | TC58B160FT-85 | 16 Mbit (2m x 8 bit) di memoria CMOS Flash, 85ns | TOSHIBA |
8351 | TC58BVG0S3HBAI4 | Benand (Built-in ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
8352 | TC58BVG0S3HBAI6 | Benand (Built-in ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
8353 | TC58BVG0S3HTA00 | Benand (Built-in ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
8354 | TC58BVG0S3HTAI0 | Benand (Built-in ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
8355 | TC58BVG1S3HBAI4 | Benand (Built-in ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
8356 | TC58BVG1S3HBAI6 | Benand (Built-in ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
8357 | TC58BVG1S3HTA00 | Benand (Built-in ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
8358 | TC58BVG1S3HTAI0 | Benand (Built-in ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
8359 | TC58BVG2S0HBAI4 | Benand (Built-in ECC SLCNAND) | TOSHIBA |
8360 | TC58BVG2S0HBAI6 | Benand (Built-in ECC SLCNAND) | TOSHIBA |