|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 445 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1012SC945Транзистор. Усилитель звуковой частоты высокой частоты OSC. Напряжения коллектор-база VCBO = 60В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = 50В. USHA India LTD
1022SD1616Транзистор для усилителя мощности звуковой частотыUSHA India LTD
1032SD1616AТранзистор. Аудио частота усилителя мощности коммутации средней скорости. Напряжения коллектор-база VCBO = 120В. Напряжение коллектоUSHA India LTD
1042SD227Транзистор. Низкий усилитель промышленной частоты. Напряжения коллектор-база VCBO = 30В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = 25В. ЭмиттерUSHA India LTD
1052SD261ПАРА КОМПЛЕКТА УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ С 2SB1103 И 2SB1104USHA India LTD
1062SD261ПАРА КОМПЛЕКТА УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ С 2SB1103 И 2SB1104USHA India LTD
1072SD313NPN кремния пластик силового транзистора. Предназначен для усилителя мощности низкой частоты. VCEO = 60В, постоянный ток усиления: 40 @ IcUSHA India LTD
1082SD471AПРЕССФОРМА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ NPN ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ МИНИАЯUSHA India LTD
1092SD471AПРЕССФОРМА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ NPN ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ МИНИАЯUSHA India LTD
1102SD5041Транзистор. Выходной усилитель AF для электронной вспышки. Напряжения коллектор-база VCBO = 40В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = 20В. ЭUSHA India LTD
1112SD880YNPN кремния пластик силового транзистора. Предназначен для усилителя мощности низкой частоты. VCEO = 60В, постоянный ток усиления: 20 @ IcUSHA India LTD
112BC237Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Напряжения коллектор-база VCBO = 50В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = 45В. Эмиттер-базUSHA India LTD
113BC238Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Напряжения коллектор-база VCBO = 30В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = 25В. Эмиттер-базUSHA India LTD
114BC239Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Напряжения коллектор-база VCBO = 30В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = 25В. Эмиттер-базUSHA India LTD
115BC307Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Напряжения коллектор-база VCBO = -50 В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = -45V. Эмиттер-баUSHA India LTD
116BC308Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Напряжения коллектор-база VCBO = -30V. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = -25V. Эмиттер-базUSHA India LTD
117BC309Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Напряжения коллектор-база VCBO = -30V. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = -25V. Эмиттер-базUSHA India LTD
118BC327Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Напряжения коллектор-база VCBO = -50 В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = -45V. Эмиттер-баUSHA India LTD
119BC328Транзистор. Переключить. и усилитель. приложения. Подходит для этапах AF-водителя и выходной мощности. VCES = -30V, VCEO = -25V, VEBO = -5. РассеиваUSHA India LTD
120BC337Транзистор. Коммутация и ampplifier приложения. Подходит для stagees AF-драйверов и мощности выходных каскадов. Коллектор-база VCBO = 50В. КоллеUSHA India LTD
121BC338Транзистор. Коммутация и ampplifier приложения. Подходит для stagees AF-драйверов и мощности выходных каскадов. VCES = 30В, VCEO = 25В, VEBO = 5В, ПК = 625mW,USHA India LTD
122BC549Транзистор. Коммутация и AF ampplifier. Низкий уровень шума. VCBO = 30В, VCEO = 30В, VEBO = 5В, ПК = 500 мВт, Ic = 100 мА.USHA India LTD
123BC550Транзистор. Коммутация и усилитель AF. Низкий уровень шума. VCBO = 50В, VCEO = 45В, VEBO = 5В, ПК = 500 мВт, Ic = 100 мА.USHA India LTD
124BC556Транзистор. Коммутация и усилитель AF. Высокое напряжение. Низкий уровень шума. VCBO = -80V, VCEO = -65V, VEBO = -5, ПК = 500 мВт, Ic = -100mA.USHA India LTD
125BC557Транзистор. Коммутация и усилитель AF. Высокое напряжение. Низкий уровень шума. VCBO = -50 В, VCEO = -45V, VEBO = -5, ПК = 500 мВт, Ic = -100mA.USHA India LTD
126BC558Транзистор. Коммутация и усилитель AF. Высокое напряжение. Низкий уровень шума. VCBO = -30V, VCEO = -30V, VEBO = -5, ПК = 500 мВт, Ic = -100mA.USHA India LTD



127BC559Транзистор. Коммутация и усилитель AF. Высокое напряжение. Низкий уровень шума. VCBO = -30V, VCEO = -30V, VEBO = -5, ПК = 500 мВт, Ic = -100mA.USHA India LTD
128BC560Транзистор. Коммутация и усилитель AF. Высокое напряжение. Низкий уровень шума. VCBO = -50 В, VCEO = -45V, VEBO = -5, ПК = 500 мВт, Ic = -100mA.USHA India LTD
129BC635Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Vcer = 45В, VCES = 45В, VCEO = 45В, VEBO = 5В, ПК = 1W, Ic = 1A.USHA India LTD
130BC636Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Vcer = -45V, VCES = -45V, VCEO = -45V, VEBO = -5, ПК = 1W, Ic = -1A.USHA India LTD
131BC637Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Vcer = 60В, VCES = 60В, VCEO = 60В, VEBO = 5В, ПК = 1W, Ic = 1A.USHA India LTD
132BC638Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Vcer = -60V, VCES = -60V, VCEO = -60V, VEBO = -5, ПК = 1W, Ic = -1A.USHA India LTD
133BC640Транзистор. Коммутации и усилитель приложений. Vcer = -100V, VCES = -100V, VCEO = -80V, VEBO = -5, ПК = 1W, Ic = -1A.USHA India LTD
134BD241ANPN кремния пластик силового транзистора. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначенUSHA India LTD
135BD241BNPN кремния пластик мощность NPN-транзистор. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначеUSHA India LTD
136BD241CNPN кремния пластик мощность NPN-транзистор. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначеUSHA India LTD
137BD242APNP кремния пластик силового транзистора. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначенUSHA India LTD
138BD242BPNP кремния пластик силового транзистора. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначенUSHA India LTD
139BD242CPNP кремния пластик силового транзистора. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначенUSHA India LTD
140BD243ANPN кремния пластик силового транзистора. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначенUSHA India LTD
141BD243BNPN кремния пластик мощность NPN-транзистор. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначеUSHA India LTD
142BD243CNPN кремния пластик мощность NPN-транзистор. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначеUSHA India LTD
143BD244APNP кремния пластик силового транзистора. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначенUSHA India LTD
144BD244BPNP кремния пластик силового транзистора. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначенUSHA India LTD
145BD244CPNP кремния пластик силового транзистора. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначенUSHA India LTD
146BU204NPN кремния мощный транзистор. Горизонтальные выходные отклонение этапы большой цветной экран отклонения контуров. 2.5Amp, 1300V, 36Watt.USHA India LTD
147BU205NPN, горизонтального отклонения транзистор. Предназначен для использования в большой цветной экран отклонения схем. VCEO = 700Vdc, Vcex = 1500USHA India LTD
148BU208NPN кремния мощный транзистор. Горизонтальные выходные отклонение этапы большой цветной экран отклонения контуров. 5Amp, 1300V, 12.5Watt.USHA India LTD
149BU208ANPN, горизонтального отклонения транзистор. Предназначен для использования в телевизорах. VCEO = 700Vdc, Vcex = 1500 В постоянного тока, Вэб = 5USHA India LTD
150BU208DNPN, горизонтальное отклонение транзистор со встроенным демпфером диода. VCEO = 700Vdc, VCES = 1500 В постоянного тока, Вэб = 5В, Ic = 5Adc, PD = 60W.USHA India LTD

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/ushaindialtd/1/