| Nr. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 101 | 2SC945 | Transistor. Amplificatore audio frequenza osc ad alta frequenza. Tensione collettore-base VCBO = 60V. Tensione collettore-emettitore Vceo = 50V. Emettitore-base Vebo = 5V. Dissipazione Collector Pc (max) = 250mW. Corrente di collettore Ic | USHA India LTD |
| 102 | 2SD1616 | Transistor per amplificatore di potenza audio frequenza | USHA India LTD |
| 103 | 2SD1616A | Transistor. Frequenza audio amplificatore di potenza di commutazione velocitŕ media. Tensione collettore-base VCBO = 120V. Tensione collettore-emettitore Vceo = 60V. Emettitore-base Vebo = 6V. Dissipazione Collector Pc (max) = 0,75 W. Col | USHA India LTD |
| 104 | 2SD227 | Transistor. Amplificatore di potenza a bassa frequenza. Tensione collettore-base VCBO = 30V. Tensione collettore-emettitore Vceo = 25V. Emettitore-base Vebo = 5V. Dissipazione Collector Pc (max) = 400mW. Corrente di collettore Ic = 300mA. | USHA India LTD |
| 105 | 2SD261 | AMPLIFICATORE DI ALIMENTAZIONE A BASSA FREQUENZA | USHA India LTD |
| 106 | 2SD261 | AMPLIFICATORE DI ALIMENTAZIONE A BASSA FREQUENZA | USHA India LTD |
| 107 | 2SD313 | Silicone di NPN transistor di potenza in plastica. Progettato per amplificatore di potenza a bassa frequenza. Vceo = 60V, DC guadagno di corrente: 40 @ Ic = 2A. Pd = 30W. | USHA India LTD |
| 108 | 2SD471A | AMPLIFICATORE DI ALIMENTAZIONE DI FREQUENZA AUDIO | USHA India LTD |
| 109 | 2SD471A | AMPLIFICATORE DI ALIMENTAZIONE DI FREQUENZA AUDIO | USHA India LTD |
| 110 | 2SD5041 | Transistor. Amplificatore di uscita AF per l'unitŕ flash elettronico. Tensione collettore-base VCBO = 40V. Tensione collettore-emettitore Vceo = 20V. Emettitore-base Vebo = 7V. Dissipazione Collector Pc (max) = 0,75 W. Corrente di collett | USHA India LTD |
| 111 | 2SD880Y | Silicone di NPN transistor di potenza in plastica. Progettato per amplificatore di potenza a bassa frequenza. Vceo = 60V, DC guadagno di corrente: 20 @ Ic = 3A. Pd = 30W. | USHA India LTD |
| 112 | BC237 | Transistor. Applicazioni di commutazione e amplificazione. Tensione collettore-base VCBO = 50V. Tensione collettore-emettitore Vceo = 45V. Emettitore-base Vebo = 6V. Dissipazione Collector Pc (max) = 500 mW. Corrente di collettore Ic = 100 | USHA India LTD |
| 113 | BC238 | Transistor. Applicazioni di commutazione e amplificazione. Tensione collettore-base VCBO = 30V. Tensione collettore-emettitore Vceo = 25V. Emettitore-base Vebo = 6V. Dissipazione Collector Pc (max) = 500 mW. Corrente di collettore Ic = 100 | USHA India LTD |
| 114 | BC239 | Transistor. Applicazioni di commutazione e amplificazione. Tensione collettore-base VCBO = 30V. Tensione collettore-emettitore Vceo = 25V. Emettitore-base Vebo = 6V. Dissipazione Collector Pc (max) = 500 mW. Corrente di collettore Ic = 100 | USHA India LTD |
| 115 | BC307 | Transistor. Applicazioni di commutazione e amplificazione. Tensione collettore-base VCBO = -50V. Tensione collettore-emettitore Vceo = -45V. Emettitore-base Vebo = -5V. Dissipazione Collector Pc (max) = 500 mW. Corrente di collettore Ic = | USHA India LTD |
| 116 | BC308 | Transistor. Applicazioni di commutazione e amplificazione. Tensione collettore-base VCBO = -30V. Tensione collettore-emettitore Vceo = -25V. Emettitore-base Vebo = -5V. Dissipazione Collector Pc (max) = 500 mW. Corrente di collettore Ic = | USHA India LTD |
| 117 | BC309 | Transistor. Applicazioni di commutazione e amplificazione. Tensione collettore-base VCBO = -30V. Tensione collettore-emettitore Vceo = -25V. Emettitore-base Vebo = -5V. Dissipazione Collector Pc (max) = 500 mW. Corrente di collettore Ic = | USHA India LTD |
| 118 | BC327 | Transistor. Applicazioni di commutazione e amplificazione. Tensione collettore-base VCBO = -50V. Tensione collettore-emettitore Vceo = -45V. Emettitore-base Vebo = -5V. Dissipazione Collector Pc (max) = 625mW. Corrente di collettore Ic = - | USHA India LTD |
| 119 | BC328 | Transistor. Switch. e amplificatore. applicazioni. Adatto per AF-guida e potenza di uscita stadi. VCES = -30V, Vceo = -25V, Vebo = -5V. Dissipazione Collector Pc (max) = 625mW. Ic = -800mA. | USHA India LTD |
| 120 | BC337 | Transistor. Di commutazione e le applicazioni ampplifier. Adatto per stagees AF-driver e stadi finali di potenza. Collettore-base VCBO = 50V. Collettore-emettitore Vceo = 45V. Emettitore-base Vebo = 5V. Collector dissipazione Pc = 625mW. C | USHA India LTD |
| 121 | BC338 | Transistor. Di commutazione e le applicazioni ampplifier. Adatto per stagees AF-driver e stadi finali di potenza. VCES = 30V, Vceo = 25V, Vebo = 5V, Pc = 625mW, Ic = 800mA. | USHA India LTD |
| 122 | BC549 | Transistor. Commutazione e ampplifier AF. A basso rumore. VCBO = 30V, Vceo = 30V, Vebo = 5V, Pc = 500mW, Ic = 100mA. | USHA India LTD |
| 123 | BC550 | Transistor. Commutazione e amplificatore AF. A basso rumore. VCBO = 50V, Vceo = 45V, Vebo = 5V, Pc = 500mW, Ic = 100mA. | USHA India LTD |
| 124 | BC556 | Transistor. Commutazione e amplificatore AF. Alta tensione. A basso rumore. VCBO = -80V, Vceo = -65V, Vebo = -5V, Pc = 500mW, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
| 125 | BC557 | Transistor. Commutazione e amplificatore AF. Alta tensione. A basso rumore. VCBO = -50V, Vceo = -45V, Vebo = -5V, Pc = 500mW, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
| 126 | BC558 | Transistor. Commutazione e amplificatore AF. Alta tensione. A basso rumore. VCBO = -30V, Vceo = -30V, Vebo = -5V, Pc = 500mW, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
| 127 | BC559 | Transistor. Commutazione e amplificatore AF. Alta tensione. A basso rumore. VCBO = -30V, Vceo = -30V, Vebo = -5V, Pc = 500mW, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
| 128 | BC560 | Transistor. Commutazione e amplificatore AF. Alta tensione. A basso rumore. VCBO = -50V, Vceo = -45V, Vebo = -5V, Pc = 500mW, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
| 129 | BC635 | Transistor. Applicazioni di commutazione e amplificazione. Vcer = 45V, VCES = 45V, Vceo = 45V, Vebo = 5V, Pc = 1W, Ic = 1A. | USHA India LTD |
| 130 | BC636 | Transistor. Applicazioni di commutazione e amplificazione. Vcer = -45V, VCES = -45V, Vceo = -45V, Vebo = -5V, Pc = 1W, Ic = -1 bis. | USHA India LTD |
| 131 | BC637 | Transistor. Applicazioni di commutazione e amplificazione. Vcer = 60V, VCES = 60V, Vceo = 60V, Vebo = 5V, Pc = 1W, Ic = 1A. | USHA India LTD |
| 132 | BC638 | Transistor. Applicazioni di commutazione e amplificazione. Vcer = -60V, VCES = -60V, Vceo = -60V, Vebo = -5V, Pc = 1W, Ic = -1 bis. | USHA India LTD |
| 133 | BC640 | Transistor. Applicazioni di commutazione e amplificazione. Vcer = 100V, VCES = 100V, Vceo = -80V, Vebo = -5V, Pc = 1W, Ic = -1 bis. | USHA India LTD |
| 134 | BD241A | Silicone di NPN transistor di potenza in plastica. Progettato per l'uso in applicazioni di commutazione e amplificatore di uso generale. Vceo = 60Vdc, VCES = 70Vdc, Veb = 5Vdc, Ic = 3Adc, Pd = 40W | USHA India LTD |
| 135 | BD241B | NPN plastica silicio transistor di potenza NPN. Progettato per l'uso in applicazioni di commutazione e amplificatore di uso generale. Vceo = 80VDC, VCES = 90Vdc, Veb = 5Vdc, Ic = 3Adc, Pd = 40W | USHA India LTD |
| 136 | BD241C | NPN plastica silicio transistor di potenza NPN. Progettato per l'uso in applicazioni di commutazione e amplificatore di uso generale. Vceo = 100Vdc, VCES = 115Vdc, Veb = 5Vdc, Ic = 3Adc, Pd = 40W | USHA India LTD |
| 137 | BD242A | PNP transistor di potenza al silicio di plastica. Progettato per l'uso in applicazioni di commutazione e amplificatore di uso generale. Vceo = 60Vdc, VCES = 70Vdc, Veb = 5Vdc Ic = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
| 138 | BD242B | PNP transistor di potenza al silicio di plastica. Progettato per l'uso in applicazioni di commutazione e amplificatore di uso generale. Vceo = 80VDC, VCES = 90Vdc, Veb = 5Vdc Ic = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
| 139 | BD242C | PNP transistor di potenza al silicio di plastica. Progettato per l'uso in applicazioni di commutazione e amplificatore di uso generale. Vceo = 100Vdc, VCES = 115Vdc, Veb = 5Vdc Ic = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
| 140 | BD243A | Silicone di NPN transistor di potenza in plastica. Progettato per l'uso in applicazioni di commutazione e amplificatore di uso generale. Vceo = 60Vdc, Vcb = 60V cc, Veb = 5Vdc, Ic = 6Adc, Pd = 65W | USHA India LTD |
| 141 | BD243B | NPN plastica silicio transistor di potenza NPN. Progettato per l'uso in applicazioni di commutazione e amplificatore di uso generale. Vceo = 80VDC, Vcb = 80VDC, Veb = 5Vdc, Ic = 6Adc, Pd = 65W | USHA India LTD |
| 142 | BD243C | NPN plastica silicio transistor di potenza NPN. Progettato per l'uso in applicazioni di commutazione e amplificatore di uso generale. Vceo = 100Vdc, Vcb = 100Vdc, Veb = 5Vdc, Ic = 6Adc, Pd = 65W | USHA India LTD |
| 143 | BD244A | PNP transistor di potenza al silicio di plastica. Progettato per l'uso in applicazioni di commutazione e amplificatore di uso generale. Vceo = 60Vdc, Vcb = 60V cc, Veb = 5Vdc Ic = 6Adc, PD = 65W. | USHA India LTD |
| 144 | BD244B | PNP transistor di potenza al silicio di plastica. Progettato per l'uso in applicazioni di commutazione e amplificatore di uso generale. Vceo = 80VDC, Vcb = 80VDC, Veb = 5Vdc Ic = 6Adc, PD = 65W. | USHA India LTD |
| 145 | BD244C | PNP transistor di potenza al silicio di plastica. Progettato per l'uso in applicazioni di commutazione e amplificatore di uso generale. Vceo = 100Vdc, Vcb = 100Vdc, Veb = 5Vdc Ic = 6Adc, PD = 65W. | USHA India LTD |
| 146 | BU204 | Transistore NPN di potenza al silicio. Stadi di uscita di deflessione orizzontale di ampio schermo a colori circuiti di deflessione. 2.5Amp, 1300V, 36Watt. | USHA India LTD |
| 147 | BU205 | NPN transistor di deflessione orizzontale. Progettato per l'uso in grandi circuiti di deflessione colore dello schermo. Vceo = 700 V cc, VCEX = 1500VDC, Veb = 5Vdc, Ic = 2.5Adc, PD = 36W. | USHA India LTD |
| 148 | BU208 | Transistore NPN di potenza al silicio. Stadi di uscita di deflessione orizzontale di ampio schermo a colori circuiti di deflessione. 5Amp, 1300V, 12.5Watt. | USHA India LTD |
| 149 | BU208A | NPN transistor di deflessione orizzontale. Progettato per essere utilizzato nei televisori. Vceo = 700 V cc, VCEX = 1500VDC, Veb = 5Vdc, Ic = 5Adc, PD = 12.5W. | USHA India LTD |
| 150 | BU208D | NPN, transistor di deflessione orizzontale con diodo smorzatore integrato. Vceo = 700 V cc, VCES = 1500VDC, Veb = 5Vdc, Ic = 5Adc, PD = 60W. | USHA India LTD |
| | | |
