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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1012SC945Transistor. Audio Frequenzverstärker Hochfrequenz osc. Kollektor-Basisspannung VCBO = 60V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = 50V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = 5V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 250mW. Kollektorstrom Ic = 150mA.USHA India LTD
1022SD1616Transistor für Audio-LeistungsverstärkerUSHA India LTD
1032SD1616ATransistor. Audio Frequenz-Leistungsverstärker mittlerer Geschwindigkeit Umschaltung. Kollektor-Basisspannung VCBO = 120V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = 60V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = 6V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 0,75 W. KolleUSHA India LTD
1042SD227Transistor. Niederfrequenz-Leistungsverstärker. Kollektor-Basisspannung VCBO = 30V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = 25V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = 5V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 400mW. Kollektorstrom Ic = 300mA.USHA India LTD
1052SD261NIEDERFREQUENZCENDVERSTÄRKERUSHA India LTD
1062SD261NIEDERFREQUENZCENDVERSTÄRKERUSHA India LTD
1072SD313NPN Silizium Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für Niederfrequenz-Leistungsverstärker. Vceo = 60V, DC Stromverstärkung: 40 @ Ic = 2A. Pd = 30W.USHA India LTD
1082SD471ATONFREQUENZ-ENDVERSTÄRKERUSHA India LTD
1092SD471ATONFREQUENZ-ENDVERSTÄRKERUSHA India LTD
1102SD5041Transistor. AF Ausgangsverstärker für elektronische Blitzgerät. Kollektor-Basisspannung VCBO = 40V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = 20V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = 7V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 0,75 W. Kollektorstrom Ic = 5A.USHA India LTD



1112SD880YNPN Silizium Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für Niederfrequenz-Leistungsverstärker. Vceo = 60V, DC Stromverstärkung: 20 @ Ic = 3A. Pd = 30W.USHA India LTD
112BC237Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Kollektor-Basisspannung VCBO = 50V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = 45V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = 6V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 500mW. Kollektorstrom Ic = 100mA.USHA India LTD
113BC238Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Kollektor-Basisspannung VCBO = 30V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = 25V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = 6V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 500mW. Kollektorstrom Ic = 100mA.USHA India LTD
114BC239Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Kollektor-Basisspannung VCBO = 30V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = 25V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = 6V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 500mW. Kollektorstrom Ic = 100mA.USHA India LTD
115BC307Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Kollektor-Basisspannung VCBO = -50 V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = -45V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = -5V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 500mW. Kollektorstrom Ic = -100mA.USHA India LTD
116BC308Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Kollektor-Basisspannung VCBO = -30V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = -25 V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = -5V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 500mW. Kollektorstrom Ic = -100mA.USHA India LTD
117BC309Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Kollektor-Basisspannung VCBO = -30V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = -25 V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = -5V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 500mW. Kollektorstrom Ic = -100mA.USHA India LTD
118BC327Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Kollektor-Basisspannung VCBO = -50 V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = -45V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = -5V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 625mW. Kollektorstrom Ic = -800mA.USHA India LTD
119BC328Transistor. Switch. und Verstärker. Anwendungen. Geeignet für AF-Fahrer und Leistungsendstufen. Vces = -30 V, Vceo = -25 V, Vebo = -5V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 625mW. Ic = -800mA.USHA India LTD
120BC337Transistor. Schalt- und ampplifier Anwendungen. Geeignet für AF-Fahrer stagees und Leistungsendstufen. Kollektor-Basis VCBO = 50V. Kollektor-Emitter-Vceo = 45V. Emitter-Basis Vebo = 5V. Kollektor-Verlust Pc = 625mW. Collector CurrenUSHA India LTD
121BC338Transistor. Schalt- und ampplifier Anwendungen. Geeignet für AF-Fahrer stagees und Leistungsendstufen. Vces = 30V, Vceo = 25V, Vebo = 5V, Pc = 625mW, Ic = 800mA.USHA India LTD
122BC549Transistor. Schalt- und AF ampplifier. Geräuscharm. VCBO = 30V, Vceo = 30V, Vebo = 5V, Pc = 500mW, Ic = 100mA.USHA India LTD
123BC550Transistor. Schalt- und NF-Verstärker. Geräuscharm. VCBO = 50V, Vceo = 45V, Vebo = 5V, Pc = 500mW, Ic = 100mA.USHA India LTD
124BC556Transistor. Schalt- und NF-Verstärker. Hochspannung. Geräuscharm. VCBO = -80 V, Vceo = -65V, Vebo = -5V, Pc = 500mW, Ic = -100mA.USHA India LTD
125BC557Transistor. Schalt- und NF-Verstärker. Hochspannung. Geräuscharm. VCBO = -50 V, Vceo = -45V, Vebo = -5V, Pc = 500mW, Ic = -100mA.USHA India LTD
126BC558Transistor. Schalt- und NF-Verstärker. Hochspannung. Geräuscharm. VCBO = -30 V, Vceo = -30 V, Vebo = -5V, Pc = 500mW, Ic = -100mA.USHA India LTD
127BC559Transistor. Schalt- und NF-Verstärker. Hochspannung. Geräuscharm. VCBO = -30 V, Vceo = -30 V, Vebo = -5V, Pc = 500mW, Ic = -100mA.USHA India LTD
128BC560Transistor. Schalt- und NF-Verstärker. Hochspannung. Geräuscharm. VCBO = -50 V, Vceo = -45V, Vebo = -5V, Pc = 500mW, Ic = -100mA.USHA India LTD
129BC635Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vcer = 45V, Vces = 45V, Vceo = 45V, Vebo = 5V, Pc = 1W, Ic = 1A.USHA India LTD
130BC636Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vcer = -45V, Vces = -45V, Vceo = -45V, Vebo = -5V, Pc = 1W, Ic = -1A.USHA India LTD
131BC637Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vcer = 60V, Vces = 60V, Vceo = 60V, Vebo = 5V, Pc = 1W, Ic = 1A.USHA India LTD
132BC638Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vcer = -60V, Vces = -60V, Vceo = -60V, Vebo = -5V, Pc = 1W, Ic = -1A.USHA India LTD
133BC640Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vcer = -100 V, Vces = -100 V, Vceo = -80 V, Vebo = -5V, Pc = 1W, Ic = -1A.USHA India LTD
134BD241ANPN Silizium Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 60Vdc, Vces = 70Vdc VEB = 5VDC, Ic = 3Adc, Pd = 40WUSHA India LTD
135BD241BNPN Silizium plastik NPN-Transistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 80VDC, Vces = 90Vdc VEB = 5VDC, Ic = 3Adc, Pd = 40WUSHA India LTD
136BD241CNPN Silizium plastik NPN-Transistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 100VDC, Vces = 115Vdc VEB = 5VDC, Ic = 3Adc, Pd = 40WUSHA India LTD
137BD242APNP Silikon Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 60Vdc, Vces = 70Vdc VEB = 5VDC Ic = 3Adc, PD = 40W.USHA India LTD
138BD242BPNP Silikon Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 80VDC, Vces = 90Vdc VEB = 5VDC Ic = 3Adc, PD = 40W.USHA India LTD
139BD242CPNP Silikon Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 100VDC, Vces = 115Vdc VEB = 5VDC Ic = 3Adc, PD = 40W.USHA India LTD
140BD243ANPN Silizium Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 60Vdc, Vcb = 60Vdc VEB = 5VDC, Ic = 6Adc, Pd = 65WUSHA India LTD
141BD243BNPN Silizium plastik NPN-Transistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 80VDC, Vcb = 80VDC VEB = 5VDC, Ic = 6Adc, Pd = 65WUSHA India LTD
142BD243CNPN Silizium plastik NPN-Transistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 100VDC, 100VDC Vcb = VEB = 5VDC, Ic = 6Adc, Pd = 65WUSHA India LTD
143BD244APNP Silikon Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 60Vdc, Vcb = 60Vdc VEB = 5VDC Ic = 6Adc, PD = 65W.USHA India LTD
144BD244BPNP Silikon Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 80VDC, Vcb = 80VDC VEB = 5VDC Ic = 6Adc, PD = 65W.USHA India LTD
145BD244CPNP Silikon Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 100VDC, 100VDC Vcb = VEB = 5VDC Ic = 6Adc, PD = 65W.USHA India LTD
146BU204NPN Silizium-Leistungstransistor. Horizontalablenkung Endstufen von Großbildfarbe Ablenkschaltungen. 2,5-A, 1300V, 36Watt.USHA India LTD
147BU205NPN, Horizontalablenkung Transistor. Konzipiert für den Einsatz in großen Bildschirmfarbe Ablenkschaltungen. Vceo = 700 Vdc, VCEX = 1500VDC VEB = 5VDC, Ic = 2.5Adc, PD = 36W.USHA India LTD
148BU208NPN Silizium-Leistungstransistor. Horizontalablenkung Endstufen von Großbildfarbe Ablenkschaltungen. Strom 5A, 1300V, 12.5Watt.USHA India LTD
149BU208ANPN, Horizontalablenkung Transistor. Konzipiert für den Einsatz in Fernsehern. Vceo = 700 Vdc, VCEX = 1500VDC VEB = 5VDC, Ic = 5Adc, PD = 12.5W.USHA India LTD
150BU208DNPN, Horizontalablenkung Transistor mit integriertem Dämpfungsdiode. Vceo = 700 Vdc, Vces = 1500VDC VEB = 5VDC, Ic = 5Adc, PD = 60W.USHA India LTD



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