111 | 2SD880Y | NPN Silizium Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für Niederfrequenz-Leistungsverstärker. Vceo = 60V, DC Stromverstärkung: 20 @ Ic = 3A. Pd = 30W. | USHA India LTD |
112 | BC237 | Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Kollektor-Basisspannung VCBO = 50V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = 45V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = 6V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 500mW. Kollektorstrom Ic = 100mA. | USHA India LTD |
113 | BC238 | Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Kollektor-Basisspannung VCBO = 30V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = 25V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = 6V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 500mW. Kollektorstrom Ic = 100mA. | USHA India LTD |
114 | BC239 | Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Kollektor-Basisspannung VCBO = 30V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = 25V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = 6V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 500mW. Kollektorstrom Ic = 100mA. | USHA India LTD |
115 | BC307 | Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Kollektor-Basisspannung VCBO = -50 V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = -45V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = -5V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 500mW. Kollektorstrom Ic = -100mA. | USHA India LTD |
116 | BC308 | Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Kollektor-Basisspannung VCBO = -30V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = -25 V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = -5V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 500mW. Kollektorstrom Ic = -100mA. | USHA India LTD |
117 | BC309 | Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Kollektor-Basisspannung VCBO = -30V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = -25 V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = -5V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 500mW. Kollektorstrom Ic = -100mA. | USHA India LTD |
118 | BC327 | Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Kollektor-Basisspannung VCBO = -50 V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = -45V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = -5V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 625mW. Kollektorstrom Ic = -800mA. | USHA India LTD |
119 | BC328 | Transistor. Switch. und Verstärker. Anwendungen. Geeignet für AF-Fahrer und Leistungsendstufen. Vces = -30 V, Vceo = -25 V, Vebo = -5V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 625mW. Ic = -800mA. | USHA India LTD |
120 | BC337 | Transistor. Schalt- und ampplifier Anwendungen. Geeignet für AF-Fahrer stagees und Leistungsendstufen. Kollektor-Basis VCBO = 50V. Kollektor-Emitter-Vceo = 45V. Emitter-Basis Vebo = 5V. Kollektor-Verlust Pc = 625mW. Collector Curren | USHA India LTD |
121 | BC338 | Transistor. Schalt- und ampplifier Anwendungen. Geeignet für AF-Fahrer stagees und Leistungsendstufen. Vces = 30V, Vceo = 25V, Vebo = 5V, Pc = 625mW, Ic = 800mA. | USHA India LTD |
122 | BC549 | Transistor. Schalt- und AF ampplifier. Geräuscharm. VCBO = 30V, Vceo = 30V, Vebo = 5V, Pc = 500mW, Ic = 100mA. | USHA India LTD |
123 | BC550 | Transistor. Schalt- und NF-Verstärker. Geräuscharm. VCBO = 50V, Vceo = 45V, Vebo = 5V, Pc = 500mW, Ic = 100mA. | USHA India LTD |
124 | BC556 | Transistor. Schalt- und NF-Verstärker. Hochspannung. Geräuscharm. VCBO = -80 V, Vceo = -65V, Vebo = -5V, Pc = 500mW, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
125 | BC557 | Transistor. Schalt- und NF-Verstärker. Hochspannung. Geräuscharm. VCBO = -50 V, Vceo = -45V, Vebo = -5V, Pc = 500mW, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
126 | BC558 | Transistor. Schalt- und NF-Verstärker. Hochspannung. Geräuscharm. VCBO = -30 V, Vceo = -30 V, Vebo = -5V, Pc = 500mW, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
127 | BC559 | Transistor. Schalt- und NF-Verstärker. Hochspannung. Geräuscharm. VCBO = -30 V, Vceo = -30 V, Vebo = -5V, Pc = 500mW, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
128 | BC560 | Transistor. Schalt- und NF-Verstärker. Hochspannung. Geräuscharm. VCBO = -50 V, Vceo = -45V, Vebo = -5V, Pc = 500mW, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
129 | BC635 | Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vcer = 45V, Vces = 45V, Vceo = 45V, Vebo = 5V, Pc = 1W, Ic = 1A. | USHA India LTD |
130 | BC636 | Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vcer = -45V, Vces = -45V, Vceo = -45V, Vebo = -5V, Pc = 1W, Ic = -1A. | USHA India LTD |
131 | BC637 | Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vcer = 60V, Vces = 60V, Vceo = 60V, Vebo = 5V, Pc = 1W, Ic = 1A. | USHA India LTD |
132 | BC638 | Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vcer = -60V, Vces = -60V, Vceo = -60V, Vebo = -5V, Pc = 1W, Ic = -1A. | USHA India LTD |
133 | BC640 | Transistor. Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vcer = -100 V, Vces = -100 V, Vceo = -80 V, Vebo = -5V, Pc = 1W, Ic = -1A. | USHA India LTD |
134 | BD241A | NPN Silizium Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 60Vdc, Vces = 70Vdc VEB = 5VDC, Ic = 3Adc, Pd = 40W | USHA India LTD |
135 | BD241B | NPN Silizium plastik NPN-Transistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 80VDC, Vces = 90Vdc VEB = 5VDC, Ic = 3Adc, Pd = 40W | USHA India LTD |
136 | BD241C | NPN Silizium plastik NPN-Transistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 100VDC, Vces = 115Vdc VEB = 5VDC, Ic = 3Adc, Pd = 40W | USHA India LTD |
137 | BD242A | PNP Silikon Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 60Vdc, Vces = 70Vdc VEB = 5VDC Ic = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
138 | BD242B | PNP Silikon Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 80VDC, Vces = 90Vdc VEB = 5VDC Ic = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
139 | BD242C | PNP Silikon Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 100VDC, Vces = 115Vdc VEB = 5VDC Ic = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
140 | BD243A | NPN Silizium Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 60Vdc, Vcb = 60Vdc VEB = 5VDC, Ic = 6Adc, Pd = 65W | USHA India LTD |
141 | BD243B | NPN Silizium plastik NPN-Transistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 80VDC, Vcb = 80VDC VEB = 5VDC, Ic = 6Adc, Pd = 65W | USHA India LTD |
142 | BD243C | NPN Silizium plastik NPN-Transistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 100VDC, 100VDC Vcb = VEB = 5VDC, Ic = 6Adc, Pd = 65W | USHA India LTD |
143 | BD244A | PNP Silikon Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 60Vdc, Vcb = 60Vdc VEB = 5VDC Ic = 6Adc, PD = 65W. | USHA India LTD |
144 | BD244B | PNP Silikon Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 80VDC, Vcb = 80VDC VEB = 5VDC Ic = 6Adc, PD = 65W. | USHA India LTD |
145 | BD244C | PNP Silikon Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für den Einsatz in Mehrzweck-Schalt- und Verstärkeranwendungen. Vceo = 100VDC, 100VDC Vcb = VEB = 5VDC Ic = 6Adc, PD = 65W. | USHA India LTD |
146 | BU204 | NPN Silizium-Leistungstransistor. Horizontalablenkung Endstufen von Großbildfarbe Ablenkschaltungen. 2,5-A, 1300V, 36Watt. | USHA India LTD |
147 | BU205 | NPN, Horizontalablenkung Transistor. Konzipiert für den Einsatz in großen Bildschirmfarbe Ablenkschaltungen. Vceo = 700 Vdc, VCEX = 1500VDC VEB = 5VDC, Ic = 2.5Adc, PD = 36W. | USHA India LTD |
148 | BU208 | NPN Silizium-Leistungstransistor. Horizontalablenkung Endstufen von Großbildfarbe Ablenkschaltungen. Strom 5A, 1300V, 12.5Watt. | USHA India LTD |
149 | BU208A | NPN, Horizontalablenkung Transistor. Konzipiert für den Einsatz in Fernsehern. Vceo = 700 Vdc, VCEX = 1500VDC VEB = 5VDC, Ic = 5Adc, PD = 12.5W. | USHA India LTD |
150 | BU208D | NPN, Horizontalablenkung Transistor mit integriertem Dämpfungsdiode. Vceo = 700 Vdc, Vces = 1500VDC VEB = 5VDC, Ic = 5Adc, PD = 60W. | USHA India LTD |
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