| Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
| 101 | 2SC945 | Transistor. Amplificador de frecuencia de audio de alta frecuencia osc. Tensión colector-base VCBO = 60V. Tensión de colector-emisor VCEO = 50V. Tensión emisor-base Vebo = 5V. Disipación del colector Pc (max) = 250 mW. Corriente de col | USHA India LTD |
| 102 | 2SD1616 | Transistor de amplificador de potencia de frecuencia de audio | USHA India LTD |
| 103 | 2SD1616A | Transistor. Amplificador de audio de potencia frecuencia de conmutación de velocidad media. Tensión colector-base VCBO = 120V. Tensión de colector-emisor VCEO = 60V. Tensión emisor-base Vebo = 6V. Disipación del colector Pc (máx) = 0 | USHA India LTD |
| 104 | 2SD227 | Transistor. Amplificador de potencia de frecuencia baja. Tensión colector-base VCBO = 30V. Tensión de colector-emisor VCEO = 25V. Tensión emisor-base Vebo = 5V. Disipación del colector Pc (máx) = 400mW. Corriente de colector Ic = 300m | USHA India LTD |
| 105 | 2SD261 | AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DE LA FRECUENCIA BAJA | USHA India LTD |
| 106 | 2SD261 | AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DE LA FRECUENCIA BAJA | USHA India LTD |
| 107 | 2SD313 | NPN de silicio transistor de potencia plástica. Diseñado para el amplificador de potencia de baja frecuencia. VCEO = 60V DC ganancia de corriente: 40 @ Ic = 2A. Pd = 30W. | USHA India LTD |
| 108 | 2SD471A | AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DE LA FRECUENCIA AUDIO | USHA India LTD |
| 109 | 2SD471A | AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DE LA FRECUENCIA AUDIO | USHA India LTD |
| 110 | 2SD5041 | Transistor. Amplificador de salida de AF para la unidad de flash electrónico. Tensión colector-base VCBO = 40V. Tensión de colector-emisor VCEO = 20V. Tensión emisor-base Vebo = 7V. Disipación del colector Pc (máx) = 0,75 W. Corrient | USHA India LTD |
| 111 | 2SD880Y | NPN de silicio transistor de potencia plástica. Diseñado para el amplificador de potencia de baja frecuencia. VCEO = 60V DC ganancia de corriente: 20 @ Ic = 3A. Pd = 30W. | USHA India LTD |
| 112 | BC237 | Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Tensión colector-base VCBO = 50V. Tensión de colector-emisor VCEO = 45V. Tensión emisor-base Vebo = 6V. Disipación del colector Pc (max) = 500 mW. Corriente de colector Ic = 100mA | USHA India LTD |
| 113 | BC238 | Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Tensión colector-base VCBO = 30V. Tensión de colector-emisor VCEO = 25V. Tensión emisor-base Vebo = 6V. Disipación del colector Pc (max) = 500 mW. Corriente de colector Ic = 100mA | USHA India LTD |
| 114 | BC239 | Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Tensión colector-base VCBO = 30V. Tensión de colector-emisor VCEO = 25V. Tensión emisor-base Vebo = 6V. Disipación del colector Pc (max) = 500 mW. Corriente de colector Ic = 100mA | USHA India LTD |
| 115 | BC307 | Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Tensión colector-base VCBO = -50V. Tensión de colector-emisor VCEO = -45V. Tensión emisor-base Vebo = -5V. Disipación del colector Pc (max) = 500 mW. Corriente de colector Ic = -1 | USHA India LTD |
| 116 | BC308 | Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Tensión colector-base VCBO = -30V. Tensión de colector-emisor VCEO = -25V. Tensión emisor-base Vebo = -5V. Disipación del colector Pc (max) = 500 mW. Corriente de colector Ic = -1 | USHA India LTD |
| 117 | BC309 | Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Tensión colector-base VCBO = -30V. Tensión de colector-emisor VCEO = -25V. Tensión emisor-base Vebo = -5V. Disipación del colector Pc (max) = 500 mW. Corriente de colector Ic = -1 | USHA India LTD |
| 118 | BC327 | Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Tensión colector-base VCBO = -50V. Tensión de colector-emisor VCEO = -45V. Tensión emisor-base Vebo = -5V. Disipación del colector Pc (máx) = 625MW. Corriente de colector Ic = -8 | USHA India LTD |
| 119 | BC328 | Transistor. Switch. y el amplificador. aplicaciones. Adecuado para las etapas AF-conductor y de salida de potencia. VCES = -30V, VCEO = -25V, Vebo = -5V. Disipación del colector Pc (máx) = 625MW. Ic = -800mA. | USHA India LTD |
| 120 | BC337 | Transistor. Conmutación y aplicaciones ampplifier. Adecuado para stagees AF-conductor y etapas de potencia de salida. Colector-base VCBO = 50V. Colector-emisor VCEO = 45V. Emisor-base Vebo = 5V. Colector disipación Pc = 625MW. Curren Col | USHA India LTD |
| 121 | BC338 | Transistor. Conmutación y aplicaciones ampplifier. Adecuado para stagees AF-conductor y etapas de potencia de salida. VCES = 30V, VCEO = 25V, Vebo = 5V, Pc = 625MW, Ic = 800mA. | USHA India LTD |
| 122 | BC549 | Transistor. Conmutación y ampplifier AF. Bajo nivel de ruido. VCBO = 30V, VCEO = 30V, Vebo = 5V, Pc = 500mW, Ic = 100mA. | USHA India LTD |
| 123 | BC550 | Transistor. Conmutación y amplificador de AF. Bajo nivel de ruido. VCBO = 50V, VCEO = 45V, Vebo = 5V, Pc = 500mW, Ic = 100mA. | USHA India LTD |
| 124 | BC556 | Transistor. Conmutación y amplificador de AF. De alta tensión. Bajo nivel de ruido. VCBO = -80V, VCEO = -65V, Vebo = -5V, Pc = 500mW, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
| 125 | BC557 | Transistor. Conmutación y amplificador de AF. De alta tensión. Bajo nivel de ruido. VCBO = -50V, VCEO = -45V, Vebo = -5V, Pc = 500mW, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
| 126 | BC558 | Transistor. Conmutación y amplificador de AF. De alta tensión. Bajo nivel de ruido. VCBO = -30V, VCEO = -30V, Vebo = -5V, Pc = 500mW, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
| 127 | BC559 | Transistor. Conmutación y amplificador de AF. De alta tensión. Bajo nivel de ruido. VCBO = -30V, VCEO = -30V, Vebo = -5V, Pc = 500mW, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
| 128 | BC560 | Transistor. Conmutación y amplificador de AF. De alta tensión. Bajo nivel de ruido. VCBO = -50V, VCEO = -45V, Vebo = -5V, Pc = 500mW, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
| 129 | BC635 | Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Vcer = 45V, 45V = VCES, VCEO = 45V, Vebo = 5V, Pc = 1W, Ic = 1A. | USHA India LTD |
| 130 | BC636 | Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Vcer = -45V, VCES = -45V, VCEO = -45V, Vebo = -5V, Pc = 1W, Ic = -1A. | USHA India LTD |
| 131 | BC637 | Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Vcer = 60V, 60V = VCES, VCEO = 60V, Vebo = 5V, Pc = 1W, Ic = 1A. | USHA India LTD |
| 132 | BC638 | Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Vcer = -60V, VCES = -60V, VCEO = -60V, Vebo = -5V, Pc = 1W, Ic = -1A. | USHA India LTD |
| 133 | BC640 | Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Vcer = -100V, VCES = -100V, VCEO = -80V, Vebo = -5V, Pc = 1W, Ic = -1A. | USHA India LTD |
| 134 | BD241A | NPN de silicio transistor de potencia plástica. Diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y del amplificador de uso general. VCEO = 60 Vdc, VCES = 70 Vcc, Veb = 5 Vdc, Ic = 3Adc, Pd = 40W | USHA India LTD |
| 135 | BD241B | NPN plástico silicio transistor NPN de potencia. Diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y del amplificador de uso general. VCEO = 80VDC, VCES = 90Vdc, Veb = 5 Vdc, Ic = 3Adc, Pd = 40W | USHA India LTD |
| 136 | BD241C | NPN plástico silicio transistor NPN de potencia. Diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y del amplificador de uso general. VCEO = 100Vdc, VCES = 115Vdc, Veb = 5 Vdc, Ic = 3Adc, Pd = 40W | USHA India LTD |
| 137 | BD242A | PNP transistor de potencia de plástico de silicio. Diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y del amplificador de uso general. VCEO = 60 Vdc, VCES = 70 Vcc, Veb = 5Vdc Ic = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
| 138 | BD242B | PNP transistor de potencia de plástico de silicio. Diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y del amplificador de uso general. VCEO = 80VDC, VCES = 90Vdc, Veb = 5Vdc Ic = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
| 139 | BD242C | PNP transistor de potencia de plástico de silicio. Diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y del amplificador de uso general. VCEO = 100Vdc, VCES = 115Vdc, Veb = 5Vdc Ic = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
| 140 | BD243A | NPN de silicio transistor de potencia plástica. Diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y del amplificador de uso general. VCEO = 60 Vdc, 60 Vdc = Vcb, Veb = 5 Vdc, Ic = 6Adc, Pd = 65W | USHA India LTD |
| 141 | BD243B | NPN plástico silicio transistor NPN de potencia. Diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y del amplificador de uso general. VCEO = 80VDC, Vcb = 80VDC, Veb = 5 Vdc, Ic = 6Adc, Pd = 65W | USHA India LTD |
| 142 | BD243C | NPN plástico silicio transistor NPN de potencia. Diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y del amplificador de uso general. VCEO = 100Vdc, Vcb = 100Vdc, Veb = 5 Vdc, Ic = 6Adc, Pd = 65W | USHA India LTD |
| 143 | BD244A | PNP transistor de potencia de plástico de silicio. Diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y del amplificador de uso general. VCEO = 60 Vdc, 60 Vdc = Vcb, Veb = 5Vdc Ic = 6Adc, PD = 65W. | USHA India LTD |
| 144 | BD244B | PNP transistor de potencia de plástico de silicio. Diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y del amplificador de uso general. VCEO = 80VDC, Vcb = 80VDC, Veb = 5Vdc Ic = 6Adc, PD = 65W. | USHA India LTD |
| 145 | BD244C | PNP transistor de potencia de plástico de silicio. Diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y del amplificador de uso general. VCEO = 100Vdc, Vcb = 100Vdc, Veb = 5Vdc Ic = 6Adc, PD = 65W. | USHA India LTD |
| 146 | BU204 | NPN transistor de potencia de silicio. Etapas de salida de deflexión horizontal de pantalla grande circuitos de desviación de color. 2.5Amp, 1300V, 36Watt. | USHA India LTD |
| 147 | BU205 | NPN, el transistor de deflexión horizontal. Diseñado para su uso en grandes circuitos de desviación de color pantalla. VCEO = 700 Vdc, Vcex = 1500Vdc, Veb = 5 Vdc, Ic = 2.5Adc, PD = 36W. | USHA India LTD |
| 148 | BU208 | NPN transistor de potencia de silicio. Etapas de salida de deflexión horizontal de pantalla grande circuitos de desviación de color. 5A, 1300V, 12.5Watt. | USHA India LTD |
| 149 | BU208A | NPN, el transistor de deflexión horizontal. Diseñado para su uso en televisores. VCEO = 700 Vdc, Vcex = 1500Vdc, Veb = 5 Vdc, Ic = 5Adc, PD = 12.5W. | USHA India LTD |
| 150 | BU208D | NPN, el transistor de deflexión horizontal con diodo amortiguador integrado. VCEO = 700 Vdc, VCES = 1500Vdc, Veb = 5 Vdc, Ic = 5Adc, PD = 60W. | USHA India LTD |
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