Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
101 | SD213DE | +/- 5 V, à canal N à enrichissement D-MOS FET commutateur | Topaz Semiconductor |
102 | SD213R | +/- 5 V, à canal N à enrichissement D-MOS FET commutateur | Topaz Semiconductor |
103 | SD214CHP | +/- 10 V, à canal N à enrichissement D-MOS FET commutateur | Topaz Semiconductor |
104 | SD214DE | +/- 10 V, à canal N à enrichissement D-MOS FET commutateur | Topaz Semiconductor |
105 | SD214R | +/- 10 V, à canal N à enrichissement D-MOS FET commutateur | Topaz Semiconductor |
106 | SD215ACHP | 20 V, à canal N à enrichissement D-MOS FET commutateur | Topaz Semiconductor |
107 | SD215ADE | 20 V, à canal N à enrichissement D-MOS FET commutateur | Topaz Semiconductor |
108 | SD215AR | 20 V, à canal N à enrichissement D-MOS FET commutateur | Topaz Semiconductor |
109 | SD215CHP | 20 V, à canal N à enrichissement D-MOS FET commutateur | Topaz Semiconductor |
110 | SD215DE | +/- 10 V, à canal N à enrichissement D-MOS FET commutateur | Topaz Semiconductor |
111 | SD215R | +/- 10 V, à canal N à enrichissement D-MOS FET commutateur | Topaz Semiconductor |
112 | SD217CHP | 25 V, 6 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
113 | SD217DE | 25 V, 6 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
114 | SD217R | 25 V, 6 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
115 | SD219CHP | 25 V, 6 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
116 | SD219DE | 25 V, 6 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
117 | SD219R | 25 V, 6 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
118 | SD2200DE | 20 V, 75 de canal N à déplétion D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
119 | SD2200R | 20 V, 75 de canal N à déplétion D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
120 | SD2204BD | -400 V, 700 ohm, P-channel enhancement-mode D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
121 | SD2204CHP | -400 V, 700 ohm, P-channel enhancement-mode D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
122 | SD220CHP | 60 V, 9 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
123 | SD220HD | 60 V, 9 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
124 | SD221CHP | 100 V, de 10 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
125 | SD221HD | 100 V, de 10 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
126 | SD303CHP | 20 V, N-channel enhancement-mode dual gate D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
127 | SD303DC | 20 V, N-channel enhancement-mode dual gate D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
128 | SD303R | 20 V, N-channel enhancement-mode dual gate D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
129 | SD304CHP | +25 V, N-channel enhancement-mode dual gate D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
130 | SD304DE | +25 V, N-channel enhancement-mode dual gate D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
131 | SD304R | +25 V, N-channel enhancement-mode dual gate D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
132 | SD306CHP | +20 V, N-channel enhancement-mode dual gate D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
133 | SD306DE | +20 V, N-channel enhancement-mode dual gate D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
134 | SD306R | +20 V, N-channel enhancement-mode dual gate D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
135 | SD3300AD | 100 V, de 0,6 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
136 | SD3300BD | 100 V, de 0,6 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
137 | SD3300CHP | 100 V, de 0,6 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
138 | SD3300HD | 100 V, de 0,6 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
139 | SD3301AD | 60 V, 0,4 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
140 | SD3301BD | 60 V, 0,4 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
141 | SD3301CHP | 60 V, 0,4 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
142 | SD3301HD | 60 V, 0,4 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
143 | SD411HD | +20 V, N-channel enhancement-mode dual D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
144 | SD5501CHP | 20 V, 150 à canal N à déplétion 4 canaux D-MOS FET tableau | Topaz Semiconductor |
145 | SD5501J | 20 V, 150 à canal N à déplétion 4 canaux D-MOS FET tableau | Topaz Semiconductor |
146 | SD5501N | 20 V, 150 à canal N à déplétion 4 canaux D-MOS FET tableau | Topaz Semiconductor |
147 | SST211 | 30 V, 70 om, à canal N à enrichissement D-MOS FET commutateur | Topaz Semiconductor |
148 | SST213 | 10 V, 70 om, à canal N à enrichissement mode D-MOS FET interrupteur | Topaz Semiconductor |
149 | SST215 | 20 V, 70 om, à canal N à enrichissement mode D-MOS FET interrupteur | Topaz Semiconductor |
150 | TN0106N3 | 60 V, 3 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
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