| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 151 | TN0106ND | 60 V, 3 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 152 | TN0110N3 | 100 V, 3 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 153 | TN0110ND | 100 V, 3 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 154 | TZ400BD | 30 V, 80 ohm, N-channel enhancement-mode D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
| 155 | TZ402BD | 15 V, 80 ohm, N-channel enhancement-mode D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
| 156 | TZ403BD | 15 V, 60 ohm, N-channel enhancement-mode D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
| 157 | TZ404BD | 20 V, 8 ohm, N-channel enhancement-mode D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
| 158 | TZ404CY | 20 V, 8 ohm, N-channel enhancement-mode D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
| 159 | TZ5911CY | N-canal déplétion FET double D-MOS | Topaz Semiconductor |
| 160 | TZ5911HD | N-canal déplétion FET double D-MOS | Topaz Semiconductor |
| 161 | VN0104N3 | 40 V, 3 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 162 | VN0104ND | 40 V, 3 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 163 | VN0106N3 | 60 V, 3 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 164 | VN0106ND | 60 V, 3 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 165 | VN0109N3 | 90 V, 3 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 166 | VN0109ND | 90 V, 3 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 167 | VN0610LL | 60 V, 5 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 168 | VN2222LL | 60 V, 7,5 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 169 | VN2222LM | 60 V, 7,5 ohm, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 170 | VN2410CHP | 240 V, 10 ohm, N-channel enhancement-mode D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
| 171 | VN2410L | 240 V, 10 ohm, N-channel enhancement-mode D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
| 172 | VN2410M | 240 V, 10 ohm, N-channel enhancement-mode D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
| 173 | VP0104N3 | -40 V, 8 ohms, à canal P à enrichissement mode D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 174 | VP0104ND | -40 V, 8 ohms, à canal P à enrichissement mode D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 175 | VP0106N3 | -60 V, 8 ohms, à canal P à enrichissement mode D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 176 | VP0106ND | -60 V, 8 ohms, à canal P à enrichissement mode D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 177 | VP0109N3 | -90 V, 8 ohms, à canal P à enrichissement mode D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 178 | VP0109ND | -90 V, 8 ohms, à canal P à enrichissement mode D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 179 | VP0535N3 | -350 V, 75 om, P-channel enhancement-mode D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
| 180 | VP0535ND | -350 V, 75 om, P-channel enhancement-mode D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
| 181 | VP0540N3 | -400 V, 75 om, P-channel enhancement-mode D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
| 182 | VP0540ND | -400 V, 75 om, P-channel enhancement-mode D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
| 183 | VP0808CHP | -80 V, 5 ohms, à canal P à mode d'enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 184 | VP0808L | -80 V, 5 ohms, à canal P à mode d'enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 185 | VP0808M | -80 V, 5 ohms, à canal P à mode d'enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 186 | VP1008CHP | -100 V, 5 ohms, à canal P à mode d'enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 187 | VP1008L | -100 V, 5 ohms, à canal P à mode d'enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 188 | VP1008M | -100 V, 5 ohms, à canal P à mode d'enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
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