| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1057841 | RN1104F | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057842 | RN1104FT | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1057843 | RN1104MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057844 | RN1105 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057845 | RN1105ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057846 | RN1105CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057847 | RN1105F | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057848 | RN1105FT | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1057849 | RN1105MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057850 | RN1106 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057851 | RN1106ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057852 | RN1106CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057853 | RN1106F | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057854 | RN1106FT | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1057855 | RN1106MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057856 | RN1107 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057857 | RN1107ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057858 | RN1107CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057859 | RN1107F | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057860 | RN1107FT | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1057861 | RN1107MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057862 | RN1108 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057863 | RN1108ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057864 | RN1108CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057865 | RN1108F | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057866 | RN1108FT | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1057867 | RN1108MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057868 | RN1109 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057869 | RN1109ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057870 | RN1109CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057871 | RN1109F | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057872 | RN1109FT | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1057873 | RN1109MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057874 | RN1110 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057875 | RN1110CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057876 | RN1110F | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057877 | RN1110FT | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1057878 | RN1110MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057879 | RN1111 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057880 | RN1111 | RÉSEAU TRANSPORTÉ DE RÉSISTANCE | California Micro Devices Corp |
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