| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 23121 | 1N5258 | SILICIUM 500 DIODES ZENER de mW | Microsemi |
| 23122 | 1N5258 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Semtech |
| 23123 | 1N5258 | DIODES ZENER PLANAIRES DU SILICIUM 0.5cW | Shanghai Sunrise Electronics |
| 23124 | 1N5258 | Pd = 500mW, Vz = 36V diode Zener | MCC |
| 23125 | 1N5258A | 36 V, 3,4 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 23126 | 1N5258A | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 23127 | 1N5258A (DO-35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 23128 | 1N5258A (DO7) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 23129 | 1N5258AUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Nominale Zener tension 36 V. Tolérance + -10%. | Microsemi |
| 23130 | 1N5258B | Diodes Zener De Silicium | Vishay |
| 23131 | 1N5258B | Diodes Zener | Diodes |
| 23132 | 1N5258B | Diodes Zener pour l'alimentation d'énergie stabilisée | Hitachi Semiconductor |
| 23133 | 1N5258B | Diode Zener 500mw Épitaxiale | Comchip Technology |
| 23134 | 1N5258B | DIODE ZENER 2,4 VOLTS PAR 200VOLTS 500MCL, TOLÉRANCE DE 5% | Central Semiconductor |
| 23135 | 1N5258B | Diode Zener | Formosa MS |
| 23136 | 1N5258B | DIODES ZENER DE LA SÉRIE ÇN52 | Leshan Radio Company |
| 23137 | 1N5258B | Diodes de régulateur de tension | Philips |
| 23138 | 1N5258B | DIODE ZENER DO-35 DE 500MCW 5% | Rectron Semiconductor |
| 23139 | 1N5258B | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DES DIODES ZENER DE VERRE DE SILICIUM | DC Components |
| 23140 | 1N5258B | Diode Zener | Fairchild Semiconductor |
| 23141 | 1N5258B | Diodes>Zener | Renesas |
| 23142 | 1N5258B | 36.0V 500 mW Diode Zener | Continental Device India Limited |
| 23143 | 1N5258B | 500 milliwatts diode Zener de silicium de verre, la tension de Zener 36V | Motorola |
| 23144 | 1N5258B | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 23145 | 1N5258B (DO-35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 23146 | 1N5258B (DO7) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 23147 | 1N5258B-G | Diodes Zener, P D = 0,5 watts, V Z = 36V | Comchip Technology |
| 23148 | 1N5258B-LCC3 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
| 23149 | 1N5258BUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Nominale Zener tension 36 V. Tolérance + -5%. | Microsemi |
| 23150 | 1N5258B_T50A | Diode Zener | Fairchild Semiconductor |
| 23151 | 1N5258B_T50R | Diode Zener | Fairchild Semiconductor |
| 23152 | 1N5258C | 36 V, 3,4 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 23153 | 1N5258D | 36 V, 3,4 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 23154 | 1N5258UR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Nominale tension Zener de 36 V. | Microsemi |
| 23155 | 1N5259 | DIODES ZENER | General Semiconductor |
| 23156 | 1N5259 | Diodes Zener Planaires De Silicium | Honey Technology |
| 23157 | 1N5259 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
| 23158 | 1N5259 | diode Zener de 500 mW 2,4 à 200 volts | Micro Commercial Components |
| 23159 | 1N5259 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
| 23160 | 1N5259 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Surge Components |
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