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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
254121BCR5AML'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
254122BCR5AMVolts Amperes/400-600 Du Triac 5Powerex Power Semiconductors
254123BCR5AM-12Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254124BCR5AM-12Volts Amperes/400-600 Du Triac 5Powerex Power Semiconductors
254125BCR5AM-12LVolts Amperes/400-600 Du Triac 5Powerex Power Semiconductors
254126BCR5AM-8Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254127BCR5AM-8Volts Amperes/400-600 Du Triac 5Powerex Power Semiconductors
254128BCR5AM-8LVolts Amperes/400-600 Du Triac 5Powerex Power Semiconductors
254129BCR5ASL'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
254130BCR5ASVolts Amperes/400-600 Extérieurs Du Triac 5 De BâtiPowerex Power Semiconductors
254131BCR5AS-12Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254132BCR5AS-12Volts Amperes/400-600 Extérieurs Du Triac 5 De BâtiPowerex Power Semiconductors
254133BCR5AS-12LVolts Amperes/400-600 Extérieurs Du Triac 5 De BâtiPowerex Power Semiconductors
254134BCR5AS-8Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254135BCR5AS-8LVolts Amperes/400-600 Extérieurs Du Triac 5 De BâtiPowerex Power Semiconductors
254136BCR5KMModules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254137BCR5KMTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
254138BCR5PMTYPE ISOLÉ BASSE PAR UTILISATION DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
254139BCR5PMVolts Amperes/400-600 D'isolement Du Triac 5Powerex Power Semiconductors



254140BCR5PM-12Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254141BCR5PM-14Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254142BCR5PM-8Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254143BCR6L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE Non-a isolé le TYPE/TYPE PLANAIRE de PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
254144BCR6Volts Amperes/400-600 Du Triac 6Powerex Power Semiconductors
254145BCR6AML'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
254146BCR6AMVolts Amperes/400-600 Du Triac 6Powerex Power Semiconductors
254147BCR6AM-12Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254148BCR6AM-12Volts Amperes/400-600 Du Triac 6Powerex Power Semiconductors
254149BCR6AM-12LVolts Amperes/400-600 Du Triac 6Powerex Power Semiconductors
254150BCR6AM-8Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254151BCR6AM-8Volts Amperes/400-600 Du Triac 6Powerex Power Semiconductors
254152BCR6AM-8LVolts Amperes/400-600 Du Triac 6Powerex Power Semiconductors
254153BCR8L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE Non-a isolé le TYPE/TYPE PLANAIRE de PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
254154BCR8CML'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
254155BCR8CMVolts Amperes/400-600 Du Triac 8Powerex Power Semiconductors
254156BCR8CM-12Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254157BCR8CM-8Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254158BCR8CSL'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
254159BCR8CSTYPE MOYEN DE L'UTILISATION NON-INSULATED DE PUISSANCE,TYPE PLANAIRE DE PASSIVATIONPowerex Power Semiconductors
254160BCR8CS-12Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
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