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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
256601BD438STUTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
256602BD439Transistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
256603BD439TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics
256604BD439TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256605BD439TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256606BD439Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
256607BD439Transistor Moyen En plastique Du Silicium NPN De PuissanceON Semiconductor
256608BD43936.000W NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 4.000A Ic, 25 hFE.Continental Device India Limited
256609BD439Puissance moyenne en silicium transistor NPN plastique. 4 A, 60 V.Motorola
256610BD43960 V, 4 A, le transistor NPN silicium EpibaseSiemens
256611BD439STransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
256612BD440Transistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
256613BD440TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics
256614BD440TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256615BD440TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256616BD440TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNPSiemens
256617BD440Transistor Moyen En plastique Du Silicium PNP De PuissanceMotorola
256618BD440Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
256619BD440Puissance  60V PNPON Semiconductor



256620BD44036.000W commutation PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 4.000A Ic, 25 hFE.Continental Device India Limited
256621BD440STransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
256622BD441Transistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
256623BD441TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics
256624BD441TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256625BD441TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256626BD441TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNPSiemens
256627BD441Transistor Moyen En plastique Du Silicium NPN De PuissanceMotorola
256628BD441Transistor Moyen En plastique Du Silicium NPN De PuissanceON Semiconductor
256629BD44136.000W NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 4.000A Ic, 15 hFE.Continental Device India Limited
256630BD441STUTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
256631BD442Transistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
256632BD442TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics
256633BD442TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256634BD442TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256635BD442TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNPSiemens
256636BD442Transistor Moyen En plastique Du Silicium PNP De PuissanceMotorola
256637BD442Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
256638BD442Puissance  80V PNPON Semiconductor
256639BD44236.000W commutation PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 4.000A Ic, 15 hFE.Continental Device India Limited
256640BD442STransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
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